Фотопреобразователь Советский патент 1979 года по МПК H03K3/284 

(54) ФОТОПРЕОБРАЗЙВАТЕЛЬ

702490 KOTOfaJX подсоединены к точке соединения коллекторов ключевого транзис t6pa типа р-п-р и нагрузочного транзистора типа п-р-п, база дополнитель ного транзистора типа р-п-р через первый дополнительный резИотор подсо динена к минусовой источника питания, а база дополнительного тран зистора типа п-р-п через второй дополнительный резистор -, к плюсовой клемме источника питания.. - На чертеже представлена принципиальная схема фотопреобразоватёля. Он содержи ключевой транзистор ;1 типа р-п-р, база. которогочерез Ьезистор 2 подсоединена }( колйёйтоbV ключевого транзистора 3 типа п-р-п и ерез его коллекторный резистор 4 подсоединена к эмиттеру упомянутого кдючёвого транзистора 1 пар-п-р и кплюсовой клемме источника питания 5, минусовая клемм которого подсоединена к эмиттеру ключейого транзистора 3 типа h-p-n, база ikoToporo подсоединена к одной из обкладок времязадающего кйнденсатора б и через фотоприемник (фоторезистор) 7 подсоединена к пЛюсовой jkjieivwe источника питания 5, kbллeк Тор ключевого транзистора 1 тИпаг jp-n-p подсоединен . к колектору на грузочного транзистора 8 типа п-р-п эмиттер которогоподсЬёдинен к минусовой, клемме источника питания 5, а его база через резистор 9 прдсое-. дйнёна к плюсовой клемме источника питания 5, база клкзчевого транзистора 3 типа n-p-ri подсоединена к ЭМИ т тёру д dri bitнйтёль ног 6 тран зй;ст ор ,10 тигГа п-р-п, включенного по схеме |С оторванным коллектором, база кото рого через дополнительный конденса.тор 11 подсоёдинёйа ко .второй обкл ке времязадающего конденсатора б; и ik кол:п:ектЬраМ двух дЬполнительйызу транзисторов 12 и 14 типа р-п-р И. п-р-п, эмиттеры которых подсоединен к точке соединения к зллёктЬрбй 1сйк ч вого транзистора 1 типа р-п-р и.нагрузочного транзистора 8 тийа база Дополнительного транзистора 12 тйпа р-п-р через первый допблнитёль НИИ резистор 13 подсоединена к мину совой клемме источника питания 5, а база дополнительного транзистора fiiria п-р-п 14 через второй дополнительный резистор 15 - к плюсовой клемме источника питания. Устройство работает с ледуйщий при отсутствии запускающих импул сов схема находится в статическом состоянии, определяемом открытым состоянием обоих ключевых трензисто ров 1, 3. Времязадающий конденсатор ;б заряжен при этом уровне до уровня напряжения источника питания 5. При йбдаче запускакзщего импульса положительной полярности в точку соедине ния коллектора транзистора 3 и резистора 4 происходит запирание транзисторов 1,3, что вызывает перезаряд конденсатора б, который осуществляется через фотоприемник {фоторезистор) 7, причем длительность перезаряда конденсатора б определяется сопротивлением фотЬрезистора 7, зависящим от уровня принимаемого им светового потока. Конденсатор 11 вначале заряжен до напряжения на времязадающем конденсаторе б. При перезаряде кондёнсатора б напряжение; на его обКла цКах йачИнает/уменьшаться, что Приводит к запиранию эмиттерного Перехода тра;н-зйстора 10, включенного по схеме с оторванным коллектором, структура проводимости которого од-.|н6тйпна с ключевым транзистором 3, Это позволяет компенсировать влияние базового запертого ключевого транзистора 3 на длительность генерируемых импульсов. Транзистор 12 включен нормально по цепи заряда конденсатора б и инверсно по цепи ёго перезаряди, а транзистор 14 вкЙйчен нормально по цепи перезаряда иинверсно по цепи заряда. Введение в схему указанных транзисторов также позволяет повысить температурную стабильность схемы за счет конпенсации величины обратных коллекторных токов транзисторов 1,3. Экономический эффект от внедрения Предложенного ус,тройства достигается за счет аппаратурного упрощения системы в целом. Формула изобретения Фотопреобразователь, «Содержащий ключевой транзистор типа р-п-р, база которого через резистор подсоединена к коллектору ключевого транзистора типа п-р-п и через его коллекторный резистор подсоединена к эмиттеру ключёвого райзйстора р-п-р и к плюсовой клемме источника питания, минусовая клемма которого подсоединена к эмиттеру ключевого транзистора тийа п-р-п, база которого подсоединена к одной из обкладок времязадающего конденсатора и через фотоприемник (фоторезистор) подсоединена к пл1осовой клемме источника питания, коллектор ключевого транзистора типа подсоединен к коллектору нагрузбчногО ра нзистора типа п-р-п, эмиттер которого подсоединен к минусовой клемме источника питания, а его база через резистор подсоединена к плюсовой клемме источника питания, отлича;ющийся тем, что, с целью увеличения температурной стабильности, в фотопреобразователь вве день дополнительные транзисторы, резисторы и конденсатор, причем база

ключевого транзистора гипа прдсоединена к эмиттеру транзистора типа п-р-п, включенного по схеме с оторванным катодом, база которого через дополнитель.ный конденсатор подсоединена ко второй обкладке времязадающего конденсатора и к коллекторам двух дополнительных транзисторов типа р-п-р и п-р-п, эмиттеры которых подсоединены к точке соединения коллекторов ключевого транзистора типа р-п-р и нагрузочного -транзистора типа п-р-п, А база Дополнительного транзистора

типа р-п-р через первый дополнительный резистор подсоединена к минусовой клемме источника питания, а база

дополнительного транзистора типа

п-р-п через второй дополнительный резистор - к плюсовой клемме источника питания.

Источники информации, принятые во Вйиманиё при экспертизе Q 1. Фролкин В.Г, Импульсные устфойства, 1974, с,221.

2. Яковлев В.Н. Импульсные генераторы на транзисторах. 1968,. с. 108 /

-) +