Сверхвысокочастотный транзисторный усилитель Советский патент 1979 года по МПК H03F3/60 

Входной сигнал поступает на базу транзистора 2 через конденсатор 8 и отрезок 1 микрополосковой линии с согласующим разомкнутым шлейфом 4, обес« печивающим согласование по мощности во входной цепи. Питание базы осутцест вляется 4ерез четвертьволновой отрезок 1О микрополосковой линии, который замк нут на конце на высокой частоте конденсатором 11 так, что вход транзистора 2 оказьюаетря полностью развязанным от цепи питания базового делителя на резис торах 12 и 13. Отрезок 14 микрополос-. ковой линии с короткозамкнутым шлейфом 9 в коллер:торной t цепи обеспечивают сог- пасование между каскадами или выходной нагрузкой. Резистор 15 в цепи эмиттера отпределяет напряжение между коллектором и эмиттером транзистора 2 в статическом режиме.

Вывод эмиттера транзистора 2 присоедИ няется к одному из 2-х связанных отрезков 7 микрополосковой линии передачи, за мкну-« того на конре с помощью конденсатора 3. Другой отрезок 6 спомощью разделитель« ного конденсатора 5 через, разомкнутый Шлейф 4 и отрезок 1 микрополосковой линии передачи связан с базой транзисто ра 2.

При такой схеме включения емкость между двумя связанными отрезками 6, 7 будет выполнять функцию емкости (С) связи, определяющей степень внешней обратной связи между эмиттером и базой тран.зистора 2 при условии, что величина емкости связи много меньше емкости раз делительного конденсатора 5. Обеспечение равномерной амплитудно-частртной характеристики усилителя во всем диапазоне достигается подбором величины С связи, определяемой расстоянием, между связанными отрезками 6, 7 и обеспечивающей требуемое изменение модуля коэффициента передачи в цепи обратной связи с подбором места включения разделительного конденса,тора 5, при котором обеспечивается необходимая фаза коэффициента передачи в цепи обратной связи и значит, обеспечивается положительный характер указанной обратной связи.

Ф ор м у л а изобретения

Сверхвысокочастотный транзисторный усилитель, содержащий отрезок микропопосковой линии передачи, подключенный

к базе транзистора, и конденсатор, включеннй Й в эмиттерную цепь транзистора, о т л. и ч а ю ГЦ и и с я . тем, что, с целью увеличения верхней частоты рабочего диапазона, в него Дополнительно

введены разомкнутый шлейф, разделительный конденсатор и два связанных боковой связью отрезка микрополосковой линии передачи, причем один из упомянутых связанных, отрезков В а1ючен между эмиттером и конденсатором, а второй соединен через разделительный конденсатор с разомкнутым шлейфом, который соединен с отрезком микрополосковой линии передачи, подключенным к базе транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 316177, кл. Н ОЗ F 3/6О, 1961.

©-HI

. и .