Широкополосная акустическая линия задержки Советский патент 1979 года по МПК H03H9/30 

Описание патента на изобретение SU700921A1

(54) ШИРОКОПОЛОСНАЯ АКУСТИЧЕСКАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ

Похожие патенты SU700921A1

название год авторы номер документа
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ЭЛЕКТРОАКУСТИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ 1995
  • Петров В.В.
RU2085983C1
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ОБЪЕМНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 1988
  • Камишкерцев Вячеслав Петрович
  • Хильченко Лев Иосифович
  • Жданухин Сергей Алексеевич
SU1840460A1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛАСТИН 2018
  • Анисимкин Владимир Иванович
  • Воронова Наталья Владимировна
  • Воронова Нелли Владимировна
  • Галанов Геннадий Николаевич
RU2686579C1
УЛЬТРАЗВУКОВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ОБЪЕМНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 2000
  • Роздобудько В.В.
  • Перевощиков В.И.
RU2169429C1
ПОЛИХРОМАТИЧЕСКИЙ АКУСТООПТИЧЕСКИЙ ДЕФЛЕКТОР И УСТРОЙСТВО НА ЕГО ОСНОВЕ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ НАПРАВЛЕНИЕМ ИЗЛУЧЕНИЯ, ДЛИНОЙ ВОЛНЫ И МОЩНОСТЬЮ (ВАРИАНТЫ) 2003
  • Магдич Л.Н.
  • Нарвер В.Н.
  • Солодовников Н.П.
  • Розенштейн А.З.
RU2243582C2
ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ СВЧ 1972
SU326673A1
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ОБЪЕМНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 2000
  • Роздобудько В.В.
  • Перевощиков В.И.
  • Андросов А.В.
RU2168265C1
Многоэлементный электроакустический преобразователь 1982
  • Хитрин Валерий Сергеевич
  • Зюрюкин Юрий Анатольевич
  • Гурьев Борис Михайлович
SU1067618A1
Низкотемпературная акустическая свчлиния задержки 1977
  • Аракелов Юрий Касьянович
  • Балабанов Виктор Никифорович
SU684720A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ВИДЕОИМПУЛЬСОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ АКУСТИЧЕСКОЙ ЛИНИИ ЗАДЕРЖКИ 2020
  • Анисимкин Владимир Иванович
  • Воронова Нелли Владимировна
  • Колесов Владимир Владимирович
RU2754124C1

Иллюстрации к изобретению SU 700 921 A1

Реферат патента 1979 года Широкополосная акустическая линия задержки

Формула изобретения SU 700 921 A1

1

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в СВЧ - технике для задержки сигналов.

Известны акустические линии задержки (АЛЗ) на объемных волнах. Такие линии задержки состоят из диэлектрического кристалла, выполняющего роль звукопровода, на торцах которого расположены электроакустические преобразователи. В качестве электроакустических преобразователей для АЛЗ на объемных волнах наиболее широко используются различные модификации преобразователя, который представляет собой высокоомный слой пьезоэлектрика, находящийся в прочном контакте со звукопроводом 1. При приложении к этому слою внешнего электрического напряжения в нем возникают колебания ;двига или сжатия, в результате чего в звукопроводе возбуждаются поперечные или продольные объемные упругие волны. Задержка сигнала в АЛЗ создается в результате сравнительно медленного распространения по звукопроводу акустической волны, возникающей при преобразовании излучающим -преобразователем входного сигнала. На выходе в результате обратного преобразования появляется электрический сигнал, задержанный по отношению к входному.

Недостатком известных АЛЗ является их узкополосность.

Известна широкополосная линия задержки, содержащая пьезоэлектрический кристалл и два преобразователя объемных акустических волн, выполненных в виде замедляющих систем (ЗС), расположенных

на его торцах 2. В качестве преобразователей могут использоваться, например, спиральные ЗС.

При распространении электромагнитной волны по ЗС вблизи последней возникает переменное электрическое поле, которое, воздействуя на расположенный вблизи ЗС пьезоэлектрический кристалл, возбуждает в нем акустическую волну. На противоположной стороне кристалла осуществляется обратное преобразование акустической волны в электромагнитную волну ЗС. Широкополосность подобных АЛЗ определяется полосой пропускания, используемой в качестве электроакустического преобразователя ЗС

Недостатком АЛЗ с ЗС в качестве электроакустических преобразователей являются значительные потери мощности на преобразование.

Целью изобретения является уменьшение потерь на преобразование широкополосной акустической линии задержки.

Это достигается тем, что в широкополосной акустической линии задержки между замедляюш,ими системами и пьезо электрическим кристаллом расположен слой жидкого диэлектрика.

На фиг 1 схематически изображена предложенная конструкция АЛЗ с двумя преобразователями; на фиг. 2 - сечение по диаметру кристалла

АЛЗ содержит пьезоэлектрический криС талл 1 и два электроакустических преобразователя 2, выполненные в виде полосковой ЗС типа меандр. ЗС представляет собой полосковую линию передачи в форме меандра. Металлический полосок 3 нанесен на подложку из высокочастотной кер амики 4, противоположная сторона 5 которой металлизирована и заземлена. Между торцами кристалла и ЗС расположен жидкий диэлектрик 6, например глицерин. Торцы кристалла плотно прижаты к поверхности ЗС и укреплены с помошью эпоксидной смолы 7.

Предложенная линия задержки работает следующим образом.

СВЧ колебания подводятся к одному из преобразователей 2 через коаксяально-полосковый переход (не показан). Переменное электрическое поле распространяющейся по полоску 3 медленной электромагнитной волны возбуждает в пьезоэлектрическом

кристалле 1 акустическую волну. На противоположной стороне звукопровода акусти ческие колебания за счет обратного пьезоэлектрического эффекта возбуждают электромагнитную волну во втором преобразователе 2. Таким образом, реализуется задержка сигнала на время прохождения звуковой волны по кристаллу. За счет слоя жидкого диэлектрика между кристаллом и ЗС, исключающего наличие воздушной прослойки, напряженность поля в кристалле возрастает и увеличивается эффективность преобразования электрического сигнала в акустический. В предложенной АЛЗ потери на преобразование снижены на 10-15 дБ по сравнению с другими известными АЛЗ.

Формула изобретения

Широкополосная акустическая линия задержки, содер ащая пьезоэлектрический кристалл и два преобразователя объемных акустических волн, выполненных в виде замедляющих систем, расположенных на его торцах, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения потерь на преобразование, между замедляющими системами и пьезоэлектрическим кристаллом расположен слой жидкого диэлектрика.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Морозов А. И. и др. Пьезополупроводниковые преобразователи и их применение.

М.,«Энергия, 1973, с. 61-72.

2.Авторское свидетельство СССР J40 292216, кл. И 03 Н 7/30, 1969.

{:

SU 700 921 A1

Авторы

Кармазин Сергей Владимирович

Любченко Владимир Евтихиевич

Мансфельд Георгий Дмитриевич

Даты

1979-11-30Публикация

1978-06-16Подача