Полупроводниковый прибор Советский патент 1979 года по МПК H01L29/04 

1

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению, в частности к устройствам для выпрямления электрического тока, и может быть использовано при производстве полупроводниковых высоковольтных силовых выпрямителей.

Известны полупроводниковые приборы, используемые для выпрямления переменного электрического тока 1.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является полупроводниковый прибор на основе р-«-структуры 2.

Свойство известных устройств выпрямлять переменный электрический ток обусловлено тем, что сопротивление р-«-структуры сильно меняется при изменении мощности напряжения, прикладываемого к ри л-областям р-«-структуры.

Однако в известных полупроводниковых приборах имеются краевые токи утечки, которые приводят к снижению пробивного напряжения.

Цель изобретения - уменьшение краевых токов утечки и увеличение пробивного напряжения.

Это достигается тем, что в полупроводниковом приборе на основе р-«-структуры по крайней мере одна из областей структуры выполнена на основе варизонного по

площади полупроводника с наибольшей шириной запрещенной зоны по периферии структуры.

Устройство работает следующим образом.

При приложении переменного напряжения к р- и «-областям р-«-структуры происходит выпрямление электрического тока. Уменьщение краевых токов утечки и повышение пробивного напряжения достигается тем, что неосновные носители заряда в варизонной области структуры смещаются встроенным электрическим полем, образованным изменяющейся шириной запрещенной зоны в варизонной области, от периферии р-«-перехода к центральной области р-«-структуры. Следовательно неосновные носители в варизонной области р-«-структуры не участвуют в образовании краевого тока утечки.

Величина напряженности встроенного электрического тока достигает 103 В/см.

Формула изобретения

Полупроводниковый прибор на основе р-«-структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения краевых токов утечки и увеличения пробивного напряжения, по крайней мере одна из областей 3 структуры выполнена на основе варизонного по площади полупроводника с паибольшей шириной запрещенной зоны по периферии структуры. Источники информации,5 принятые во внимание при экспертизе 4 1. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., «Сов. радио, 1969. 2. Ситник Н. М., Шурупов Н. В. Силовые кремниевые вентильные блоки. М., «Энергия, 1973.