Устройство для регистрации оптической информации Советский патент 1980 года по МПК H04N5/84 

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ

I

Изобретение относится к иэмеритепьной Технике и может быть использовано для измерения параметров излучения оп тических квантовых генераторов и магнитного фотографирования.

Известно устройство для записи и хранения оптической информации, состоящее из подложки, на которую поспедоватепьно нанесены магнитный регистрирующий слой, электрод , слой фотопроводника и прозрачный электрод 1. Магнитный регистрирующий слой представляет ферромагнитную пленку. Информация считывается магнитно-оптичесКи через подложку.

Недостатком этого устройства являет- „ ся невозможность применения дифракционного способа визуализации записанного оптического изображения с помощью магнитного коллоида.

Наиболее близким по технической cym-jg яости к предлагаемому является устройство для регистрации оптической информации, содержащее тонкую магнитную пленку с полосовой структурой, покрытую со

стороны воспроизводимого изображения магнитным коллоидом с прозрачным покрытием, и полупроводниковый преобразователь 2.

Недостатком такого устройства является низкая разрещающая способность вследствие диффузионного характера движения носителей заряда в фотопроводящем слое и наличие значительных искажений при записи оптической информации, связанных с неоднородностью электрофизических и фотоэлектрических свойств фотопроводящих слоев.

Цель изобретения - повышение разрешающей способности и уменьшение .искажений при записи оптической информации.

Поставленная цель достигается тем, что полутфоводниковый преобразователь выполнен в виде низкоомной монокристаллической полупроводниковой подложки,на одну сторону Которой нанесен периферийный кольцевой омический контакт, а на другую сторону последовательно нанесены высоко- омный эпитаксиальный полупроводниковый СЛОЙ с :.тем же типом проводимости, что и попложка, диэлектрический слой с отверстиями, в которых располагаются промежуточные металлические электроды, образующие барьер Шотткис эоттак-. .сиальным слоем, и резистивный слой. На чертеже представлена схема устройства для регистрации оптчческой ин: формации. Устройство СрСТОИГ из НИЗКООМНОЙ МО-: цокристаллической полупроводниковой noitложки 1 (электрода), на одну сторону которой найёсвн периферийный кольцевой омический контакт 2, а на фугую сторону последовательно нанесены высокоомный ёпитаксиальный пощпрсжодниковый слой 3 с тем же типом проводимости, что и йбдложка, диэлектрический слой 4 с отвер стиями, в которых располагаются промежуточные металлические электроды 5, образующие ёарьер Шотгки с зпитаксиальным слоем 3, резистивный слой 6, магнитная пленка 7 cTJDaSrp-доменного типа, служащая бйНбйременно вторым алектрбДоМ, и магнитный коллоид, закрытый стеклом 8, На алектрош, подается импульснапря жёнйя прямоугольной формы и одновременно с ним световой импульс. Регистрируемоё излучение, пройдя через слои 2 и 3, у5ёл йчиваёт обратный тоК барьера Шоттки В месте засветки в соответствии с интенсивностью излучения. Основная доля.теп Зотой энергии выделяетсй в резШгйёйЬм слое 6 и передается путем теплопроводности магнитному регистрирующему слою 7; % нагретых участках кЬто15ЬРоуйёньша Iffgaйагнйтное трение и страйп-структура рёлаксирует к новому равновесному состоянию, т. е. происходит поворот страй пов на угол, пропорциональный количеству выделившейся в высокоомном резистив номслое тепловой энергий . В устройстве достигнута высокая разрещающая способность, так как использование; в качестве полупроводникового пре o6pd3t)BairiBhiB эпитаКсиапьной структуры с барьером Шоттки с нанесенным на :г нее резистивньгм слоем и выпохшение токопроводящего слоя в виде отдельных прсмежуТОЧНЫХ металлических электродов приводит к уменьшению растекания нйсйтелей заряда в полуПровооникё вследствие дрейфовогй характера их движения в эпитйКсиальном слое, уменьшению растекания тепла в полупроводнике и растекания носителей заряда в металлич1вском электроде. Кроме того, устройство обладает минимальными искажениями при записи оптической информации, поскольку эпитаксиальный слой, выращенный на монокристаллической полупроводниковой подложке, имеет высокую однородность электрофизичес-ких и фотоэлектрических свойств. Предлагаемое устройство используется для анализа структуры излучения импульсных оптических квантовых генераторов и магнитного фотографирования. Формулаизобретени - Устройство для регистрации оптической инфдрЙацйИ, содержащее тонкую магнитную пЛёнку с полосовой структурой, покрытую со стороны воспроизводимого изображения магнитным коллоидом, с прозрачным покрытием, и полупровогщиковый преобразователь, о т. л ,и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения разрешающей способности и уменьшения искажений при записи оптической информации, полупроводниковый преобразователь выполнен в виде НИЗКООМНОЙ монокристаллической полупроводниковой подложки, на одну сторону которой нанесен периферийный кольцевой омический контакт, а на другую сторону последовательно нанесены высокоомный эпитаксиальный полупроводниковый слой с тем же типом проводимости, что и подложка, диэлектрический слой с отвер4 стиямй, в которых располагаются промежуточные металлические электроды, образуюшие барьер Шоттки с эпитаксиальным слоем, и резистивный слой., Источники информации, принятые бо внимание при экспертизе 1.J.P.Krunime,H.Heitmc n,D.MotkeiKq. and K.ithep MOPS,01 magnA ovopticphotocondueior sc«tid wich for opticdfinfopmaiionistoroipe J.App Phyg i977, 48.1 p. 366-368. 2.Авторское Ьвидетельство СССР № 29837O, кл. Н 04 N 5/84, 1969 (прототип).

/