Изобретение относится к области вычислительной техники и может бь1ть,исп юовано при построении устройств хранения дискретной информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Известны запоминающие устройства (ЗУ) на ЦМД, содержащие магнитооднорснуго пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены генератор ЦМД, соединенный с входом регистра сдвига, выход которого подключен к аннигилятору ЦМД через компрессор.ЦМД 1. Недостатком ЗУ является ограниченная область применения. Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является ЗУ н.а ЦМД, которое содержит магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены адресные и разрядные шины, генераторы ЦМД, подключенные к входам разрядных компрессоров ЦМД, выходы которых подключены к разрядным аннигаляторам ЦМД 2. Недостатками указанного устройства являются его ограниченные функциональные возможности. Оно способно только хранить информацию и не способно осуществлять ни логическукэ, ни арифметическую обработ ку её, что в значительной степени сужает область его использования. Целью настоящего нзоЙретения является расширение функциональных возможностей устройства путем выполнения в нем арифметических операций. Поставленная цель достигается тем, что ЗУ содержит элементы продвижения ЦМД, расположенные между выходами смежных разрядных компрессоров ЦМД, н управляемые/аннигиляторы ЦМД, расположенные между смежными элементами продвижения ЦМД на расстоянии не более трех диаметров ЦМД от соответствующих разрядных аннигиляторов ЦМД. На чертеже изображена структурная схема ЗУ.. ЗУ содержит магннтоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности код-орой расположены адресные Ai-Аи и разрядные (на чертеже не показаны) щины, генераторы ЦМД В«-БП, подключенные к входам разрядных компрессоров ЦМД Ci-Сп, выходы которых подключены к разрядным аннигиляторам ЦМД D(-Dn. Между выходами смежных разрядных компрессоров расположены элементы продвижения ЦМД Et-ЕпИ FI-Fn между которыми расположены управляемые аннигиляторы . причем расстояния между управляемыми аннигиляторами О( - GH и соответствующими разрядными аннигиляторами DI -DO не превышают трех диаметров ЦМД. Аннигиляторы Dt;-E)n и Gt-. GH магнитосвязаны с шиной Н управления аннигиляторами. Стрелкой S показано направление вращения управляющего поля, стрелками S - Sn- направление Движения ЦМД из ячеек Памяти Кнч-Km в разрядные компрессоры. ЗУ работает следующим образом. .Если в ячейках памяти Км„-Кщ находятся ЦМД,-т. е. там записаны «1, то при вращении вектора управляющего поля, от направления ОС к направлению ОД возбуждается шина А«, ЦМД покидают ячейки памяти и поступают в разрядные компрессоры Gt-Сп. При направлении ОВ вектора управляющего поля.на выходе разрядных ком-, прессоров в позициях 1 и 1 появляются ЦМД. Далее, при повороте вектора поля в направлении ОС ЦМД перейдут соответственнр в позиции 2 и 2, а при повороте нектора поля в направление ОД ЦМД перейдут в позиции 3 и 3, так как магнитные полюса в этих позициях сильнее чем полюса в позициях 4 и 4. При направлении ОА поля ЦМД переходят в позиции 5 и 5 и входят в динамические ловушки, образованные позициями 5-8 и 5-8 соответстбенно, где индицируются магниторезисторнымК датчиками .и остаются циркулировать до прихода импульса управления аннигиляторами. Если необходимо осуществить стирание этой информации, то в момент, когда ЦМД находятся в позициях 8 и 8 в шину Н подается импульс тока, и при направлении ОА вектора поля ЦМД переходят не в позиции 5 и 5 как ранее, а в позиции 9 и 9, где остаются при дальнейщем враще НИй поля и аннигилируются при направлении. ОС поля. . V.- Процесс арифметической обработки ин. формации может быть продемонстрирован н а прймёре сложения содержимого п-го и (п - 1)-го разрядов любой пары чисел в накопитель. Пусть в п и (п-1) разрядах первого и второго слагаемого содержатся «. .