Датчик считывания цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1980 года по МПК G11C7/00 G11C11/14 G11C11/155 

евые аппликации 2 шевронной (фиг. 1) или С-образной (фиг. 2) формы, соединенные попарно электропроводящими перемычками 3, геометрические центры которых расположены на определенной кривой, например синусоиде.

Предложенный датчик работает следующим образом.

ЦМД, предварительно растянутый с помощью расширителя, подходит к датчику. Преобладанием в колонке пермаллоевых аппликаций с незамкнутыми концами обеспечивается хорошее растяжение домепа при переходе его на датчик. Полем рассеяния ЦМД пермаллоевая кривая, образованная электропроводящими перемычками, по которой в это время пропускается электрический ток, перемагничивается. Вследствие магниторезистивного эффекта меняется сопротивление датчика, что приводит к появлению сигнала считывания, величина которого пропорциональна длине пермаллоевой кривой. Благодаря гладкости пермаллоевой кривой (из-за малого относительного сдвига соседних электропроводящих перемычек) она хорошо перемагничивается полем рассеяния домена, чем обеспечивается высокая чувствительность датчика. Кроме того, эффективная чувствительность датчика может быть повышена за счет лучшего отделения сигнала от помехи в результате того, что длительность и форма сигнала могут свободно изменяться подбором амплитуды и периода пермаллоевой кривой.

Применение предложенного датчика считывания ЦМД позволяет увеличить чувствительность за счет увеличения длины электрической цепи, образуемой пермаллоевой кривой, улучшения условий прохождения домена и, следовательно, увеличения напряженности магнитных полей рассеяния от него и улучшения возможности отделения сигнала считывания от помехи.

Формула изобретения

Датчик считывания цилиндрических магнитных доменов, содержаш,ий магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены пермаллоевые аппликации, например, шевронной формы, соединенные попарно электропроводящими перемычками, отличающийся тем, что, с целью повыщения чувствительности датчика, электропроводящие перемычки расположены одна относительно другой со сдвигом, не превышающим щирину перемычки, при этом геометрические центры электропроводящих перемычек расположены на определенной кривой, например синусоиде.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Патент США № 3810132, кл. 340-174, 1974.

2.JEEE Trans. Magn., V. 13, № 4, 1977, p. 1041 (прототип).