Устройство для оптической обработки информации Советский патент 1979 года по МПК G06K7/00 

Horo ПОЛЯ, магнитосвязанныи с магнитным кристаллом.

Магнитный кристалл выяолнен в виде монокристалла, имеющего несколько осей легкого намагничивания, расположенных в одной плоскости.

На чертеже изображена принциииальная схема устройства для оптической обработки информации.

Предложенное устройство содержит основной источник 1 света, модулятор 2 света, объектив 3, слой фоторезистора 4 с системой электродов 5, магнитный кристалл 6, имеющий несколько осей легкого намагничивания, лежащих в плоскости кристалла, генератор 7 магнитных доменов, доменопродвигающие аппликации 8, источник 9 постоянного магнитного поля, дополнительный источник 10 света, блок 11 фотоприемников и источник 12 переменного магнитного поля.

Генератор 7 магнитных доменов и доменопродвигающие аппликации 8 расположены на поверхности магнитного кристалла и выполнены из прозрачных проводников. Способ .напесения их на поверхность кристалла зависит от технологических возможностей изготовления устройства.

Устройство для оптической обработки информации работает следующим образом.

Свет от источника 1, промодулированный модулятором 2, проецируется через объектив 3 на слой фоторезисторов 4, подключенный к источнику 9.через систему электродов 5. Вследствие неоднородности засветки через слой фоторезистора протекают разные по величине токи, создающие в плоскости кристалла неоднородное магнитное поле. Энергия магнитных доменов в этом поле имеет минимум (потенциальные ямы) вдоль линии тока. Магнитные домены, генерируемые генератором 7, вблизи линий максимальной плотности тока иЛи линий максимального градиента токов, где градиент магнитного поля достаточен для преодоления коэрцитивной силы, скатываются в потенциальные ямы и занимают устойчивые Положения, выстраиваясь вдоль этих линий.

Свойства магнитных кристаллов, имеющих несколько осей легкого намагничивания, лежащих в плоскости, кристала, позволяют генерировать магнитные домены различной формы: цилиндрические, кольцевые и полосовые. При изменении характера освещенности слоя фоторезистора с помощью модулятора 2 света изменяются глубина и конфигурация потенциальных ям и магнитные домены, захваченные ямами-ловушками домёнопродвигающих аппликаций 8, перемещаются ло плоскости магнитного кристалла 6 под действием переменного магнитного ноля, создаваемого источником 12, заполняя потенциальньте ямы от слоя фоторезистора. Регулируя модулятором 2 света глубину и ширину потенциальной ямы в каком-либо месте кристалла, можно выборочно остановить домен или группу доменов, осуществляя такнм образом управление магнитными доменами по произвольной программе. Картину токов можно менять, изменяя конфигурацию системы электродов, подключаемых попарно независимо к источнику 9, либо оомещая

один электрод в центре слоя фоторезистора, а вторым охватывая слой по периметру, либо временной модуляцией напряжения, подаваемого на систему электродов. Таким способом может быть сформирована структура магнитных доменов, которая для падающего поляризованного монохроматического света от дотголнительного источника 10 представляет зонную пластипку Френеля, осуществляющую концентрацию света в плоскости блока И фотоприемников в точку, линию или кольцевое изображение. Перестраивая доменную структуру источником постоянного магнитного поля, можно изменять фокусное расстояние

зонной пластинки Френеля. Перестройку доменной структуры, а вместе с ней и фокусного расстояния можно осуществить также путем изменения масщтаба конфигурации потенциальных ям с помощью объектива 3, так как магнитные домены, захваченные ямами-ловушками, перемещаются вместе с ними по плоскости кристалла. Характеристические размеры неоднородностей управляющего магнитного поля в

предложенном устройстве ограничены снизу лищь длиной волны света источника 1, следовательно, эту же границу имеют и минимальные размеры единицы информации, что -позволяет существенно повысить плотность записи информации, особенно при использовании магнитных кристаллов, имеющих несколько осей легкого намагничивания лежащих в плоскости кристаллов. Сравнительные испытания данного устройства для оптической обработки информации с известными показали, что оно позволяет повысить в 1,8-2,2 раза точность обработки оптической информации, а также получить заправляемую магнитооптическую концентрацию световой энергии. Это значительно расширяет область применения устройства.

Формула изобретения

1. Устройство для оптической обработки информации, содержащее магнитный кристалл, на одной стороне которого расположен слой фоторезистора с электродами, подключенными к источнику постоянного

магнитного поля, и расположенные с той же стороны кристалла и оптически связанные с ним основной источник света, модулятор света и объектив, отличающеес я тем, что, с целью повыщения точности

устройства, оно содержит на другой стороне магнитного кристалла генератор магнитных доменов и доменопродвигающие аппликации, дополнительный источник света и блок фотоприемников, расположенные с другой стороны магнитного кристалла и оптически связанные с ним, и источник переменного магнитного поля, магнитосвязанный с магнитным кристаллом.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что магнитный кристалл выполнен в

виде монокристалла, имеющего несколько осей легкого намагничивания, расположенных в одной плоскости.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Доменные и магнитооптические запоминающие устройства. М., «Наука, 1977, с. 209.

2.Авторское свидетельство СССР № 372579, кл. G 11 С 11/16, 1973.

У///////////////7/7/ а