Процесс сложения осуществляется путем -шследовательногр считывания слагаемых. Прецполо :им, что считано первое слагаемое; Это значит; что в динамических ловушках нахрдятся ЦМД. Теперь, подавая тек в нужную адресную шину,- считывают второе слагаемое, в результате чего при направлении ОВ управляющего поля в позициях 1 и 1 появятся ЦМД. Далее они перейдут в позиции 2 и 2. При направлении ДО поля ЦМД стремятся занять позиции 3 и 3, но это им не удается, так как в динамических ловушках также находятся ЦМД, стремящиеся перейти из позиций 7 и 7 в. позиции 8 и 8., Вследствие магн51тостатического взаимодействия ЦМД входящих с ЦМД, находящимися в динамических ловущках, первые направляются не в позиции 3 и 3, а в позиции 4 и 4, расположенные на аннигиляторах. С другой стороны, ЦМД, находящиеся в динамических ловушках, стремятся попасть в позиции.8 и 8, но туда перейти ОНИ Не могут, вследствие магнитостатического взаимодействия с ЦМД, попадающими в-позиции 4 и 4, так как расстояние между аннигиляторами и, соответственно, позициями 4 и 8, 4 и 8, как указывалось ранее, меньше трех диаметров ЦМД. Таким образом, ЦМД из позиций 7 и 7 будут вынуждены перейти в позиции 10 и 10 соответственно. Далее, ЦМД из позиции 10, проходя последовательно через позиции 11, 1, 12 и 3, входит в динамическую ловушку (п - 1)-го разряда и там Остаются, а ЦМД из позиции 10 таким же образом отправляется на динамическую лову.шку следующего (п-2)-го разряда и вступает или не вступает во взаимодействие, с находящимися там ЦМД в зависимости от наличия или отсутствия последнего в этой ловушке. Сложение в первых двух разрядах можно считать оконченным. Результат сложения двух кодов 11 и 1Г дает код 10 плюс единица переноса в следующий разряд, что соответствует истине. , . Предложенное устройство выгод ноотличается от известного, так как благодаря своим новым функциональным возможностям оно имеет более широкую область применения, ПРзволяет организовывать однородные вычислительные среды и сравнительно дещевые. устройства обработки информации, что в свою очередь приведет к общему сн:йжению стбимости систем, в которых предложенное устройство может быть использовано. Формула изобретения Запоминающее устройство, содержащее магнИтоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД), на поверхНости которой расположены адресные и разрядные щины, генераторы ЦМД, подключенные к входам разрядных компрессоров ЦМД, выходы которых подключены к разрядным аннигиляторам ЦМД, отличаюц еся Тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем выполнения арифметических операций, оно содержит элем.енты продвижения ЦМД, расположенные между выходами смежных разрядных KOMn|jeccopoB ЦМД, и управляемые аннигиляторы ЦМД, расположенные между смежными элементами продвижения ЦМД на расстоянии не более трех диаметров ЦМД от соответствующих разрядных аннигиляторов ЦМД, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США № 3873542, кл. 340-174. опублик. 02.03.74. 2.Авторское свидетельство СССР по заявке № 2408659/24, кл. G И С 11/14, от 27.09.76 (прототип).
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Магнитный сумматор | 1978 |
|
SU746939A1 |
Доменное запоминающее устройство | 1978 |
|
SU736169A1 |
Запоминающий модуль | 1980 |
|
SU920839A1 |
Магнитный дешифратор | 1978 |
|
SU649136A1 |
Запоминающее устройство | 1976 |
|
SU705518A1 |
Запоминающее устройство | 1978 |
|
SU728157A1 |
Запоминающее устройство | 1979 |
|
SU868832A2 |
Доменное запоминающее устройство с произвольным доступом | 1976 |
|
SU622170A1 |
Доменный аналого-цифровой преобразователь | 1982 |
|
SU1172012A1 |
Запоминающее устройство с произвольным доступом на цилиндрических магнитных доменах | 1977 |
|
SU690563A1 |
п- ,-,
Авторы
Даты
1979-12-25—Публикация
1977-09-27—Подача