Экран для защиты фундаментов зданий,сооружений от воздействия колебаний грунта Советский патент 1980 года по МПК E02D27/34 

(54) ЭКРАН ДЛЯ ЗАЩИТЫ ФУНДАМЕНТОВ ЗДАНИЙ, СООРУЖЕНИЙ ОТ ВОЗДЕЙСТВИЯ КОЛЕБАНИЙ ГРУНТА

I

Изобретение относится к строительству, а именно к строительству зданий, сооружений в условиях сейсмических воздействий.

Известны экраны для защиты зданий, сооружений от воздействия сейсмических колебаний, выполняемые в виде образованной на некотором расстоянии от здания, сооружения по его периметру траншеи, заполненной поглощающим колебания материалом 1,

Недостатком таких экранов является то, что гашение колебаний осуществляется только за счет поглощающих свойств материала заполнения.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является экран для защиты фундаментов зданий, сооружений от юздействия колебаний грунта, включающий образованную на расстоянии от , сооружения по его периметру транщею с переменным поперечным сечением по высоте и размещенный в ней поглощающий колебания материал 2.

Недостатком этого экрана является малая эффективность гашения колебаний вследствие малого их рассеивания.

Целью данного изобретения является повышение эффективности гащения колебаний.

Поставленная цель достигается тем, что в экране для защиты фундаментов зданий, сооружений от воздействия колебаний грунта, включающим образованную на расстоянии от здания, сооружения по его периметру траншею с переменным поперечным сечением по высоте и размещенный в ней поглощающий колебания материал, одна из стен транщеи выполнена по выпуклой кривой второго порядка.

При этом одна из стен транщеи может быть выполнена по окружности.

На чертеже схематично изображен экран, образованный в грунте на расстоянии от фундамента здания, сооружения.

Экран для защиты фундаментов зданий, сооружений от воздействия колебаний грунта включает образованную на расстоянии 20 от здания, сооружения 1 по его периметру траншею 2 с переменным поперечным сечением по высоте и размещенный в ней погло, щающий колебания материал 3, одна из стен 4 траншеи выполнена по выпуклой кривой второго порядка или может быть выполнена по окружности.

Траншея перекрыта плитами 5, опирающимися на угловые элементы 6.

Часть поверхностных волн 7 сейсмического толчка, встречая на пути распространения преграду, поглощается материалом 3 заполнения экрана, часть отражается преимущественно в направлении фокуса линзы-экрана F, создавая перед экраном зону рассеивания. Прошёдщая через экран часть энергии колебаний рассеивается криволинейной поверхностью траншеи и, сталкиваясь с огибающими экран колебаниями, частично рассеивает их, увеличивая размеры так называемой зоны геометрической тени, зоны с малой интенсивностью колебаний, образующейся за экраном.

На чертеже приведен пример экрана с криволинейной задней по отнощению к распространению колебаний стенкой траншеи. Экран может быть выполнен и в форме траншеи с выпуклой навстречу колебаниям стенкой. В этом случае перед экра:ном образуется усиленная зона рассеиван 1я колебаний за счет криволинейного очертания препятствия, а прошедшие через экран колебания будут фокусироваться при соответствующе подобранном радиусе кривизны стенки транщеи в некоторой точке, отстоящей от объекта.

;

Описываемое техническое решение позволяет увеличить эффективность гашения распространяющихся в грунте колебаний сейс.мического происхождения за счет повышения отражающей способности сейсмозащитного экрана.

Формула изобретения

грунта, включающий образованную на расстоянии от здания, сооружения по его периметру транщею с переменным поперечным сечением по высоте и размещенный в ней поглощающий колебания материал, отличающийся тем, что, с целью повыщения эффективности гащения колебаний, одна из стен траншеи выполнена по выпуклой кривой второго порядка.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Баркан Д. Д. Расчет и проектирование фундаментов под машины с динамическими нагрузками. М.-Л., Госстройиздат, 1938, с. , рис. 120-122.

2. Авторское свидетельство СССР № 601355, кл. Е 02 D 27/34, 1976 (прототип).