Способ выборочного стирания сигнала в бистабильной запоминающей электнонно-лучевой трубке Советский патент 1979 года по МПК H04N3/16 

I

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в устройствах отображения информации.

Известен способ выбооочного. стирания Сигнала в бистабильной запоминающей электроннолучевой трубке с ВИДИ1ЛЫМ изображением путем облучения всей поверхности мишени расфокусированным воспроизводящим пучком электронов 1.

Однако в известном способе низкая точность выборочного стирания сигнала.

Цель изобретения - повышение точности выборочного стирания сигнала.

Для этого в способе выборочного стирания сигнала в бистабнльной запомииаюш,ей электроннолучевой трубке с видимым изображением путем облучения всей поверхности мишени расфокусированным воспроизводящим пучком электронов, часть расфокусироваиного воспроизводящего пучка электронов фокусируют в выбранном участке мищени до пяти-десяти кратного увеличения плотности тока пучка по сравнению с его средней плотностью и подают на мишень.отрицательный импульс с амплитудой, равной раб очему напряжению на коллекторе, длительностью, равной 5-50 мсек, и соотношением

между длительностями .переднего и заднего фронтов отрицательного импульса не менее 1:10.

На фиг. 1 представлено схематическое изображение устройства, реализующего предложечный способ; на фиг. 2 приведена кривая зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии eS от энергии электронного пучка воспроизводящего прожектора.

Сущность способа выборочного утирания сигнала в бистабильиой запоминаю1цей электроннолучевой трубке с видимым изображением заключается в следующем.

Всю поверхность мишени облучают расфокусированным воспроизводящим пучком электронов, фокусируют на участке мишени, на котором производится выборочное стирание, часть расфокусированного воспроизводящего пучка электронов фокусируют в выбранном участке мишени до пяти-десяти кратного увеличения плотности тока пучка по сравнению с его средней плотностью и подают на мишень или коллектор отрицательный импульс с амплитудой, равной рабочему напряжению на коллекторе, длительностью, равной 5-50 мсек, и соотношением между

длительностями переднего и заднего фронтов отрйцатель)юго импульса не менее 1:10.

Устройство, реализующее предложенный способ, содержит бистабильную запоминающую электроннолучевую трубку 1 с отклоняюпхей системой 2 и внешнее фокусирующее устройство 3.

Бистабильная запоминающая электроннолучевая трубка 1 содержит стеклооболочку 4 мишень 5 с диэлектрической поверхностью б записывающий прожектор 7, воспроизводящий прожектор 8, экран 9, коллектор 10 и линзу коллимации 11.

Кроме того, на фиг. 1 показаны участок 12 мишени 5, на котором происходит выборочное стирание сигнала, расфокусированный воспроизводящий пучок электронов 13, формируемый воспроизводящим прожектором 8, и записывающий пучок электронов 14.

Вся диэлектрическая поверхность 6 мищени 5 облучается расфокусированным воспроизводящим пучком электронов 13, и с помощью записывающего пучка электронов 14 создается на мишени 5 положительный потенциальный рельеф, соответствующий закону отклонения записывающего пучка электро нов 14 по диэлектрической поверхности б мишени 5. Выборочное стирание информации производится путем фокусировки части расфокусированного воспроизводящего пучка электронов 13 с помощью внещнего фокусирующего устройства 3, установленнего перед экраном 9 напротив участка 12 мищени5, на котором необходимо произвести сти-, рание информации. Затем часть расфокусированного воспроизводящего пучка электронов 13 фокусируется до пяти-десяти кратного увеличения плотности тока в плоскости м.итени 5 по сравнению со средней плотностью воспроизводящего пучка 13, облучающего всю поверхность мишени 5.

