Измеритель частотной характеристики фотоприемников Советский патент 1979 года по МПК G01J1/44 

1

Изобретение относится к области техничёс кой физики, а именно к фотоэлектронным приборам, и может быть использова1га в системах контроля параметров фотоприемников.

Одно из известных устройств для измерения частотной характеристики фотоприёмников содержит последовательно (соедшсенные источник излу11ения, модулятор, испытуемый фотопрнемник, усилитель и регистратор 1. Недостаток - малая производительность измерений.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является измеритель Частотной характеристики фотоприемников, содержащий -. последовательно соединенные источник, излучения, оптоэлектронный модулятор, оптическую линию задержки, испытуемый фотоприемник, усклктелъ и регистратор 2.

Недостатком известного измерителя частотной характеристики фотоприемников является невысокая производительность измерений, так как для определения частотной характеристики требуется регистрировать ряд параметров.

Цель предлагаемого изобретения - повышение производительности измереннй.

Для достижения зтой цели в известном уст, ройстве выход усилителя связан с управляющим входом оптозлектронного модулятора.

Сущность изобретения поясняется чертежом, ,на котором изображена структурная схема уст1ЮЙства.

Устройство содержит коллимированный источник 1 света, электрооптический модулятор 2, отражатель 3, испытуемый фотоэлектрический npHeNfflHK 4, усилитель 5, частотомер 6, измеритель нестабильности частоты 7, источник эталонной частоты 8.

Устройство работает следующим образом.

По ходу светового потока от шточника 1 последовательно установлены злёктрооптический модулятор 2 и отражатель 3. Отражатель имеет возмржнрста перемещаться вдоль линии излучения. По ходу светового потока, отраженного от отражателя, установлен испытуемый фотоэлектрический приемник 4 выходом соединенный с входом усилителя 5. Выход усилителя соединен с входом управления электрооптического модулятора 2 и с входом частотомера 6 и измерителя нестабильности частоты 7. С

измерителем нестабильности частоты соединен также источник эталонной частоты 8. Световой ноток источ1шка 1, пройдя модулятор 2 и отражатель 3, поступит на фотоприемник 4, в результате чего на его выходе появится электрический сигнал. Сигнал с фотоприемника 4 через усилитель 5 воздействует на модулятор 2 и запирает его, чем обрьгеается световой поток действующий на фотоприемник 4. Последнее нриводит к снятию запирающего напряжения с электрооптического модулятора 2, благодаря чему световому потоку вновь открьшается доступ к фотоприемнику 4 и т. д. Таким образом. в оптико-электронной цепи, образованной элементами 2, 3, 4 и 5 устанавливается автоколебательньш процесс. Частота этого процесса изменяется при перемещении отражателя 3. При приближении отражателя 3 к фотоприемнику. 4 частота повышается, а при удалении понижается.

При частоте автоколебательного процесса, равной верхней границе частоты пропускания фотоприемника 4 автоколебательный процесс . срьгоается. При зтом показания частотомера 6 будзп: соответствовать верхней границе частоты пропускания фотоприемника 4.

С помощью измерителя нестабильности частоты 7, фиксируя путем фиксащи положения отражателя 3 отдельные частоты описанного выше автоколебательного njionecca,осуществляется измерение нестабильности частоты выходного сигнала фотоэлектрического приемника 4 относительно этапо1шой часто1Ы источника 8. Изобретение позволяет без промежуточных измерений определять частотную границу фотоприемника.

Формула изобретения

Измеритель частотной характеристики фотоприемтшков, содержаний последовательно соединенные источник излучения, оптоэлектронный модулятор, оптическую ЛИНИИ) задержки, испытуемый фотоприемник, усилитель и регистратор, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности измерегшй, вь1ход усилителя связан с управляющим входом оптоэлектрбнного модулятора. Источники информавди, принятые во внимание при экспертизе

1.ГОСТ 116.16-75, М., Госстандарт, 1975.

2.Андреев Л. Н. и др. Измерение временных характеристик ФЭУ при помощи инжекционпых полупроводниковых лазеров на GaAs.

Приборы и техника эксперимента, № 3, 1974, с. 159-161 (прототип).