Матричный накопитель для электроннооптических запоминающих устройств Советский патент 1979 года по МПК G11C11/42 

нение элементов считывания запоминающих элементов.

Матричный накопитель помепден в колбу

1,внзтри которой расположены нушки 2, 3, 4 записи, стирания и считывания соответственно с узлами управления электронным лучами. Оси пушек 2, 3, 4 лежат в одной плоскости, параллельной дну колбы и на расстоянии нескольких микрометров от него. Дно колбы нредставляет собой диэлектрическую прозрачную пОлЧложку 5, на которой расположена матрина запоминающих элементов. Каждый запоминающий элемент (фнг. 2) содержит- слой 6 магнитотвердого материала, например алнико, и элемент 7 считывания, размещенные в углублениях 8, вынолненых в подложке 5, на поверхности которой расположена гибкая нленка 9, например, на полимера с нанесенными на иее над углублениями 8 слоями 10 из магнитного материала с прямоугольной нетлей гистерезиса, например никеля, и высокой отражающей снособностью. Элементы 7 считывания соединены носледовательно с нагрузкой (фиг. 3).

На внутреннюю поверхность колбы нанесен аквадаг 11. Передняя поверхность колбы покрыта антиотражающим покрытием 12. Дно колбы со стороны запоминающих элементов освещено когерентным поляризованным световым нучком 13. Отраженный пучок 14, несущий изображение в внде фазового распределения фронта пучка, может носле корреляционной (голографической) обработки проецироваться на экран. В комплект устройства может входить магнитное перо 15.

Устройство работает следующим образом.

В исходном ноложении за счет начального намагничивания слоев 6 и 10 пленка 9 вогнута внутрь элемента, что соответствует в двоичной системе нулевому состоянию элемента (фиг. 2,а).

В режиме записи виртуальная рамка, образованная электронными лучами пущек

2,3, 4, скарн1рует параллельно плоскости матрицы запоминающих элементов н локально перемагничивает пленку. За счет магнитных сил отталкивания слоями 6 и 10 пленка 9 занимает выпуклое положение над элементом, что соответствует в двоичной системе единичному состоянию запоминающего элемента (фиг. 2,6). Материал слоя 6 выбран таким, чтобы его коэрцитивная сила была много больще коэрцитивной силы материала слоя 10. В соответствии с заданным кодом адреса л а матрице формируется пространственный рельеф записанной информации. Одновременно записанную информацию оператор наблюдает в отраженном световом пучке 14 за счет фазовой модуляции локальных лучей, отраженных от запоминающих элементов.

В режиме считывания виртуальная рамка, образованная электронными лучами пушек 2, 3, 4, сканирует параллельно плоскости матрицы запоминающих элементов и локально перемагиичивает слой 10. При этом предварительно проводят ком.мутацию электронных лучей в пространстве, тем самым изменяют нанравление магнитного поля рамки. За счет .магнитных сил притягивания между слоями 6 и 10 пленка 9 переходит в нижнее нулевое положение, если предыдущее состояние было единичным, н

не меняет своего состояния, если оно было нулевым. При переходе в нижнее состояние в элементе 7 наводится ЭДС, которая вызывает ток в нагрузке. Паличие или отсутствие сигнала в нагрузке соответствует условной единице или нулю информации. Время сохранения изображения не ограничено. Однако считывание происходит с разрушением ииформации. По истечении цикла считывания заномииающие элементы

нодготовлены к заниси.

Для онеративного изменения информации запоминающего элемента может быть применено магнитное перо 15, представляющее собой дроссель с разомкнутым сердечником.

Выполнение накопителя в виде матрицы запоминающих элементов, каждый из которых содержит слой магнитотвердого материала и элемент считывания, размещенные в углублениях, вынолненных в диэлектрической нрозрачной подложке, на поверхности которой расположена гибкая пленка с нанесенными на нее над углублениями

слоями из магнитного материала с нрямоугольной петлей гистерезиса, а также последовательное соединение элементов считывания позволяет пснользовать для записи и считывания носитель информации

большой площади. Это повышает информационную емкость накопителя, обеспечивает высокоскоростное стирание и считывание информации виртуальной рамкой с током, образованной пересекающимися электронными лучами пущек, оси которых параллельны нлоскости матрицы, при отсутствии контакта с носителем инфор.мации, что исключает его нагрев. Освещение матрицы запоминающих элементов когерентным поляризованным светом позволяет обеспечить визуальное отображение записанной информации на большом экране с использованием фазовой модуляции при высоком уровне яркости. Кроме того, время сохранения изображения принципиально не ограничено, в то время как в нзвестных зстройствах оно ограничено из-за несовершенства электрической изоляции.

Наличие магнитного пера (элемента обменной связи оператора с вычислительной