Анодный заземлитель Советский патент 1980 года по МПК H01R4/66 H02B1/16 

Описание патента на изобретение SU767877A1

(54) АНОДНЫЙ ЗАЗЕ1« ИТЕЛЬ

Изобретение относится к катрдйой защите подземных сооружений от коррозии и передаче постоянного тока на расстояние по системе провод-земля, а более конкретно - к заземлителям 5 постоянного тока положительной полярности и найдет применение в нефтяной, газовой и энергетической npONeasnineH, ностях, а такххе в коммунальном ко- . зяйстве.10

Известен анодный заземлитель, содержащий электрически соединенные электроды постоянного сечения tlj.

Недостатком этого заземления является низкий срок службы из-за нерав- 5 номерного разрушения отдельных электродов в неоднородном грунте.

Наиболее близким к предложенному является анодный заземлитель, содер-. жащий электрически соединенные между 20 собой полые цилиндрические электроды 2.

Недостатком этого заземлителя является низкий срок службы в неоднородных грунтах.25

Цель изобретения - увеличение срока службы анодного заземлителя в неоднородных грунтах.

Эта цель достигается тем, что в анодном заземлителе, содержащем элек-зо

трически соединенные между собой полые цилиндрические электроды, электроды выполнены с площадью .поперечного сечения рабочей части, пропорциональной удельной электропроводности окружающего электроды грунта.

На чертеже представлен анодный заэемлитель, разрез.

В скважину 1, заполненную водой или буровым раствором, спущен заземлитель, состоящий из электродов 2, соединенных между собой соединителями - токовводами 3 и проводом 4. Место соединения проводи с токовводами ; изолировано кольцом 5, залитым битумом 6..

Разрез грунта в пределах заземлителя представлен двумя слоями с удельными проводимостями и ,причем -Jjgij к. В соответствии с этим заземлитель выполнен двухступенчатым а отношение площади поперечного се-, чения электрода в верхней ступени к площади сечения электродов в нижней ступени равно.

Электроды анодного эаземлителя в процессе работы подвергаются анодному растворению пропорционально плотности стекающего с них тока. Причем, если .заземлитель находится в неоднородном

Похожие патенты SU767877A1

название год авторы номер документа
АНОДНЫЙ ЗАЗЕМЛИТЕЛЬ 2005
  • Ибрагимов Наиль Габдулбариевич
  • Даутов Фарваз Инсапович
  • Фадеев Владимир Гелиевич
  • Гареев Равиль Мансурович
  • Ибатуллин Равиль Рустамович
RU2294584C1
АНОДНЫЙ ЗАЗЕМЛИТЕЛЬ 2014
  • Геллерштейн Игорь Робертович
  • Грипас Алексей Павлович
  • Паршин Сергей Александрович
  • Тарасевич Марина Васильевна
  • Ибрагимова Виктория Владимировна
RU2574618C1
АНОДНЫЙ ЗАЗЕМЛИТЕЛЬ 2015
  • Геллерштейн Игорь Робертович
  • Толыпин Евгений Сергеевич
  • Паршин Сергей Александрович
  • Тарасевич Марина Васильевна
  • Тимошенко Юрий Николаевич
  • Ибрагимова Виктория Владимировна
RU2605731C1
ГЛУБИННЫЙ АНОДНЫЙ ЗАЗЕМЛИТЕЛЬ 2016
  • Геллерштейн Игорь Робертович
  • Толыпин Евгений Сергеевич
  • Паршин Сергей Александрович
  • Тарасевич Марина Васильевна
  • Богданченко Виктор Анатольевич
  • Ибрагимова Виктория Владимировна
RU2617677C1
ТРУБЧАТЫЙ АНОДНЫЙ ЗАЗЕМЛИТЕЛЬ (ВАРИАНТЫ) 2015
  • Геллерштейн Игорь Робертович
  • Грипас Алексей Павлович
  • Паршин Сергей Александрович
  • Тимошенко Юрий Николаевич
  • Тарасевич Марина Васильевна
  • Ибрагимова Виктория Владимировна
RU2594221C1
Способ электрохимической защиты подземных металлических сооружений 2016
  • Терехин Олег Владимирович
RU2633440C1
ПОВЕРХНОСТНЫЙ АНОДНЫЙ ЗАЗЕМЛИТЕЛЬ 2016
  • Геллерштейн Игорь Робертович
  • Толыпин Евгений Сергеевич
  • Паршин Сергей Александрович
  • Тарасевич Марина Васильевна
  • Богданченко Виктор Анатольевич
  • Ибрагимова Виктория Владимировна
RU2621507C1
ТРУБЧАТЫЙ АНОДНЫЙ ЗАЗЕМЛИТЕЛЬ 2018
  • Геллерштейн Игорь Робертович
  • Тольпин Евгений Сергеевич
  • Паршин Сергей Александрович
  • Тарасевич Марина Васильевна
  • Богданченко Виктор Анатольевич
  • Ибрагимова Виктория Владимировна
  • Липкин Валерий Михайлович
RU2677199C1
Скважинный анодный заземлитель 1983
  • Даутов Фарваз Инсапович
  • Магалимов Абрик Фазлиахметович
  • Фокин Владимир Петрович
  • Зареченский Евгений Трофимович
  • Локтионов Юрий Максимович
SU1100667A1
Глубинный скважинный анодный заземлитель 1989
  • Ягмур Иван Дмитриевич
  • Зуев Александр Васильевич
  • Бассак Владимир Николаевич
  • Мирошников Владимир Михайлович
SU1664874A1

Иллюстрации к изобретению SU 767 877 A1

Реферат патента 1980 года Анодный заземлитель

Формула изобретения SU 767 877 A1

SU 767 877 A1

Авторы

Даутов Фарваз Инсапович

Даты

1980-09-30Публикация

1978-12-06Подача