Способ посадки электронов на равновесную орбиту синхротрона Советский патент 1982 года по МПК H05H7/08 

Описание патента на изобретение SU776527A1

UQ - величина пастояншто ошлоляю щепо пшш; « --- со - частота высо.шчастошого откло1няющвг10яюля;f - время.

На чертеже ириведена диаграмма, )рИ1рую1щая гоасадку частиц на ipasHOесную .0|рбиту в ирощеосе мяогоциклавой нжекции iB синхротрон с жесткой факуаиОВКОЙ.

кривая 1 соответствует ускоряющему апряжению синхротрона, кривая 2 - отлоняющему полю, 3 - фазов1ая протяженость огустка электронов, захватыВаемых в режим ускорения в начале чикла ускорения; 4 - фазовая лр|0 тяж1ениость сгустка захватываемьлх в режим уаморения электpoiHOB после трех периодов у1ско|ре нйя; 5 - фазовая п тяженность сгустков инжекпируе)мых элёкт)ронов, :огрупиироваганых на частоте отклоняющего поля.

Посадку элежтранов осуществляют Следующим образом. В месте ш ересечения оси инжекции с ра,В1но Весной орбитой на /инжектируемый пучок предварительно ускораниых электронов воздействуют суперпоаицией постоянното и высойочастотйаго полей. Амплитуду в ысоиочастотнОЛО отклоняющето поля выбирают равной величине П01стоян;но0о отсклоняющего поля. Частоту УгКлОЖюЩепо высокочастотного поля выбирают кратной частоте ускоряющего наП1ряжен1ия с-инкротрона .с кратностью 6. В 1началё .цикла в рёШй бкЬрения в синхротроне с жесткой фокусировкой зах:ватываются электроны, попадающие в фазовый угол уокоряющего напряжения порядка 60-90. --.,.-,,...,. .ПуЧМ инжектируемых электронов предварителкно труппируют на ча1стоте отклоняющвро тюля в фазово-м угле - 60. Отклоняющее поле cnHXpoHiHSMipyroT с предварительно 1СГрупп1Иро1Ваяны1м пучком таким образом, чтобы цент|ры сгустков электрюНОВ с01В(Падали с макаимумлми отклоняющего поля.

Высокочастотное отклоняющее поле синХ1рон1изи;руют С ускоряющим напряжением синхротрона таким образом, чтобы М1а ксиMyMbt отклоняющего поля были си|ммет|рИчны относительно щентра стусткаэлектронов врежим ускорения.

При инжеквдии рЧ р;едных порщий электронов через два периода ускорения в режим ускорения будет за1ХВатЫваться до 30% йновь. инжектируемых частиц, а электроны, захваченные ранее IB р1вжим ускорения, теряться при этом не будут, т. к. ве личина отклоняющего поля в области, занимаемой ранее иижектщро,В1анными электрон aiMW, яе превышает 5-10% от а1мпЛ|Итуды отклоняющего поля.

Использование предлагаемого способа, посадки электронов на ра1В(НО1Вёсную орбиту сиижротрола позволяет реализовать в синжрОТ|роне с жесткой факуаировкой режим мнО1Го1Ц и.кло1вой инжбюции с достаточно высокой эффективностью без существенного усложнения требуемой для этого аппаратуры, в частности, не требуется уста1новки с толщиной внещней штяы - 3 мм.

Формула и 3 О б р е т е н и. я

1.Способ посадки электронов на paiBHoвесную синхротрона, за:ключающийся в том, что инжектируемые электроны отклоняют постоянным поперечным полем, охватывающим равновесную орбиту в месте пересечения оюи инжекции с равновесной орбитой, на угол, равный углу 1между осью инжеюции и касательной к |равновесн10й орбите в точке пересечения, затем уменьшают величину отклоняющего поля до нуля за

время, иа порядок меньшее иремени одного оборота, отличающийся тем, Что, с целью осуществления режи1М|а накопления электронов за счет (МНОГОЦИКЛОВОЙ 1инже(кции в синирютрон, электроны отклоняют

суперпозицией постоягнного и высокочастот,HOiro лолей, 1П1ри1этом амплитуду высокочастотного отклоняющего поля выбирают равной величине постоянлогр откло(няющего поля, частоту - кратной частоте ускюряющего Н1а П ряжения, а фазу 1сдви1гают таКИ|М образом, чтобы максимум тока ускоренных электронов, огруппированнЫХ на Частоте у1скоряюще по напряжения, был рй.сполол ен 1симметр:и чио отнооительно соседних :маисимумов, отклоняющего поля.. 2. Способ по .п. 1, отличающийся те-м, что пучок инжектируемых электронов предварительно группируют на частоте высокочастотного отклоняющего поля, при

этом группирующее вьтсокочастотное лоле синхронизируют с отклоняющим таким образом, чтобы цент1ры огустков инжектируемых электронов совпадали с максимумами откло;няющего поля.

Источивки И|Нформа1ЦИН, принятые во вн:и;ман1ие nipK эк-опертизе:

1.Адо Ю. М. и др. Накопление частиц в синхротроне. Труды международной конференции по ускорителям, Дубна, Атомиздат, 1963.

2.А. Ts. Amatuni et all, «Injection of particles into a strong focusing accelerator Proceeding of the International Conferens on Energy Accelerator and Instrument,

CERN, 1959.

Похожие патенты SU776527A1

название год авторы номер документа
ИНДУКЦИОННЫЙ СИНХРОТРОН С ПОСТОЯННЫМ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ 2015
  • Долбилов Геннадий Варламович
RU2608365C1
СПОСОБ УСКОРЕНИЯ ДВУХ ПУЧКОВ ЭЛЕКТРОНОВ В ОДНОМ ЛИНЕЙНОМ РЕЗОНАНСНОМ УСКОРИТЕЛЕ 2005
  • Гавич Валерий Тимофеевич
RU2313925C2
Способ регулирования интенсивности пучка в циклическом ускорителе заряженных частиц 1982
  • Хуршулян Л.С.
SU1072784A1
Способ измерения плотности заполнения орбиты кольцевого ускорителя сгустками заряженных частиц и устройство для его осуществления 1987
  • Хуршудян Леонид Суренович
SU1614144A1
СПОСОБ СИНХРОННОГО УСКОРЕНИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ В ПОСТОЯННОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ 2015
  • Долбилов Геннадий Варламович
RU2618626C2
СПОСОБ ИНЖЕКЦИИ ПУЧКА В НАКОПИТЕЛЬНОЕ КОЛЬЦО 1991
  • Козлов С.И.
RU2012169C1
Способ ускорения пучка электронов с малой скважностью в циклическом ускорителе 1981
  • Мазманишвили А.С.
  • Репринцев Л.В.
SU997596A1
Способ синхронизации устройств в накопительных электронных синхротронах источников синхротронного излучения 2018
  • Лякин Дмитрий Александрович
RU2689297C1
ИНДУКЦИОННЫЙ ЦИКЛИЧЕСКИЙ УСКОРИТЕЛЬ ЭЛЕКТРОНОВ 2013
  • Долбилов Геннадий Варламович
RU2524571C1
Способ коллективного ускорения ионов 1980
  • Панасюк В.С.
SU917672A1

Иллюстрации к изобретению SU 776 527 A1

Реферат патента 1982 года Способ посадки электронов на равновесную орбиту синхротрона

Формула изобретения SU 776 527 A1

SU 776 527 A1

Авторы

Кроль В.К.

Сардарян Л.А.

Даты

1982-01-07Публикация

1979-05-24Подача