Криостат Советский патент 1979 года по МПК H01L39/02 

1

Изобретение ОТНОСРГГСЯ к .электроте.хнике и может быть иепользовано при конструировании сверхнроводяпш.х магнитны.х систем.

Известен криостат, в корпусе которого раз.мещена магпитпая система, экран из сверхпроводящего материала, гелиевая емкость и тепловой экран 1.

Недостатком конструкции такого криостата является то, что экрап из сверхпроводящего материала для умепьп1ения впешпих полей, создавае.мых магнитной системой, размещен внутри гелиевой емкости. Это увеличивает объем гелиевой емкости и снижает надежность, так как в случае перехода магнитной системы из сверхпроводящего в нормальное состояние выделяется тепловая энергия испаряется болыпое количество жидкого гелия и повьппается давленпе в криостате, которое может привести к аварии.

Цель изобретения - сокрапьение объема гелиевой емкости и иов|)1Н1ение надежности криостата.

Это достигается тем, что экран из сверхпроводящего материала размещен между тепловым экраном и гелиевой емкостью и соединен с последпей тепловы.мп мостами.

ЯВЛЯЮЩИМИСЯ одповременпо и :i, KJKM ления экрана из сверхи 1онодя1ие1() магори; ла.

На чертеже изображен криосгаг. niioдольный разрез. В криостате экран I пз сверх прово.1яп1е го материа.ча И()меп1ае1ся вне ге,1иевой емкости 2, а именно в вакуумном прострапстве 3 между гелиево емкостью и тепловым экраном 4. Охлаждение экрана пз сверхпроводящего материала осуществляется от основной гелиевой емкости 2 по тепловым мостам 5, которые выполняют также функцию опор, крепящих экран.

Процесс экра1Ц1рован11я осуществляется следующим образом. В захоложепном состоянии маппггпая система 6 и экран являются сверхпроводящими. При подаче тока в обмотку магнитнсм систем1 1 возрастаклцее Maiiiirrnoc иоле рассеяния наводит в 7К)апах токи, которые K();ik-iicii nK)T но. рассеяния li не iponycKaioT их за iipe.ie.iiii экрана, т. е. в нерабочее прострапство магнитной системы.

В нред.пожсиной конструкцпп криостата гелиевая емкость имеет значительно мепьцщй объем по сравнению с обычным размешепнем основных н :(краиирую1ин оомоток. Вакуумное же простр шство крност гга уиелнчнвается, что обеспечивает Oo.iee длительное сохранение вакуума, т. е. ..гучшей тенлоизоляции, при одном и том же натеканин |-аза а вакуум для сравниваемых конструкций. Жесткость конструкции гелиевого сосуда увеличивается за счет тепловых мостов и экранов из листового сверхнроводяше|-о материала, которые образуют коробчатую конструкцию BOKpyi гел1 евого сосуда. В целом эти меронриятия новышают надежность криостата.

..г.у, Формула изобретения

J. v)i КриЬстат, в корпусе которого размещена

,,1щц-нит.иая- система, экран из сверхнроводя:ш

.4

л„ .

щего материа,1а, гелиевая ) и тепловой экран, отличающийся тем, что. с 1л;1ьк) сокращения обьсма ге.шевой емкосги и повышения надежности криостата. экран из сверхнроводя Hiero материа,)1а размещен между тепловым экраном и гелиевой емкостью и соединен с иоследней тепловыми мостами, яв,1яющцмися одновре.ме1ик) и узлами крепления экрана из сверхнровг)дяи1его материала.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Сверхпроводящие машины и ycTpoiicTва Под ред. С. Фопера и Б. Шварца. .Иир, М., 1977, етр. 298.