Способ изготовления фотоэлектронного прибора Советский патент 1979 года по МПК H01J9/12 

1

Изобретение относится к электронной технике, а точнее к способу изготовления фотоэлектронного умножителя, содержащего фотокатод и вторично-электронные эмиттеры.

Известен способ изготовления фотоэлектронного прибора, включающий получение в его объеме бищелочного фотокатода 1.

При этом, если один из эмиттеров в приборе изготовлен на основе полупроводникового соединения, невозможно получить одновременно как высокую чувствительность фотокатода, так и больгной коэффициент вторичной электронной эмиссии.

Известен также способ изготовления фотоэлектронного прибора, содержащего сурьмяно-щелочной фотокатод и вторично-электронные эмиттеры, из которых один, по крайней мере, выполнен из алмазноподобных полупроводников, например соединений типа А В включающий предварительную и дополнительную термические очистки поверхности полупроводника и активирование фотокатода и эмиттера путем нанесения поверхностного покрытия из щелочного металла 2.

Недостатком этого способа является сложность технологии и относительно невысокие значения чувствительности фотокатода и коэффициента вторичной электронной эмиссии полупроводникового эмиттера.

Целью изобретения является упрощение технологии и увеличение чувствительности фотокатода и коэффициента вторичной электронной эмиссии полупроводникового эмиттера.

Это достигается тем, что перед предварительной очисткой поверхности полупроводника прибор в период его обезгаживания обрабатывают в парах цезия, введенного в объем при комнатной температуре, до появления на оболочке прибора видимого слоя металла, а дополнительную термическую очистку эмиттера проводят после обработки фотокатода хотя бы одним щелочным металлом.

Известный способ изготовления фотоэлектронного умножителя включает первоначальное обезгаживание прибора и активировку сплавных динодов умножительной системы.

Затем проводят формирование фотокатода и динода, например, из GaP. С этой целью вначале проводят термическую очистку динода, а затем формируют фотокатод. Для этого напыляют слой сурьмы на катодное стекло, который обрабать Е ают в парах, например, калмя. ес.П формируют бищелочный фотокатод, а затем цезируют. В процессе формирования фотокатода одновременно осуществляк/г первую стадию активировки динода в парах щелочных металлов. Вторую стадию активирования проводят после ПОВТО11НОЙ термической очистки дииода. Предлагаемый способ в сравнеиии с изнест пым способом изготовления фотоэлектронного умножителя дает возможность упростить и сократить технологический цикл с одновременными улуч1иением иараметров приборов. Если известный способ обеспечивает совместимость условий активирования вторичного электронного эмиттера из GaP и фотокатода путем поочередного их формирования, то поедлагае.мый способ, при котором проводится одновременное активирование цезием фотокатода и эмиттера в ОДНУ стадию, упрощает технологический процесс и сокращает время его ироведения. При этом отпадает необходимость вести контроль за процессом цезирования GaP, а контролируется только (j)OTOTOK фотокатода, так как то количество цезия, которое необходимо для достижения отрицательного цезия, которое необходимо для доетижения отрицательного электронного сродства на GaP, достаточно для получения максиму.ма чувствительности фотокатода. Сиособ изготовления позволяет иолучить приборы с коэффициентом усиления первого динода из GaP более 40 при напряжении па нем 600 В относительно фотокатода, чувствительность фотокатода до

669426 /О мкА/л.м и с темновыми токами .меньще ири анодной чувствительности 100 .Л;л. Формула изобретения Способ изготовления фотоэлектронного прибора, содержаniero сурьмяио-щелочной фотокатод и вторично-электронные эмиттеры, один из которых,по крайней мере, выиолнен из алмазноиодобных полупроводников, например, соединений тииа А и В, включаюп;ий предварительную и дополнительную термические очистки поверхности полупроводника и активирование фотокатода и эмиттера путем нанееения иоверхцостного иокрытия из щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью упрощения техиологии и увеличения чувствительности фотокатода и коэффициента вторичной электронной эмиссии иолупроводникового эмиттера, перед предварительной очисткой поверхности полупроводника прибор в период его обезгаживания обрабатывает в парах цезия, введенного в объем при комнатной температуре, до появления на оболочке прибора видимого слоя металла, дополнительную термическую очистку эмиттера ироводят после обработки фотокатода хотя бы одним щелочным металлом. Источники информации, иринятые во внимание при экспертизе I. Патент Японии № 251179, кл. 99 D 13 10.07.72. 2. Научио-тсхнический отчет Разработка ФЭУ типа «Квантовон с использ оваиием эмиттеров на основе материалов А В Объединение «Электрон, 1976.