| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| МНОГОКАСКАДНЫЙ ЛАВИННЫЙ ФОТОДЕТЕКТОР | 2008 |
|
RU2386192C1 |
| ФОТОДЕТЕКТОР ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2023 |
|
RU2806342C1 |
| ДВУХЦВЕТНЫЙ ФОТОПРИЕМНИК С ЭЛЕКТРОННЫМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ ДИАПАЗОНОВ | 1991 |
|
SU1823722A1 |
| ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 2023 |
|
RU2805290C1 |
| ФОТОДИОДНЫЙ ПРИЕМНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2006 |
|
RU2310949C1 |
| ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 2015 |
|
RU2605839C2 |
| ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК С ГРАДИЕНТНЫМ ПРОФИЛЕМ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2010 |
|
RU2432640C1 |
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2001 |
|
RU2261501C2 |
| Способ определения параметров варизонного полупроводника | 1980 |
|
SU1056315A1 |
| ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ | 2001 |
|
RU2238571C2 |
1. Светодиод со сплошным электро- и теплоотводящим контактом со стороны, противоположной световыводящей поверхности, на основе p-n-гетероструктуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, между сплошным контактом и p-n-переходом он содержит слой полупроводника с градиентом концентрации примеси у контакта, препятствующим растеканию неосновных носителей, с, по крайней мере, одним участком с увеличивающейся к p-n-переходу шириной запрещенной зоны толщиной, большей обратной величины коэффициента поглощения для излучения светодиода и не превышающей нескольких диффузионных длин неосновных носителей.
2. Светодиод по п.1, отличающийся тем, что слой полупроводника имеет концентрацию легирующих примесей, определяющих тип его проводимости, уменьшающуюся в направлении от сплошного контакта таким образом, что образующееся за счет этого электрическое поле превосходит поле, обусловленное увеличением ширины запрещенной зоны.
3. Светодиод по п.1, отличающийся тем, что слой полупроводника у контакта имеет градиент концентрации примеси, определяющей ширину запрещенной зоны, противоположный градиенту этой примеси на указанном участке.
4. Светодиод по пп.1 и 2, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины спектра излучения светодиода, слой полупроводника имеет концентрацию основных легирующих примесей, уменьшающуюся от узкозонного конца упомянутого участка до p-n-перехода, находящегося в пределах этого участка.
5. Светодиод по пп.1 и 2, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины спектра излучения светодиода, упомянутый участок имеет концентрацию основных легирующих примесей, уменьшающуюся от узкозонного конца упомянутого участка до широкозонного конца этого участка, а p-n-переход находится за пределами этого участка.
6. Светодиод по п.3, отличающийся тем, что он выполнен на основе твердого раствора арсенида галлия и слой полупроводника у контакта имеет градиент концентрации алюминия.
