Устройство управления полупроводниковыми фазовращателями Советский патент 1980 года по МПК H03H7/18 

Изобретение относится к области ради связи и может.быть использовано в устройствах управления антенными решеткам Известно устройство управления полупроводниковыми фазовращателями, содержащее источники прямого и обратного смеодения, в котором с целью защиты эле ментов в цепях переключения источника обратного смещения от коротких замыканий pin -диода или линии связи с фазовращателем, коллектор транзистора переключения источника обратного смещения через сопротивление, ограничивающее ток в аварийном режиме, подключен к источнику обратного напряжения, при этом мощ ный импульс тока для рассасывания объем ного заряда pin -диода в момент переключения создается включением в цепь коллектора указанного транзистора катушки индуктивности Щ, Недостатком такого устройства являет ся потеря мощности и невозможность микроминиатюрного исполнения. Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является устройство, содержащее транзистор переключения источника прямого смещения, транзистор переключения источника обратного смещения, коллектор которого подключен к источнику обратного смещения непооредственно или через токоограничивакхций резистор, а эмиттер или коллектор транзистора переключения источника прямого смещения подключен к источнику прямого с мещения непосредственно шш также через токоограничивающий резистор 2., Отсутствие защиты элементов схемы переключения источника обратного оме- щения от коротких замыканий линии или pln диода снижает надежность этого устройства. Целью изобретения является повышение надежности. Поставленная цель достигается тем, что в устройство управления подупроводниковыми фазовращателями, содержащее источники прямого и обратного смещения, тра кзисторы прямого к обратного смещен 1я, которые соединены с инвертирующим усилителем, с источником напряжения прямого смещения и полупроводниковыми фазоврашателями, введены после доб а те ль- но вк ооченные формирователь импульсов и коммутирующий транзистор, коллектор которого через резистор подключен к коллектору транзистора переключения обратного смещения, а эмиттер соединен с ис точником напряжения обратного смещения и через ограничительный резистор - с инвертирующим усилителем и с базой транзистора обратного смещения, На чертеже показана схема описываемого устройства управления полупроводниковыми фазовращателями. Устройство содержит транзистор переключения источника прямого смещения 1, транзистор переключения источника обратного смещения 2, транзистор 3 инвертирующего усилителя, токоограничивакщий резистор 4, коммутирующий транзистор 5, база которого подключена к устройству формирования коммутирующих импульсов 6, согласующие резисторы 7 и 8, piti диоды 9 и 1О (полупроводникоБые фазовращатели). Устройство управления полупроводниковыми фазовращателями является частью устройства управления фазированной антенной решеткой. Сигнал управления, действующий на одном из управлякяцих входов обеспечивает установку режима прямо го или обратного смещения пары pin-ДИодов 9 и 1О одного разряда фазовращателя. Количество управляющих входов управ ления равно произведению количества фазовращателей на разрядность одного фазовращателя. Устройство работает следующим обраНа базу транзистора переключения источника прямого смещения 1 и транзисто ра 3 инвертирующего усилителя от регис ра памяти фазового распределения антенной решетки (на чертеже не показан) по ступают управления РП -диодами 9 и 1О в виде высокого и низкого уровней напряжения. Низкому уровню напряжения соответствует режим прямого смещения pin- диодов 9 и 10 (диоды 9 и 10 открыты и через них течет ток от источника прямого смещения Е Высокому уровню напряжения на входе соответствует режим обратного смещения (pin- диоды 9 и 10 закрыты напряжением источника обратного смешения Ер.„ В режиме прямого смещения транзистор переключения источника прямого смещения 1 находится в состоянии насыщения, а транзистор переключения источника обратного смещения 2 - в состоянии отсечки, при этом к pin- диодам 9 и 10 через переход коллектор-эмиттер транзистора переключения источника прямого смещения 1 и согласующие резисто-ры 7 и 8 подключается источник прямого смещения. Независимо от режима прямого или обратного смещения pin- диодов 9 и 1О коллектор транзистора переключения источника обратного смещения 2 лериодически подключается к источнику обратного смещения через переход коллекторэмиттер коммутирующего транзистора 5 на время действия на-его базе коммутирук щйх импульсов. в режиме обратного смещения pinДИОДОБ 9 и 10 транзистор переключения источника прямого смешения 1 и транзистор 3 инвертирующего усилителя закрыты, и на базе транзистора переключения источника обратного смещения 2 относительно эмиттера устанавливается отрицательный потенциал, а переход база-эмиттер открыт, и pin-диоды 9 и 10 находятся под аапирагацим напряжением источника обратного смещения. Для ускорения рассасывания объемно заряда pin-диодов 9 и 10 при пере оде от режима прямого к режиму обратного смещения коллектор транзистора переключения источника обратного смещения 2 на время, равное длительности коммутирующих импульсов, подключается к источнику обратного смещения. Коммутирующие импульсы формируются с помощью устройства формирования коммутирующих импульсов 6. в случае короткого замыкания р пдиодов 9 или 1О или линии связи, за время длительности коммутирующего импульса через токоограничивакяций резистор 4, транзистор переключения источника обратного смешения 2 и согласукгцие резисторы 7 и. 8 течет ток, по величине близкий максимальному значению рассасывающего тока, а при отсутствии коммути-. рующего импульса течет ток от источника обратного смещения через коллекторную нагрузку транзистора 3 инвертирующего усилителя, переход база-эмиттер транзистора переключения источника обратного