На чертеже представлена принципиальная схема устройства.
Мультивибратор собран по классической схеме двухтранзисторного мультивибратора с емкостными коллекторно-базовыми связями. Коллектор первого транзистора 1 соединен с нагрузочным резистором 2 и через конденсатор 3 подключен к базе второго транзистора 4, коллектор которого подключен к своему нагрузочному резистору 5 и через конденсатор 6 - к базе первого транзистора 1. Базовое сопротивление транзистора 1 состоит нз двух резисторов 7 и 8, а базовое сопротивление транзистора 4 - нз одного резистора 9. Коллектор дополнительного п-р-п-транзистора 10 подключен к коллектору первого транзистора 1, а его база через ограничивающий резистор 11 - к коллектору второго транзистора 4. Эмиттер дополнительного транзистора 10 подсоединен к общей точке резисторов 7 и 8.
В нормальном режиме транзисторы 1 и 4 поочередно закрываются и открываются, и влияние транзистора 10 практически не ощущается. В момент открытия транзистора 1 кондеисатор 3 начинает разряжаться на резистор 9, а через коиденсатор 6 протекает ток заряда, являющийся током базы транзистора 1. Ток заряда течет по резистору 5 и подключенной параллельно цепочке: резистор 11 - переход база - эмиттер транзистора 10 - резистор 7.Транзнстор 10 при этом открывается, устанавливая глубокую обратную связь в усилителе на транзисторе 1, которая, однако, не выводит его из насыщения благодаря шунтирующему действию резистора 5.
С прекращением протекаиия зарядного тока через конденсатор 6 транзистор 10 закрывается, а транзистор 1 продолжает удерживаться в насыщении благодаря цепочке из резисторов 7 и 8.
Во время открывания транзистора 4 импульсы разряда конденсатора 6 удерживают транзистор 10 в закрытом состоянии. При срыве колебаний оба транзистора 1
и 4 оказываются открытыми. В этом случае образуется цепь протекания базового тока транзистора 10, транзистор 4 - резистор 11 - переход эмиттер-база транзистора 10 - резистор 7. А благодаря открытому
состоянию транзистора 1 образуется также и цепь протекания коллекторного тока транзистора 10, в результате чего усилитель на траизисторе 1 оказывается охваченным глубокой отрицательной обратной
связью, выводящей его из режима насыщения, что приводит к возникновению автоколебательного режима работы мзльтивибратора.
Формула изобретения
Мультивибратор на двух транзисторах одинаковой проводимости с емкостными коллекторно-базовыми связями и времязадающими резисторами в базовых цепях, отличающийся тем, что, с целью исключения режима жесткого самовозбуждения, в него введен дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, коллектор которого подключен к коллектору первого транзистора, база через ограничивающий резистор подключена к коллектору второго транзистора, а эмиттер - к общей точке двух последовательно
включенных времязадающих резисторов в цепи базы первого транзистора.
Источники информации, принятые во виимание при экспертизе
1.Патент Янонии № 51-48938, кл. НОЗК 3/282,
2.Авторское свидетельство СССР № 322847, кл. Н ОЗК 3/82, 11.04.71 (прототип).
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Мультивибратор | 1982 |
|
SU1034153A1 |
Автоколебательный мультивибратор | 1975 |
|
SU728215A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАРЯДА НАКОПИТЕЛЬНОЙ ЕМКОСТИ В ЭЛЕКТРОСИСТЕМЕ ДВИГАТЕЛЯ ВНУТРЕННЕГО СГОРАНИЯ | 1996 |
|
RU2107185C1 |
Мультивибратор | 1978 |
|
SU743171A1 |
ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСОВ | 2000 |
|
RU2179783C1 |
Двухтактный релаксатор | 1978 |
|
SU765987A1 |
МУЛЬТИВИБРАТОР | 1972 |
|
SU337912A1 |
Генератор импульсов | 1980 |
|
SU917305A1 |
Импульсный блок питания | 1987 |
|
SU1439715A1 |
ЖДУЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР | 1973 |
|
SU391707A1 |
Авторы
Даты
1979-09-30—Публикация
1978-06-26—Подача