Бестрансформаторный усилитель мощности Советский патент 1980 года по МПК H03F3/26 

Выходной двухтактный каскад 2 состоит из двух пар транзисторов 3 и 4, 7 и 8 одинакового типа проводимости в каждой паре, но с противоположной проводимостью между парами. Это позволяет подобрать транзисторы 3 и 4, 7 и 8 с одинаковыми характеристиками в каждой двухтактной паре или изготовить их одинаковыми при интегральном исполнении усилителя. Различие же характеристик между парами не вызывает нелинейных искажений.

Преимущества предлагаемого усилителя:

высокая симметрия схемы, так как каждый из транзисторов предоконечного каскада 5 и 6 имеет одинаковые нагрузки для коллекторной и эмиттерной цепи;

использование для раскачки транзисторов 3, 4, 7, 8 как коллекторного, так и эмиттерного тока каждого из транзисторов 5, 6 позволяет снизить вдвое мощность транзисторов 5 и 6;

значительное умепьщение динамических искажений в выходном двухтактном каскаде 2, так как при запирании выходного эмиттерного повторителя одного типа проводимости при крутом перепаде возбуждающего напряжения, второй выходной эмиттерный повторитель не запирается вследствие того, что имеет противоположный тип прЬводимости;

увеличение мощности выходного каскада за счет увеличения числа применяемых транзисторов при значительно лучщем распределении токов транзисторов 3, 4, 7, 8 по сравнению с обычным параллельным включением транзисторов в выходном каскаде.

Удобство схемы для интегрального исполнения. Кроме того, резисторы 9, 10, 11 и 12, можно исключить из схемы (заменив их изоляторами). В этом случае коллекторные и эмиттерные токи транзисторов предоконечного каскада 5 и 6 будут базовыми токами выходных транзисторов 7 и 8.

Формула изобретения

Бестрансформаторный усилитель мощности на транзисторах структуры р-п-р и п-р-п, содержащий предварительный каскад усиления и выходной двухтактный

каскад, в первом из плеч которого последовательно включены первый и второй каскады на транзисторах с разной структурой включенных по схеме с общим эмиттером и резистором в цепи эмиттера транзистора

первого каскада, а во втором плече - первый и второй каскады на транзисторах с одинаковой структурой включенных по схеме с общим коллектором, отличающийся тем, что, с целью уменьшения нелинейных искажений и увеличения выходной мощности, в цепь коллектора транзистора первого каскада второго плеча введен резистор, в первое плечо двухтактного каскада введен третий каскад на транзисторе, включенном по схеме с общим коллектором, причем база транзистора подключена к эмиттеру транзистора первого каскада первого плеча, во второе плечо - третий каскад на транзисторе, включенном по

схеме с общим эмиттером, причем база транзистора подключена к колектору транзистора первого каскада второго плеча, введенные третьи каскады выполнены на транзисторах с одинаковой структурой,

отличной от структуры транзисторов вторых каскадов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР

№ 457156, кл. Н 03 F 3/26, 1975 (прототип).