Активное веществе субмиллиметрового лазе-PA C НАКАчКОй излучЕНиЕМ C0 -лАзЕРА Советский патент 1981 года по МПК H01S3/22 

(54) АКТИВНОЕ ВЙ еСФВОСУЙ1Ш

/ С НАКАЧКОЙ,ЙЗЙУ НЙЁМ:СО --ЛЙЗЁ1РА-:.

...;.,: Л . - -. -::::;

Изобретение относится к области квантовой электроники. . : :

Известны субмиллиметровые (СБМ). лазеры с накачкой излучением СОд-лазера, включающие источник накачки и резонатор, заполненный газообразйЕШ активным веадеством 1}. . .

К настоящему времени получено несколько coteH линий в диапазоне / 30 мкм - 3 мм, накодяпдих все более широкое применение в различных областях науки и техники.

Частота излучения на каждой из линий перестраивается в пределах узкого интервала, определяемого в основном столкновительным уширением линий в газе низкого давления. Суьлмарный Диапазон перестройки всех йз- ; вестных линий составляет менее одной десятичной доли частотного йнтерВ1ала в котором они расположены. .

Известен субмиллйметррвый лазер; с накачкой излучением СО -лазера, включающий источник накачки и резо натор, заполненный газообразным:активным веществом 2. При заполнении резонатора парами 1,1-дифторэ Ш1ейа, винилцианида и метиламина получена генерация на 18 линиях в интервале длин;волн 148-990 мкм.

; HeauGTattKOiM известных технический р енйй;;яё,пяется;у;зкйй частотными диаrtasbMJ; ;11ёрекрйвабмый лазерным излучением внутри 148-990 .мкм.

Цельй изобретения является расширение «laiiTOTHblb диапазона; занимаемого ЛИНИЯМИ ;субршллиметров0го лазерного йзл1г«ег«.8й.; ;,; ,

Эта iiejit достигается применением

б :1,З-дйокЬана;8 качестве активного ; вещества йуймилЛймётрбвОго лазера с накачкой излучением СО/ -лазера.

На чертеже представлена схема реализации изобретения, где изображены

5 газообразная трубка 1 с внутренним зеркалом С02,-лазера, дифракционная решетка 2 поворотное зеркало 3, фокусирующее зеркало 4, субмиллиметроЁй1й резонатор 5, входное окошко 6, выходное окошко 7, излучение 8 на0качки, субмиллйметровое излучение 9 л;азера.

СВМ лазер работает следующим образом. .

Выходное излучение СОд -лазера, идущее в нулевом.порядку диффракционной решетки 2, попадает на поворотное зеркало 3, а затем с помощью зеркала 4 фокусируется на входное отверстие СБМ резонатооа 5.

;. -Резонатор 5 заполнен газообразным рабочим веществом при давлении меньше одного мм рт.ст. Излучение накачKliV пбглбщаемое на враадательнЬ-коле Ъат1Йь ййх ерех6дах, приводит к вознШновению СБМ излучения на чисто йращательнах переходах в заполняющем резонатор ь веществе. Излучёние СБМ, лазера 9 выводится из резонатора отверстие в одном из зещал. Ji рестройка бВМ лазерапо дЛйнаКГволн дсуи сг вляется путем изменения длины волны излучения накачки с пЪмощьй дифракционной решетки 2 и перестройки длины резонатора 5. Эффективность изобретения подтверждается тем, что при заипрлнении СБМ резонатора парами 1,3-ди6кЪана и перестройке СО,-ла&е)а о , Р и R ветвей полосы 9,6 Mi f/fti y4eHa генерация в субмиллиметровом диапазо л. - , L а- - 4f

не на 7 линиях, причем длина волны двух наиболее интенсивных линий равна 756 и 825 мкм, которые не наблюдаются при использовании известных активных веществ.

Формула изобретения

Применение паров 1,3-диоксана в качестве .активного вещества субмиллиметровОго лазера с накачкой излучением сО -лазера. ,

Источники информации, принятые Bcf внимание при экспертизе

1. Э .3. Calager eta 1 t ,-. chnf rared Phys. , 1977, V. 17, p. 43. . Дюбко С.Ф. и др. Газовые лазеры субмиллиметрового диапазона с накачкой излучением аз ера. Письма в ЖЭТФ, 1972, т. 16, вып. 11, с. 592.