Тансформаторный электромагнитноакустический преобразователь Советский патент 1979 года по МПК G01N29/04 

потенциал; Толщину слоя d выбирают из соотношения (Г , Enf. где Uj;(j - амплитуда напряжения зондирующего импульса; Епр, - пробивное напряжение для данного материала изоляции. Указанное соотношение выполняется для всей первичной обмотки, поскольку с уменьшением о вдоль оси уменьшается и Ц,и t пересчитанное к данному участку, В предлагаемом преобразователе средняя ёепичина зазора между первичной и вторичной обмотками уменьшается, коэффициент связи между ними увеличивается и уровень получаемых сигналов возрастае 6 ОЗ Ф о р м у л а изобретения Трансформаторный электромагнитно- акустический преобразователь, содержаШий разделенные между собой слоем изо ляции первичную и вторичную обмотки, последняя из которых вьшолнена в виде витка, отличающийся тем, что, с целью првьпиения чувствительности преобразователя, толщина слоя изоляции выполнена переменной таким образом, что она минимальна у низкопотенциального конца первичной обмотки, а максимальна у ее высокопотенциального конца. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе , 1. Авторское свидетельство СССР №456574, кл. G01N.29/O4; 1976,