Ультразву2овая линия задержки на поверхностных волнах Советский патент 1978 года по МПК H03H9/30 

Изобретение относится к пьезотехгиике и может быть использовано в peiwjv куляционных системах памяти и других устройствах связи.

Известна ультразвуковая линия задержки (УЛЗ) на «исустических поверхностных волнах, содержащая входнсЛ и выходной преобразователи в виде систем встречно-штыревых электродов на поверхности пьезоэлектрика ij ,

Указанная конструкция УЛЗ широкополосна, но обладает низким уровнем выходного сигнала.

Известна также УЛЗ на поверхностных волнах, содержащая пьезоэлектрическую подложку с нанесенными на ее поверхность концентрическими электродами встречно-штыревых входного н выходного преобразователей, соединенных с пассивными подводящими электродами

Однако такая УЛЗ на псверхностных волнах обладает узксй полосой пропускания с большими габаритами.

Цель изобретения - увеличение ширины полосы пропускания и сокращение габаритов.

Поставленная цель достигается тем, что в УЛЗ на поверхностных волнах, содержащей пьезоэлектрическую подложку с нанесенными на ее поверхность концентрическими электродами встречно-штыревых входного и выходного преобразователей, соединенных с пассивными подводящими электродами, пьезоэлектрическая подложка выполнена в форме эллипса со скошенными краями, а концентрические электроды встречно-штыревых преобразователей расположены в фокусах эллипса.

На чертеже представлена конструкция УЛЗ на поверхностных волнах.

УЛЗ на поверхностных волнах содержит пьезоэлектрическую подложку 1 с нанесенными на ее поверхность концентрическими электродами встречно-штыревых Входного 2 и выходного 3 преобразователей, соединенных с пассивными подводящими электродами 4, при этом пьезоэлектрическая подложка 1 выполнена