Устройство защиты магнитно-транзисторного преобразователя от перенапряжений Советский патент 1978 года по МПК H02H7/10 

HacTOsnuee изобретение относится к об-, ласти устройств питания аппаратуры. Известно устройство зашиты магнитотранзисторного преобразователя от перенатфяжений, содержащее тра кянстор эшпиты включенный между одним из зажимов источника питания и обмоткой трансформатора, стабилитрон и два диода JlJ . Недостат ком этого устройства является зависимость порога срабатывания запшты от параметров транзистора, стабилитрона и резистора. Наиболее близким к изобретению по тех нической сущности и достигаемым результатам является устройство защиты магнито-транзис торного преобразователя от пере напряжений,содержащее тран.зистор защиты включенный между оцним из зажимов, источника питания и средним выводом обмотки отрицательной обратной связи, краЙ1те выводы которой через диоды соединены с базами транзисторов преобразователя.и стабилитрон, один из электродов которого через резистор подключен к базе транзистора заишты 2. Недостатком этого устройства является зависимость порога срабатьшания от параметров транзистора, стабилитрона и резистора, что является причиной низксй чувствительности и стабильности порога срабатывания защиты, С целью повышения чувствительности и стабильности устройство снабжено туннельным диодом.и конденсатором, включенными параллельно баз1 -вмиттерному переходу транзистора зашиты, коллектор которого соединен е другим выводом стабихштрона, а база - через резистор с другим зажимом источашка питания. На чертеже представлена схема устрой.ства запшты магнито-транзисторного преобразователя. Преобразователь выполнен на транзисторах 1,2 силовом трансформаторе 3 и схемы управления 4. Питание преобразователя осуществляется через стабилизатор напряжения 5. К выходу трансформатора 3 подключены выпрямитель 6, (|я1льтр 7 и нагрузка 8. Трансформатор 3 снабжен обмоткой 9, крайние вывопы которой через диоды 10Д1 подключены к Ял-зам транзисторов 1,2, а средний - к катопу стабилиттрона 12 и коллектору транзистора защиты 13, эмиттер которого соединен с отрнцательной ши ной питания преобразователя.Обмотка 9 совместно с диодами 10,11 и транзистором 13 образуют цепь отрицательной обратной связи, предназначенной для закрывания транзисто ров 1,2 при срабатывании схемы зашиты База транзистора 13 через резистор 14 соединена с анодом стабилитрона 12. Параллельно выводам база-эмиттер транзистора зашиты 13 подключены ковденсатор 15 и туннельный диоц 16. Допотштельный резистор 17 включен между положительной шиной питания преобразователя и бааой транзистора 13. При номинальном напряжении на обмотке отрицательной обратной связи 9 трансформатора 3 ток стабилитрона 12 не превышает значения тока переключения туннельного диода 16. При этом напряжение на циоде 16 мало, транзистор 13 закрыт и элементы схемы зашиты не оказывают влияния на работу преобразователя. При повышении напряжения на обмотке 9 увеличивается ток стабилитрона 12. Ка только этот ток превысит значение тока «переключения туннельного диода 16, пронсходит скачкообразное увеличение напряжения на диоде IQ, транзистор 13 открывается и через цепь отрицательной обратной связи запирает транзисторы преобразо вателя 1,2, Колебания преобразователя при этом срываются, и выходное напряжен становится равным нулю. После срабатывания заишты ре.зистор 17 удерживает транзистор 13 в открытом состоянии. Для возврата схемы нужно отключить и повторно включить питание преобразователя. Формула изобретения Устройство залиты магнито-транзисторного преобразователя от перенапряжений, содержащее транзистор заишты, включенный между одним иа зажимов источника питания и средним выводом обмотки отрицательной обратной связи, крайние выводы которой через диоды соединены с базами транзисторов преобразователя, и стабилитрон, один из электродов которого через резистор подключен к базе транзистора защиты, отли чаюше еся тем, что, с целью повышения чувствительности и стабильности, оно снабжено туннельным диодом и кон.денсатором, включенными параллельно базоэмиттерному переходу транзистора зашиты, коллектор которого соединен с другим вььвоЭзом стабилитрона, а база - через резистор с другим зажимом источника питаИсточники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1.Патент США 3.206.695, 1965, 331-62.. 2.В. С. Моин и Н. Н. Лаптев. Стаби, лизированиые транзисторные преобразовате-i ли, М. Энергия, 1972, с. 436, рис.П-бв,