СВЧ широкополосный мощный транзистор Советский патент 1986 года по МПК H01L27/02 

Изобретение относится к области промышленного изготовления СВЧ мощных широкополосных транзисторов.Для согласования входного импеданса мощного СВЧ транзистора в определенной полосе частот используют LC цепочки Известен мощный широкополосный транзистор, который содержит ряд транзисторов, соединенный между собой проволочными перемычками,соглас ющие входные элементы. Кристалл транзистора выполнен в виде ряда транзисторных структур с последовательно чередующимися кон тактными площадками под эмиттерные и базовые выводы. Входная согласующая цепочка состоит из двух криста лов МДП-конденсаторов и индуктивнос проволочных выводов. Расстояние между кристаллами тра зистора, конденсаторов и выводами корпуса выбрано сучетом необходимых значений эмиттерной и базовой индуктивности. Основным недостатком этого транзистора является большая площадь, занимаемая всеми элементами транзистора и периферийное расположение кристалла транзистора, приводящее к неравномерному отводу тепла через корпус, что вызывает снижение уровня выходной мощности и коэффициента уси ления. Наиболее близким к изобретению является СВЧ широкополосный мощный транзистор, содержащий ряд транзисто ров и входные согласующие элементы, выполненные на полупроводниковой под ложке в виде секций МДП-конденсаторов, индуктивно связанных с базами. транзисторов, общей базовой металлизацией и проволочными перемычками между собой и ряда контактных площадей, омически связанных с упомянутой подложкой и индуктивно - с эмиттерами транзисторов. Транзисторная структура выполнена по гребенчатой геометрии, причем базовые области охватывают области эмиттера. Недостатками этой конструкции является то, что при изготовлении тран зисторов большей мощности и при работе на рассогласованную нагрузку выполнение входной цепочки описанной конструкции недостаточно для полного и равномерного согласования входа из за появления краевых эффектов при передаче входной мощности это вызы002влет в крайних транзисторных структур ячейки кристалла транзистора пе регрев по сравнению со средними транзисторными структурами. Цель изобретения - повышение равномерности распределения рассеиваемой мощности и устойчивости к рассогласованию с нагрузкой. Цель достигается темзчто в широкополосном СВЧ транзисторе эмиттерные области транзисторов, выполненные в виде гребенчатой структуры, охватывающей базовой области, и крайние секции конденсаторов охватывают по периферии со стороны общей базовой металлизации секции согласующих МДП-конденсаторов,соединены металлической дорожкой между собой и индуктивно связаны только с общей базоной металлизацией На чертеже схематически показан предлагаемьй мощный широкополосный СВЧ транзистор. Он содержит корпус 1, базовый, эмиттерный и коллекторный выводы 2, 3 и 4 соответственно, контактную площадку под МДП конденсатор 5,кристалл транзистора 6 и кристалл МЩ конденсатора 7. Кристалл транзистора 6 состоит из трех ячеек 8, каждая из которых имеет ряд транзисторных структур 9с базовыми 10 и эмиттерными 11 контактными площадками. Кристалл ВДП-конденсатора 7 состоит из расположенных по периферии со стороны кристалла транзистора 6 контактных эмиттерных площадок конденсатора 7, которые имеют внешнюю контактную площадку 12, общие 13 и отдельные. 14 эмиттерные площадки. Все контактные площадки 12,13 и 14 имеют омический контакт с подложкой МДП-конденсатора.Базовый электрод конденсатора 7 состоит из двух внешних секций 15 и 16, объединённых металлической дорожкой 17, и внутренних секций 18, объединенных только между собой металлическими дорожками 19, Базовьм вывод 2, базовые электроды МДП-конденсатора 7 и базовые контактные площадки 10 соединены проволочными перемычками 20, а эмиттерные контактные площадки 12, з и 14 М,ЦП - конденсатора, эмиттерные контактные площадки транзис- тора 6 и эмиттерный вывод 3 объединены проволочными перемычками 21.

СВЧ ШИРОКОПОЛОСНЫЙ МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР,содержащий ряд транзисторов и входные согласующие элементы, выполненные на полупроводниковой подложке в виде секций МДП-конденсато- ров, индуктивно связанных с базами транзисторов, общей базовой металлизацией и проволочными перемычками между собой, и ряда контактных площадок, омически связанных с упомянутой подложкой и индуктивно - с эмиттерами транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности распределения рассеиваемой мощности и устойчивости к рассогласованию с нагрузкой, эмиттерные области транзисторов, вьтолненные в виде гребенчатой структуры, охватывающей базовые области, а крайние секции конденсаторов охватывают по периферии со стороны общей базовой металлизации секции согласующих ЦЩТ-конденсаторов, соединены металлической дорожкой между собой и индуктивно связаны только с общей базовой металлизацией.^