Высоковольтный измеритель пробивных напряжений транзисторов Советский патент 1979 года по МПК G01R31/26 

Описание патента на изобретение SU693277A1

(54) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ПРОБИВНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ

Похожие патенты SU693277A1

название год авторы номер документа
Устройство для заряда аккумуляторной батареи транспортного средства 1986
  • Артюх Станислав Федорович
  • Барский Виктор Алексеевич
  • Дубовский Михаил Рувимович
  • Линник Евгений Васильевич
  • Мотыль Альберт Павлович
  • Сергеев Александр Юрьевич
  • Сигалов Александр Давыдович
SU1427483A1
Высоковольтный измеритель пробивных напряжений транзисторов 1980
  • Крылов Владимир Петрович
  • Маслов Герман Александрович
SU894617A2
Устройство для измерения порогового напряжения полевых транзисторов 1981
  • Дерр Александр Фридрихович
  • Ефремов Дмитрий Александрович
SU1109685A1
Устройство для измерения тока потребления 1980
  • Новиков Олег Петрович
  • Полковов Вячеслав Леонидович
SU920535A1
Функциональный преобразователь 1974
  • Гордин Владимир Ильич
  • Кадук Борис Григорьевич
  • Кравченко Алексей Анисимович
  • Нгуенг Ба Шау
  • Флейшман Иосиф Владимирович
SU598092A1
Управляемое резистивное устройство 1988
  • Разлом Валерий Иванович
  • Жук Виктор Павлович
  • Луценко Николай Данилович
SU1553987A1
Устройство для преобразования напряжения в ток 1981
  • Ахмадов Александр Абу-Бакарович
  • Жуковский Владимир Александрович
SU1010568A1
Преобразователь сопротивления в напряжение 1986
  • Таутвайшас Гинтаутас Пятрович
SU1322187A1
Устройство для извлечения квадратного корня 1981
  • Ялышев Алий Умярович
SU1005082A1
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ОДНОПОЛЯРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ В ДВУПОЛЯРНОЕ 2008
  • Мацыкин Сергей Васильевич
  • Зайцев Михаил Алексеевич
  • Сухов Андрей Владимирович
RU2368938C1

Иллюстрации к изобретению SU 693 277 A1

Реферат патента 1979 года Высоковольтный измеритель пробивных напряжений транзисторов

Формула изобретения SU 693 277 A1

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано при выходном контроле полупроводниковых приборов и для их классификации.

Известны устройства для измерения пробивных напряжений полупроводниковь1Х приборов.

Одно из известных устройств . содержит генератор линейно изменяюпдегося напряжения, токосъемный резистор и пороговое устройство, управляющее схемой регистрации измеряемого напряжения в моментдостижения током пробоя определенной величины. Недостатком этого устройства является низкая точность измерения, вызваннаЯ недостаточно ВЫСОКОЙ линейностью испытательного напряжения 1.

Второй из известных измерителей пробивных напряжений полупроводниковых приборов также содержит токосъемный резистор, включенный в цепь отрицательной обратной связи операционного усилителя, накопительный конденсатор, компаратор, срабатывающий при достижении током через испытуемый прибор определенного значения

и управляющий ключом и схемой задержки, которые осуществляют сброс испытательного напряжения с накопительного конденсатора, индикатор и источник питания. Для

