Способ определения шумового напряжения в полупроводниках Советский патент 1978 года по МПК G01R31/26 

fOT его таким образом, чтобы отклоиелие от единады соотношений сопротивлений областей полупроводника, находящегося в состояаии до ,и после фазового перехода, обуслоздивалось тдлько изм;енением «х сопро тивлёйий, вызванных, перемещением граней-цы фазового превращения при телловой модуля1ЦИИ, а эначения изменения сопротивлеиич шри модуляции выбирают значительно меньше значения сопротивления одной из Обла-стей полупроводника, т. е.

,„ 1 + ЬК:К„ при 8/ « ,

где 5 - значение изменения сопротивления низкопроводящей области полупроводника при модуляции; Rn и R,n - сопротивление областей до и после фавового превращения соответственно.

Способ -может быть осуществлен, например, следующим образом.

Шумовой генератор и исследуемый источник шума в виде тонкой плен-ки VOz последозательно подключают к входу селективного микровольтметра. Один из электродов, испытуемого образца с помющью нагревательнаго зонда на гревают до 76° С и обеспечивают выполнение условия , т. е. , где 7,- комнатная температура; Тфт.-температур-а фазового перехода диоксида ванадия; и Т - температура :напревательното зонда. Перепад температур АГ Г2-Г1 56°С моделируют с периодом т- 1 -путем изманеиия температуры Гд - нагревательного З01нда. Амплитуду модуляции выбирают равной ±3°С. Для-увеличения точ.ности измерения уровня игумозого напряжения фазового превращения диоксида ванадия перепад температур выбирают равным 7 56±i3°C, нагреватель при Т 7б±3°С р-асполагают на одном из электродов, на1несан1ных иа пленку диоксида ванадия, -и обеспечивают выполнение услоаиД

А - 1 + 1+012

К,п- Rn измерения уровн-я шумового напряжения после указанных операщи-й определяют отклонение по выходному прибору селективного Микровольтметра, которое соответствует шумам фазового превращения. Увеличивают шум шумовото геиератора так, чтобы отклонение прибора микровольтметра удвоилось. Уровень шумового напряжения фазового превращения определяют по индикатору шумового (генератора.

Формула изобретения

Способ определения шумового напряжения в полупроводниках путем приложения напряжения, иалрева полупроводника и измере1Н,ия уров1ня шумового напряжения, о тл и ч .а ю щ и и с я тем, что, € щелью повыщения точности измерений, в полупроводнике создают перепад температур, охватывающий температуру его фазового превращения, и .изменяют величину перепада с периодом, превышающим время тепловой релаксации полупроводника, и амплитудой, обеспечивающей Непрерывное перемещение границы фазового превращения, при этом поддерживают равенство сопротивления двух фаз полупроводника путем подбора величины перепада температур и его расположения на полупроводнике.

Источники информации, принятые во внимание 1при экопертиз-е:

1.Грехов И. В. и др. Микроплазменные явления в кремнии. - «Физика твердого

тела, 1966, т. 8, вып. 1,2, с. 3474.

2.Бан дер Зил А. Флюктуационные явления в полупроводниках, М., «Мир, 1961, с. 36-39.

3.Васильев Г. П. и др. Письма в ЖТФ, 1976, вып. 13, с. 604.