Транзисторный ключ Советский патент 1980 года по МПК H03K17/60 

стора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор подключен к базам силовых транзисторов И- к эмиттеру четвертого управляющего транзистора, коллектор которого непосрежтвенно, а база через пятый резистор соединены с шиной низковольтного источника питания, при этом база четвертого и коллектор второго управляющих транзисторов объединены, эмлттеры силовых транзисторов соединены с обшей шиной, а коллекторы - с катодами диода и через нагрузочный резистор с шиной высоковольтного источника питания, введен транзистор противоположного типа проводимости, база которого соединена с анодом диода, коллектор - с общей шиной, а эмиттер подключен к коллектору второго управляющего транзистора.

На чертеже показана принципиальная схема транзисторного ключа.

Транзисторный ключ содержит оптрон 1, светодиод которого включен между входными шинами 2, катод фотодиода соединен с шиной 3 низковольтного источника питания, а анод фотодиода через первый резистор 4 - с общей шиной 5 и непосредственно с базой первого управляющего транзистора 6, эмиттер которого подключен к общей шине 5, а коллектор через второй резистор 7 - к шине 3 низковольтного источника питания, через третий резистор 8 к базе второго управляющего транзистора 9, а через четвертый резистор 10 к базе третьего управляющего транзистора И, эмиттер которого соединен с общей шиной 5, а коллектор подключен к базам силовых транзисторов 12 и эмиттеру четвертого управляющего транзистора 13, коллектор которого непосредственно, а база через пятый резистор 14 соединены с шиной 3 низковольтного источника питания. База четвертого и коллектор второго управляющих транзисторов 13 и 9 объединены. Эмиттеры силовых транзисторов 12 соединены с общей шиной 5, а коллекторы - с катодом диода 15 и через нагрузочный резистор 16 с шиной 17 высоковольтного источника питания. База транзистора 18 противоположного типа проводимости соединена с а нодом диода 15, коллектор - с общей шиной 5, а эмиттер подключен к коллектору второго управляющего транзистора 9.

Транзисторный ключ работает следующим образом.

В исходном состоянии транзисторного ключа фототок оптрон а 1 отсутствует, транзистор 6 заперт, а транзисторы 9 и 11 отперты. В результате этого транзисторы 12 и 13 заперты. При подаче управляющего сигнала на светодиод оптрона 1 транзистор 6 отпирается, шунтирует входы транзисторов 9 и И, что приводит к их запиранию. Через резистор 14 ток поступает на вход транзистора, 13, эмиттерный ток которого отцирает транзисторы 12.

При отпирании транзисторов 12 потенциал из коллекторов падает и с уменьшением потенциала до уровня, меньшего потенциала эмиттера транзистора 18, переход эмиттер - база транзистора 18 отпирается, и часть тока резлстора 14 ответвляется в цепь коллектора транзистора 18,т. е. обеспечивается усиленное автоматическое регулирование степени насыщения транзисторов 12, опережающее во времени процессы изменения напряжения на коллекторах этих транзисторов.

Работа транзисторов 12 на грани насыщения в активном режиме обеспечивает минимальное время их запирания при отсутствии паразитных высокочастотных колебаний. Процесс запирания транзисторов 12 происходит при снятии управляющего импульса и прекращении фототока оптрона 1.

Формула изобретения

Транзисторный ключ, содержащий силовые и управляющие транзисторы одного типа проводимости и оптрон, светодиод которого включен между входными щинами, катод фотодиода оптрона соединен с шиной низковольтного источника питания, а анод

фотодиода оптрона через первый резистор - с общей шиной н непосредственно с базой первого управляющего транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор через второй резистор - к шине низковольтного источника питания, через третий резистор к базе второго управляющего транзистора, а через четвертый резистор к базе третьего управляющего транзистора, эмиттер которого соединен с обш,ей

шиной, а коллектор подключен к базам силовых транзисторов и к эмиттеру четвертого управляющего транзистора, коллектор которого непосредственно, а база через пятый резистор соединены с шиной низковольтного источника питания, при этом база четвертого и коллектор второго управляющих транзисторов объединень, эмиттеры силовых транзисторов соединены с обшей шиной, а коллекторы - с катодом диода и через нагрузочный резистор с шиной высоковольтного источника питания, отличающийся тем, что, с целью повыщения надежности, в него введен транзистор противоположного типа проводимости, база

которого соединена с анодом диода, коллектор - с общей шиной, а эмиттер подключен к коллектору второго управляющего транзистора.

Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР № 438114, кл. Н ОЗК 17/08, 21.10.70.

2.Авторское свидетельство СССР № 505128, кл. Н ОЗК 17/04, 25.02.74 (прототип).

НИ}10

Hizb