Оптическое запоминающее устройство Советский патент 1979 года по МПК G11C11/42 

(54) ОПТИЧЕСКОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

1

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к оптоэлектронным системам обработки и хранения информации.

Известны запоминаюпдие устройства, содержащие слой электрооптического материала с поверхностью, способной захватывать заряд, в которых для записи или считывания информации используется перенос зарядов 1.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является устройство, содержащее активный слой, расположенный на прозрачной проводящей подложке 2.

Однако Б данном устройстве необходимо использовать коронный разряд, что приводит к усложнению устройства и использованию высоких рабочих напряжений (7-10 кВ) К тому же, использование сегнетоэлектрических материалов требует применения поляризованного света для считывания информации, что дополнительно усложняет устройство, а также приводит к уменьшению быстродействия и разрешающей способности его.

Целью изобретения является увеличение быстродействия и разрешающей способности устройства.

Это достигается тем, что устройство содержит прозрачный электрод, расположенный на активном слое, причем активный слой выполнен в виде пленки из высокоомного полупроводникового материала с избирательным спектром поглощения.

На чертеже схематически изображено предложенное устройство.

Оно выполнено в виде тонкопленочной структуры таким образом, что активный слой 1 нанесен на прозрачную проводящую подложку 2, являющуюся одновременно одним из электродов, а второй прозрачный

электрод 3 расположен с другой стороны активного слоя 1. При этом толщина активного слоя (от 0,1 до 1 мкм) обусловливает высокую разрешающую способность устройства (порядка Ю лин./см или порядка 10 бит/см2). Одна из границ между слоями устройства обладает способностью захватывать заряды и разряжаться под действием света. При этом распределение заряда (потенциальный рельеф соответствует распределению интенсивности в действующем на структуру световом пучке. Время образования захваченного заряда и высокая чувствительность к свету обеспечивает достаточно большое быстродействие структуры, порядка 1 МКС. подготовки к информации на электроды подают импульс напряжения величиной до 5 В, вполне достаточного для появления равномерно распределенных зарядов на границе 4. При этом в пленке I (активный слой) толщиной порядка 0,1-0,5 мкм создается электрическое поле величиной до 10 В/см. Затем структуру освещают пучком света, пространственное распределение интенсивности в котором соответствует записываемой информации. Под действием света заряд с границы 4 уменьщается: оставшиеся заряды создадут потенциальный рельеф в соответствии с интенсивностью светового потока. Для воспроизведения информации структуру освещают слабым пучком монохроматического света с длиной волны в экситонной области. Распределение заряда и, следовательно, электрического поля, соответствующее за писанной картине, вызывает пространственную модуляцию оптических свойств структуры, что позволяет проводить эффективное оптическое считывание записанной информации. Предложенное устройство позволяет обеспечить достижение разрещающей способности порядка 10 ЛИН/см, рабочее напряжение составляет несколько вольт (в известных устройствах - несколько -киловольт), увеличивается быстродействие (примерно до 1 мкс). Формула изобретен 1.Оптическое запоминающее устройство, содержащее активный слой, расположенный на прозрачной проводящей подложке, отличающееся тем, что, с целью увеличения быстродействия к разрешающей способности, оно содержит прозрчч.чый электрод, расположенный на активном слое. 2.Устройство по п. 1, отличающее .-:, cs что активный слой выполнен в виде пленки из высокоомного полупроводникового материала с избирательным спектром поглощеИсточники информации, принятые во зпимакие при :кспертизе 1.Патент США № 3623027, кл. 340-173, 1971. 2.Патент США № 3660818, кл. 340-172.3, 1972 (прототип).