Ждущий мкльтивибратор Советский патент 1980 года по МПК H03K3/284 

1

Изобретение относится к импульсной технике, может быть использовано в импульсных устройствах, подвергающихся воздействию импульсных помех при длительности импульсов менее 10 мксек. Указанный,жду, щий мультивибратор может быть использован как в наземной, так и в бортовой радиоаппаратуре.

Известен ждущий мультивибратор, содержащий два транзистора, соединенные эмиттерами, времязадающий конденсатор и режимные резисторы. Один из резисторов находится в цепи эмиттеров, за счет чего получается обратная связь по цепи эмиттеров. Входной отрицательный сигнал подается через конденсатор и диод на коллектор первого закрытого транзистора и через времязадающий конденсатор - на базу второго открытого транзистора, куда через резистор подается также напряжение источника питания 1.

Недостатком этого ждущего мультивибратора является его низкая помехоустойчивость, приводящая к срабатыванию и выдаче ложного сигнала при наличии помех на входе.

Известен ждущий мультивибратор, содержащий два транзистора, времязадающий и разделительный (входной) конденсаторы, входной диод и режимные резисторы 2.

Известное устройство обладает рядом недостатков. Первым является его низкая

5 помехоустойчивость; достаточно на его входе возникнуть помехе определенной амплитуды и малой длительности, как он сработает и выдает ложный сигнал. Вторым недостатком прототипа является необходимость иметь два источника питания, что существенно снижает возможность его использования.

Целью настоящего изобретения является исключение ложного сигнала со ждущего

15 мультивибратора при воздействии импульсных помех, т. е. повыщение его помехоустойчивости.

Для достижения указанной цели в мультивибратор, содержащий входной и выходной транзисторы, эмиттеры которых соединены с щиной источника питания, которая через резисторы соединена с базами этих транзисторов, коллекторы которых через резисторы соединены между собой и с другой щиной источника питания, конденсатор, резисторы, диод, введены два диода, пороговый элемент и транзистор, эмиттер которого соединен с анодом диода, одним вьшодом порогового элемента и общей шиной, которая через цепочку, состоящую из параллельно соединенных конденсатора и резистора, соединена с базой введенного транзистора и с катодом второго диода, анод которого через резистор соединен с шиной источника питания, а через третий диод - с катодом первого диода, другим выводом порогового элемента и коллекторными резисторами основных транзисторов, причем коллектор введенного транзистора через резистор соединен с базой выходного транзистора.

В ждущем мультивибраторе пороговый элемент может быть выполнен на основе халькогенидного стеклообразного полупроводника.

На чертеже представлена принципиальная схема устройства.

Предлагаемый ждущий мультивибратор содержит транзисторы 1-3, разделительные диоды 4, 5, опорный диод 6, стеклообразный полупроводник 7, конденсатор 8, резисторы 9-16. Коллекторы транзисторов соединены через соответствующие режимные резисторы 11, 13 с одним полюсом стеклообразного полупроводника, другой полюс которого подключен к корпусу.

Опрос стеклообразного полупроводника осуществляется током через режимный резистор 12 и диод 4. Сигнал на базу транзистора 3, к которой подключены также конденсатор 8 и резистор 16, снимается с диода 4 через диод 5. Коллектор транзистора 3 через режимный резистор 15 подключен к базе транзистора 2 и к резистору 14. Эмиттеры транзисторов 1, 2 подключены к плюсовой шине питания. Входной сигнал подается на резистор 9, подключенный к базе транзистора 1 и к резистору 10.

Предлагаемый ждущий мультивибратор работает следующим образом.

До поступления входного отрицательного сигнала стеклообразный полупроводник 7 находится в низкоомном состоянии, транзисторы 1, 2 закрыты положительными потенциалами +5 в, а транзистор 3 закрыт практически нулевым напряжением на его базе.

Входной отрицательный сигнал длительностью порядка 10 мксек переводит стеклообразный полупроводник в высокоомное состояние. Конденсатор 8 через резисторы 12 и 16 заряжается до напряжения отпирания транзистора 3, и открываются транзисторы 3 и 2. Через время, приблизительно равное 20 мс, стеклообразный полупроводник переходит обратно в низкоомное состояние, соответственно закрываются транзисторы 3, 2, и конденсатор 8 разряжается через резистор 16. Устройство снова готово к работе.

Бремя задержки входного сигнала определяется временем заряда конденсатора 8 через резисторы 12 и 16 до напряжения открывания 1;раизистора 3 и временем перевода стеклообразного полупроводника в низкоомпое состояние.

Импульсные помехи длительностью мепее 10 мксек не запускают это устройство, так как стеклообразный полупроводник не переходит в этом случае в высокоомное состояние.

По сравнению с известными схемами ждущего мультивибратора данная схема

имеет значительное иреимущество в связи с новым выполнением одного транзистора схемы - установлен пороговый (по длительности) элемент на основе халькогенидного стеклообразного полупроводника со

схемой управления. Стеклообразный полупроводник обладает пороговыми (по длительности) свойствами и может при воздействии импульсных помех длительностью менее 10 мксек сохранять записанную

в него информацию.

Предложенное подключение халькогенидного стеклообразного полупроводника ко входу транзистора, куда подключен также времязадающий конденсатор, нозволит получить помехозащищенный ждущий мультивибратор, срабатывающий только при достаточно длительных входных сигналах.

Поэтому по сравнению с известными ждущими мультивибраторами данный

мультивибратор имеет более высокую помехоустойчивость.

Формула изобретения

1.. Ждущий мультивибратор, содержащий входной и выходной транзисторы, эмиттеры которых соединены с шиной источника питания, которая через резисторы соединена с базами этих транзисторов, коллекторы которых через резисторы соединены между собой и с другой шиной источника питания, конденсатор, резисторы, диод, отличающийся тем, что, с целью, исключения ложного сигнала при воздействии импульсных помех, в него введены

два диода, пороговый элемент и транзистор, эмиттер которого соединен с анодом диода, одним выводом порогового элемента и общей шиной, которая через цепочку, состоящую из параллельно соединенных

конденсатора и резистора, соединена с базой введенного транзистора и с катодом второго диода, анод которого через резистор соединен с шиной источника питания, а через третий диод - с катодом первого

диода, другим выводом порогового элемента и коллекторными резисторами основных транзисторов, а коллектор введенного транзистора через резистор соединен с базой выходного транзистора.

2. Мультивибратор по п. 1, отличающийся тем, что пороговый элемент выполнен на основе халькогенидного стеклообразного полупроводника.

Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе

1. Схемы с полупроводниковыми приборами под общей редакцией Р. М. Малинина, Военное издательство МО СССР, М., 1960, с. 83.

2. Основы импульсной и цифровой техники, М., «Советское радио, 1975, с. 197 (прототип).

fff

вх. 9 -гК11

1

0 (i п/5

/5

й«

1

1