Формирователь тока для магнитного запоминающего устройства Советский патент 1978 года по МПК G11C7/00 G11C7/24 

1

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть применено для возбуждения токов в адресных или координатных обмотках магнитных запоминающих устройств.

Известны формирователи тока для запоминающих устройств. Один из формирователей тока содержит последовательно соединенные импульсный генератор тока, источники напряжения, обмотку куба, между обмоткой куба и одним из источников напряжения включен резистор, точка соединения которого с обмоткой куба соединена через конденсатор с нулевым потенциалом, а через диод - с другим источником напряжения ,1.

Недостатком известного устройства является большая потребляемая мощность и наличие дополнительного оборудования.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является устройство, содержащее источник импульсного тока, подключенный к адресной обмотке магнитного накопителя, концы которой через соответствующие диоды соединены с коллектором форсирующего транзистора и эмиттером транзистора обратной связи, коллекторы транзисторов подключены к источникам напряжения непосредственно и через первичную об.мотку трансформатора, вторичная обмотка которого подключена к базе и эмиттеру форсирующего транзистора 2. Недостатком известного зстройства является наличие дополнительного источника напряжения, более высоковольтного, чем основной, что усложняет устройство и снижает его надежность. Целью изобретения является уменьшение

оборудования и повышение надежности устройства.

Для этого формирователь тока для магнитного запоминающего устройства содержит резистор и конденсатор, одна обкладка

которого подключена к точке соединения одного из диодов и адресной обмотки магнитного накопителя, другая - к точке соединения эмиттера форсирующего транзистора и вывода резистора, другой вывод которого соединен с шиной нулевого потенциала.

На чертеже представлена принципиальная схема устройства.

Устройство содержит форсирующий транзистор 1, дифференцирующий транзистор 2, источник 3 импульсного тока, адресную обмотку 4 магнитного накопителя, первый диод 5, первый источник напряжения 6,

транзистор обратной связи 7, второй диод 8,

второй источник напряжения 9, резистор 10, конденсатор li.

Анод первого днода 5 соедкнен с положительным полюсом первого источника напрял ;ения 6 и коллектором форсирующего транзистора 1, катод - через адресную обмотку 4 с выходом импульсного источника тока 3 и катодом второго диода 8. Эмиттер транзистора обратной связи 7 подключен к аноду диода 8, коллектор через первичную обмотку дифференцирующего трансформатора 2 - к положительному полюсу второго источника напряження 9, а база - к щине нулевого потенциала.

Вторичная обмотка дифференцирующего трансформатора 2 подключена к эмиттеру и базе форсирующего транзистора 1. Одна из обкладок конденсатора И подключена к точке соединения первого диода 5 с адресной обмоткой 4 магнитного накопителя, другая - к эмиттеру форсирующего транзистора 1 и через элемент заряда, резистор 10 - к щине нулевого потенциала.

При включении питания конденсатор 11 заряжается через нервый диод 5 и резистор

10до напряжения источника 6. В момент включения источника 3 импульсного тока в цепи: источник напряжения 6, диод 5, адресная обмотка 4 магнитного накопителя, источник 3 импульсного тока начинает плавно возрастать вследствие индуктивного характера адресной обмотки 4 магнитного накопителя. Напряжение на выходе источника 3 импульсного тока уменьщается в это время настолько, что эмиттерный нереход транзистора 7 обратной связи, выполняющий роль фиксирующего диода, отпирается, и часть выходного тока источника 3 импульсного тока ответвляется через диод 8 в транзистор 7, включенный по схеме с общей баЗОЙ, при этом в коллекторной цепи по первичной обмотке дифференцирующего трансформатора 2 протекает импульс тока, что вызывает отпирание форсирующего транзистора 1. При отпирании транзистора потенциал на обкладке конденсатора 11, подключенной к эмиттеру форсирующего транзистора 1, становится равным напряжению источника 6, а на обкладке, подключенной

к адресной обмотке 4 магнитного накопителя, - сумме напряжений на конденсаторе

11и источнике 6. Диод 6 при этом запирается, и ток начинает течь по цепи; источник 6 напряжения, форсирующий транзистор 1, конденсатор И, адресная обмотка 4 магнитнего накопителя, источник 3 импульсного тока, который в данный момент времени находится в насыщении и работает как генератор напряжения. Конденсатор И в это время частично разряжается. Так как к адресной обмотке 4 магнитного накопителя в данный момент времени приложено новыщенное напряжение, нарастание тока в ней нроисходит форсированно. При достил ении тока Б адресной обмотке 4 магнитного накопителя номинального значения, задаваемого источником 3 импульсного тока, потенциал на его выходе повыщается, и ток через эмиттерный переход транзистора обратной связи 7 прекращается. Транзистор запирается, при этом во вторичной обмотке дифференцирующего трансформатора 2 появляется отрицательный бросок тока, быстро запирающий форсирующий транзистор 1. Потенциал на обкладке конденсатора 11 понижается, отпирается диод 5 и ток течет по первоначальной цени. Конденсатор И через диод 5 и резистор 10 вновь подзаряжается до напряжения источника 6. Верщина импульса тока Б адресной обмотке 4 магнитного накопителя получается плоской, так как при выходе источника 3 импульсного тока из насыщения стабилизируется ток в нагрузке, т. е. в адресной обмотке 4 магнитного накопителя.

Таким образом, форсирующий транзистор 1 находится во включенном состоянии только на период формирования переднего фронта импульса тока. В этот момент времени протекает дополнительно ток через резистор 10, поэтому его параметры выбираются таким образом, чтобы этот ток был незначителен, но конденсатор 11 успевал бы полностью заряжаться до поступления следующего импульса тока.

Вместо резистора 10 может быть применен, нанример, корректор (стабилизатор тока) или электронный ключ, размываемый на то время, когда включен форсирующий транзистор 1.

Емкость конденсатора 11 выбирается достаточно больщой, чтобы он разряжался незначительно за время одного цикла работы устройства.

Второй вывод конденсатора 11 через элемент заряда 10 может быть подключен не только к щине нулевого потенциала, но и к другому источнику напряжения, имеющемуся в запоминающем устройстве, при этом напряжение, до которого будет заряжаться конденсатор 11, станет отличным от напряжения источника 6.

Диод 8 служит для защиты перехода эмиттер - база транзистора 7 от выброса напряжения на выходе источника 3 импульсного тока в момент выключения тока и уменьщения паразитной емкости, подключенной к выходу источника.

В качестве второго источника напряжения 9 может быть применен основной низковольтный источник питания логических элементов, имеющийся в любом запоминающем устройстве.

Формула изобретения

Формирователь тока для магнитного запоминающего устройства, содержащий источник импульсного тока, подключенный к адресной обмотке магнитного накопителя, концы которой через соответствующие дноДы соединены с коллектором форсирующего транзистора и эмиттером транзистора обратной связи, коллекторы транзисторов подключены к источникам напряжения непосредственно и через первичную обмотку трансформатора, вторичная обмотка которого подключена к базе и эмиттеру форсирующего транзистора, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и повышения надежности формирователя, он содержит резистор и конденсатор, одна обкладка которого подключена к точке соединения одного из диодов и адресной обмотки магнитного накопителя.

другая - к точке соединения эмиттера форсирующего транзистора и вывода резистора, другой вывод которого подключен к щине нулевого потенциала и источнику импульсного тока.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР № 262964, кл. G ПС 11/02, 18.09.68.

2.С. Е. Поздняков. «Особенности формирования импульсов тока в магнитных запоминающих устройствах большой емкости. Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1971, вып. 5, стр. 115, рис. 16, в, г.