Устройство для моделирования полупроводникового элемента Советский патент 1980 года по МПК G06G7/62 

того, .устройство содержит допол1истельно операциОннь1Й усилитель и транзистор, база 7соторого соединена с гошертирующим входом дополнительдого операционного усилителя, выходы операционных усилителей подключены к соответствующим входам генератора тока, выход которого через генератор напряжения соединен с коллектором транзисторов, эмиттеры, которых объед1шены, а генератор , тока вьшолнен на транзисторе. Такое ус-кройство позволяет моделировать изменение коэффициента г редачи тока транзистора без изменения входных и выходных характеристик, что обеспечивает высокую точность соответствия модели поведению транзистора,, но точность моделирования определяется точностью совпадения характеристик парноподобных транзисторов. Так как подобрать пару транзис1Х)ров с полным совпадением характеристик не удается, то неточность подбора повлияет на точность моделирования. Другим недостатком известной конст1:1у :цин является сложность устройства , так как оно включает дорогостоящие элементы, такие ,как операционные усилители, парноподобрпнные транзисторы и т.д. Цель изобретения - повышение точно сти и упрощение устройства. Указанная цель достигается тем, что в устройстве для моделирования полупро водшжово1Х1 элемента, содержащем операищонный усилитель, в обратную связь которого включ- н делитель напряжения, выход операционного ус1У1Ителя через преобразователь напряш ние - ток подключен к базе атранзистора,. неинвертирующий вход операдиошюго усилителя че рез развязывающий диод подключен к коллектору транзистора, база транзистора соединена с неинвертирующим входом операциошадго усилитоля. На чертеже представлена блок-схема устройства. Устройство для моделирования полупроводникового элемента состоит из операционного усилителя 1, в обратную связь которого включен делитель 2 напряясення, генератор 3 тока, содержаще транзистор 4, к базе которого подключе преобразователь 5 напряжение-ток, сое диненный своим входом к выходу операционного усилителя, развязывающего диода 6, включенного между коллекторо транзистора и точкой соединения базы 8ТОГО транзистора с неинвертирующим ходом операционного усилителя 1. Прием за базу модели принимается инверирующий вход операциоьгаого ус1шителя 1 а эмиттер и коллектор - соответствуюие выводы транзистора 4.. В базу модели, являющуюся инвертиующим входом операционного усилителя 1 (ОУ), задается входной ток. Этот ток благодаря высокому входному сопротивлению ОУ будет протекать через делитель 2 напряжения и вызовет на входе ОУ напряжение, пропорциональ юе входному току. С помощью преобразователя 5 налряжение-ток в базу транзистора 4 поступает ток, пропорциональный входному току модели, В соответствии с входной характеристикой: транзистора на его базе появляется напряжение U , которое, передаваясь на неинвертирующий вход ОУ 1, вызывает на 1швертирующем входе, явлшощемся базой модели, такое же напрят ение U. Диод 6 обеспечивает влияние коллектора транзистора на входную характеристику модели. Таким образом, при изменении сопротивления делителя 2 напряжения изменяется коэффициент пропорциональности между входным током модели и током базы транзистора, а следовательно, и выходным током транзистора и происходит изменение коэффициента передачи тока модели транзистора. При этом входные и выходные характеристики модели остаются такими же, как в случае реального транзистора. Предлагаемое устройство для моделирова шя полупроводникового элемента по сравнению с лучщими образцами аналогичного оборудования позволяет повысить точность моделирования изменений коэффициента передачи тока без изменения остальных характеристик транзистора. Формула изобретения Устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее операционный усилитель, в обратную связь которого включен делитель напряжения выход операшюнногч) усилителя через преобразователь напряжение-ток подключен к базе транзистора, о т л и ч а ю- щ е е с я тем, что, с целью повьппения точности и упрощения устройства, неинвертирующий вход операшюшюго усилителя через развязьгоающий диод подключен к коллектору транзистора.

база TpaKcsnc-ixjpa соединена с нешшертируюшим входом операциотгого усютителя.

Источшжи шфэрмашш, принятые во внимание при экспертизе

7329176

1 .Степанегасо И. П. Остовы Tfxtpioi транзисторов и транзисторных . М, ЭнергияГ 1973, с. 209-214.

2. Авторсюте свидетельство CCCF 5 по заявке № 247385О/18-24, . кл.СО 6G 7/62, 1977.