повыщения точности измерений в устройство введена схема линеаризации. Этот измеритель, хотя и обеспечивает более высокую линейность нарастания испытательного напряжения, имеет малое быстродействие, так как увеличение скорости нарастания испытательного напряжения ведет к возрастанию погрешности измерения 2.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является измеритель напряжения пробоя высоковольтных транзисторов, который содержит операциотранзисторов, который содержит операционный усилитель, токозадающий резистор и источник опорного напряжения. Для измерения больших напряжений пробоя, превышающих допустимое выходное напряжение операционнго усилителя, в устройство введен каскад усиления на транзисторе, нагруженный источником тока на полевом транзисторе 3. Недостатками известного измерителя являются трудность такого подключения источника запирающего напряжения, включенногомежду базой и эмиттером испытуемого транзистора, которое не влияло бы на точность измерения и низкий КПД, обусловленный отсутствием согласования по мощности низкоомного выхода операционного усилителя и дополнительного каскада усиления с высокоомной нагрузкой (испытуемым транзистором). Кроме того, верхний предел испытательных напряжений в нем, хотя и увеличен по отнощению к допустимому выходному напряжению операционного усилителя, ограничен предельными значениями напряжений, используемых в каскаде усиления транзисторов. Цель изобретения - повыщение точности измерения. Поставленная цель достигается тем, что в измеритель введены ключ формирования длительностиимпульса испытательного напряжения, импульсный трансформатор, источник запирающего напряжения, резистивный делитель напряжения, первый и второй неинвертирующие и инвертирующий повторители напряжения, первый и второй суммирующие резисторы и масщтабный усилитель. Выход источника опорного напряжения че.рез ключ формирования длительности импульса испытательного напряжения связан с одним входом операционного усилителя, выход которого подключен к первичной обмотке импульсного трансформатора, вторичная обмотка которого одним концом соединена с другим входом операционного усилителя и токозадающим резистором, подключенным к общему проводу, а также с одним входом ,резистивного делителя напряжения и входом первого неинвертирующего повторителя напряжения, выход которого через первый суммирующий резистор соединен с входом масщтабного усилителя, а другой конец вторичной обмотки трансформатора подключен к коллектору испытуемого транзистора, между базой и эмиттером которого включен источник запирающего напряжения, и к другому входу резистивного делителя напряжения, средняя точка которого соединена со входом второго неинвертирующего повторителя напряжения, выход которого через инвертирующий повторитель и второй суммирующий резистор подключен к общей точке соединения первого суммирующего резистора и входа масщтабного усилителя. На чертеже представлена принципиальная электрическая Схема высоковольтного измерителя пробивных напряжений транзисторов. Измеритель содержит источник 1 опорного напряжения, ключ 2 формирования длительности импульса испытательного напряжения, операционный усилитель 3, импульсный трансформатор 4, испытуемый транзистор 5, источник 6 запирающего напряжения, токозадающий резистор 7, делитель напряжения на резисторах 8 и 9, первый неинвертирующий 10 и инвертирующий II повторители напряжения, первый суммирующий резистор 12, масщтабный усилитель 13, второй неинвертирующий повторитель 14, второй суммирующий резистор 15 и резистор 16 обратной связи. Из.меритель работает следующим образом. Напряжение от источника 1 опорного напряжения через ключ 2, определяющий длительность импульса, испытательного напряжения, поступает на один вход операционного усилителя 3, нагруженного через трансформатор 4 на испытуемый транзистор 5. Использование трансформатора позволяет заземлить нагрузку и тем самым исключить помехи от источника 6 запирающего напряжения, который в этом случае также может быть заземлен и поэтому не влияет на точность измерения. Возникающий во вторичной обмотке трансфор.матора 4 импульс напряжения вызывает ток через транзистор 5, величина которого стабилизируется благодаря включению окозадающего резистора 7 в цепь отрицательной обратной связи операционного усилителя 3. Непосредственно к концам вторичной об.мотки трасформатора 4 подключен делитель напряжения на резисторах 8 и 9, с помощью которого согласуются уровни высокого измеряемого напряжения и допустимого входного напряжения низковольтного повторителя 10. Поскольку делитель не входит в цепь, включающую транзистор 5 и резистор 7, изменение в щироких пределах суммарного сопротивления резисторов 8 и 9 практически не влияет на точность задания тока через транзистор, фиксируемого в момент пробоя. Напряжение с резистивного делителя подается на вход повторителя 10, а затем через повторитель 11 и суммирующий резистор 12 - на вход масщтабного усилителя 13. На этот же вход через повторитель 14 и суммирующий резистор 15 подается напряжение с резистора 7. Повторители 10 и 14 имеют больщое входное сопротивление и необходимы для развязки усилителя 13 от цепи питания транзистора 5. Напряжение на выходе усилителя 13 определяется выражением TI 11 Из Ки I г i ивыл- UKj-. UTt, где и и UT - напряжение на коллекторе транзистора 5 и токозадающем резисторе 7 соответственно;R8,R«,Ri2,Ris,Ri6 - сопротивление соответствующих резисторов.

SU 693 277 A1

Авторы

Крылов Владимир Петрович

Маслов Герман Александрович

Даты

1979-10-25Публикация

1977-11-29Подача