Значительное увеличение плотности воспроизводящего пучка 13 на участке 12 мишени 5, на котором необходимо стереть информацию, связано с тем, что время, необходимое для стирания записанного положительного рельефа воспроизводящим потоком электронов при энергии, соответствующей потенциалу, меньшему Uupi (фиг. 2), обратно пропорционально плотности тока воспроизводящего пучка. Поэтому фокусировка части воспроизводящего пучка 13, а следовательно, значительное увеличение плотности тока электронов воспроизводящего прожектора 8 на участке 12 мишени 5, необходимо для того, чтобы для стирания информации -на участке 12 мишени 5 потребовалось время, в несколько раз меньшее, чем для стирания информации на остальней поверхности мишени 5. Затем на мишень 5 {или коллектор 10) подается короткий (5-50 мсек) отрицательный импульс с амплитудой, равной рабочему напряжению коллектора 10 с крутым передним и пологим задним фронтами.

Использование такого импульса обуславливается тем, что амплитуда импульса по абсолютной величине должна быть заведомо больше первого критического потенциала с учетом его разброса + AVtipi (фиг. 2) по диэлектрической поверхности 6 мишени 5. Поскольку рабочее напряжение коллектора 10 равно ., то учитывая разброс по диэлектрической поверхности 6 мишени 5, амплитуду импульса стирания целесообразно устанавливать равной рабочемунапряжению коллектора. Задний фронт сти-f рающего импульса должен быть пологим; В противном случае, за счет емкостной связи мишень-коллектор по окончании стирающего импульса с крутым задним фронтом произойдет перезаряд диэлектрической поверхности 6 мищени 5 до потенциала коллектора 10.

Если передний фронт импульса составляет более 10% от заднего, то трудно установить такую минимальную длительность км пульса, при которой произойдет стирание информации. Этим и обуславливается применение импульса с крутым передним фронтом.

Воспроизводящий поток-электронов нач№ нает стирать информацию при условии, если положительный потенциальный рельеф, приблизительно равный потенциалу коллектора 10 и в. соответствующий записанной информации, будет смещен за счет емкостей связи мишень 5 - диэлектрическая поверхность б с помощью отрицательного импульса, подаваемого на мишень 5 к потенциалу катода воспроизводящего прожектора 8. Стирание информации возможно и при условии подачи этого же отрицательного импульса на коллектор 10.

При осуществлении указанной последовательности действий и применении короткого (5-50-мсек) импульса записанный потенциальный рельеф на выбранном участке J2 мищени 5 будет снижен ,а на всей остальной диэлектрической поверхности 6 мишени 5 до 1н 1/пр« (фиг. 2) По окончании действия импульса воспроизводящий пучок электронов 13. доведет потенциал UH на выбранном участке 12 мишени 5 до нулевого значения, а потенциал диэлектрической поверхности б мишени 5, на которой необходимо сохраиить ранее, записанную информацию, восстановит до потенциала коллектора 10 и(фиг. 2). В резульуате будет произведено выборочное стирание информации.

Таким образом, предложенный способ позволяет контролировать точность установки воспроизводящего пучка электронов на заданномучастке мишени и качества последовательного стирания записанной на мишени информации в виде отдельных «цифр, знаков, графиков и одновременнб наблюдать информацию, которая не подлежит выборочному стиранию.

Формула изобретения

Способ выборочного стирания сигнала в бистабильной запоминающей электроннолучевой трубке с видимым изображением путем облучения всей поверхности мишени расф(кусированным воспроизводящим пучком электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности выборочного стирания, часть расфокусированного воспроизводящего пучка электронов фокусируют в выбранном участке мишени до пяти-десяти

кратного увеличения плотности тока пучка по сравнению с его средней плотностью и подают на мищень отрицательный импульс с амплитудой, равной рабочему напряжению на коллекторе, длительностью, равной 5- 50 миллисекунд, и соотношением между длительностями переднего и заднего фронтов отрицательного импульса не менее 1:10.

Источники информации, принятые so внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

r 568982, кл. Н 01 J 31/08, 1973.

rir

ftfj.Z