Передающая трубка с фото активным запирающим слоем на полупроводнике Советский патент 1945 года по МПК H01J31/28 

Фотоэлементы с запирающим слоем, использующие внутренний фотоэффект в полупроводниках, обладают, по сравнению с фотоэлементами с внещним фотоэффектом, преимуществами в отнощенип большей чувствительности и в oTiiOiueНИ1И. протяжённости опектральной характеристики в область длинных волн света. Попытки их применения в передающих трубках с накоплением заряда, типа иконоскопа, не привели однако до сих пор к положительным результатам.

Анализ работы такой передающей трубки, в которой обьЕкновенная мозаща с внешни м фотоэффектом заменена мозаикой из фотоэлементов с запирающим слоем, показывает,, что ocHOBHibiiM затруднением для работы трубки является трудность снятия ,с такой мозаими заряда посредством катодного пучка. Это происходит вследствие того, что потенциалы, образующиеся на этой м,озаике, ввиду большой её ёмкости порядка 25 000 jj F на 1 см, будут гораздо меньше, чем :в случае обычной мозаики с внешним фотоэффектом, где эта ёмкость бывает обычно порядка 100 на 1 см.

Таким образом, хотя заряд на

элементах мозаики с запирающим слоем и может быть больще, чем на мозаике с внешним фотоэффектом, но разрядить этот заряд тюсредством электровного пучка, обладающего большим сопротивлением, будет невозможно, так как потенциалы на мозаике будут в сотни раз меньше; уменьшить же сопротивление пучка в сотви раз невозможно по ряду обстО;ятельств, среди которых важнейшим является увеличение паразитного сигнала от самого пучка, так называемого блекспота.

Настоящим изобретением предлагается следующий способ осуществлени$ передающей трубки с запирающим слоем, в которой разрял накопленного заряда был бы возможен, несмотря на малые потенциалы.

На нанесенный на металлическую подложку .полупроводник, обладающий внутренним фотоэффектом, наносится мозаика, обладающая внешним фотоэффектом.

Одновременно с .передаваемым изображением на полупроводник и мозаику проектируется бегающее световое пятно, разлагающее изображение. При этом спектральные

Ф«™-следующие выводы. Изображевие

TOatb It УПРО однйке и спек-передаваемого объекта, проектиру отоэТ1к внешнегоясь на полупроводник, вырывает из

оальн ь1 0 полупроводника

поябнпя п. ветового пятнаэлектроны, которые, пройдя из его

nDoeKTHnv.Mn . Р° образующийся на

вает Г пГизображение вызы-внещней поверхности полупроводеиэфЛект в ТГ фото-ка, так называемый, запирающий

вое полупроводнике, а свете-слой, зарядит лежащую на этой поBHpRiHwu А основномверхности мозаику отрицательиым

В . ° и« -зарядом. Этот отрицательный заряд

кол™Т/ ™Длож«и инесколько снизится, благодаря LiMooaS u Pf о-чоженнрго противрыванию фотоэлектронов из мозаитпон собирающего фотоэлек-ки от мешнего фотоэффекта. Но

вклтцярт. мозаики,если спектральные характеристики

усиштр. сопротивлениевнутреннего фотоэффекта в поПои епня. ™ -лупроводнике и внешнего фотоTDv6KVr,nln передающейэффекта в мозаике шдобраны таKOTonL I / чертеже, наким образом, что чувствительность

wS изображена трубка, заклю-полупроводника к свету изображепйлстяр ° .- Электрод 2ния объектива была гораздо больяол п; ° металлическуюше, чем чувстаительность мозаики

полупмвояни.. этому свету, то. сни-жение отритоэГ ктп внутренним фо-дательного заряда мозаики будет

яикя нянаГ полуоровод-незначительным, и свет изображения

|ото4ф ектом °4 . « Р«ОД сташГяе 5 пред- кадра развёртки изображения отталличРгк- й ™- УПРозрачный ме-дельные элементы мозаики соответлектооо,м ..Т У ЗЩий кол-ственно освещённости отдельных

фотоэлектронов. Наэлементов изображения.

PvS мозаику проекти-Световое пятно, перемещающееся

п1пЛ; повременно изображениепо поверхности мозамки и прочер2 и й (через объ-чивающее всю её поверхность по

и з Ркз-то 7)зигзагообразной линии за период

экпян;. Ф Р УоЩегоодного кадра, по истечении одного

DOM ля «3 J OTo-периода попадёт на элемент мозаявуюш ГпГ ™ Ф- юоресци-ки, заряженный отрицательно до

рующее пятно через объектив 9 исоответствующего потенциала - ь™ изображения, и будет вырь1

лектрода и коллектора 5 аклю-вать из мозаики фотоэлектроны

™. сопротивление R уси-которые будут направляться наколй гяТ 10- Источникомлектор, повышая таким образом поиегающего светового пятна можеттенциал мозаиик. Это повышение

оьггь и не катодная трубка с флюо-потенциала, обусловленное внешним

ресцирующим экраном, а какое-фотоэффектом, будет в некоторой

нибудь механическое устройство сстепени компенсироваться благодасоответствуюпдим осветителем, на-ря внутреннему фотоэффекту в

пример, диск Нипкова к т. д. Вме-полупроводнике. Эта компенсация

сто полупрозрачного зеркала, прибудет невначительйой, если спеккотором неизбежны некоторые псьтральный состав светснвого пятна

1ери света, можно применять ка-так подобран, что внешний фотоэфкую-нибудь другую более эффек-фект для него гораздо меньше чем

тивную оптическую схему одновре-внутренний фотоэффект Сила элекменного проектирсйания изображе-тронного тока, вызываемого светония объектива и светового пятна.вым пятном, должна быть достаАнализируя работу описанной пе-точной для того, чтобы за время

редеющей трубки, можно сделатьпрохождения этого светового пятна

VLHMO элемента мозаики потенциал этого элемента повысился до насыщения, т. е. до такого потенциала, при котором электро-ны перестали -бы .попадать -на коллектор. Этот потенциал будет примерно равен величине средней начальной скорости, с которой фотоэлектроны вырываются из мозаики, т. е. порядка одного вольта.

Отсутствие электронного пучка даёт возможность поместить коллектор в непосредственной близости от мозаики параллельно ей. Это обеспечивает даже при тех малых отрицательных потенциалах, которые образуются на мозаике при освещении её светом изображения, достаточно большие элктрические поля, направляющие электроны на коллектор. Близкое расположение коллектора параллельно мозаике обеспечивает также равномерность электрического поля и, следовательно, отсутствие паразитного сигнала -

блекспота, что позволяет увеличить мощность светового пятна до величины, достаточной для полного разряда мозаики.

Предмет изобретения

Передающая трубка с фотоактивным запирающим слоем на полупроводнике и с применением оптической коммутации для разложения изображения, отличающаяся тем, что на полупроводник нанесена фатокатодная мозаика, нечувствительная к спектральному составу света передаваемого изображения и чувствительная к спектру света бегущего светового луча, осуществляющего разложение изображения, а над мозаикой расположен полупрозрачный коллектор электронов и между этим коллектором и подложкой полупроводника Включено сопротивление, служащее для снятия сигнала изображения.