Частотномодулированный генератор на туннельных диодах Советский патент 1980 года по МПК H03K3/315 

жёния, другая клемма которого соединена с общей шиной.

На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема устрбйсТйй; М фит. 2, 3 - вольтамперные характеристики соответствующих пар «туннельный диод-полевой транзистор.

Частотномодулированный генератор на туннельных диодах содержит два туннельных диода 1, 2, катушку индуктивности со средним отводом 3, два полевых транзистора 4, 5, источник модулирующего сигнала 6, источник постоянного напряжения 7.

Устройство работает следуюшим образом. При изменении напряжения источника MOAy fipyibtiiefo ЬЙ1 йаЛа изменяется сопротиЁЛёййе каналов полевых транзисторов, которые подключаются параллельно каждому из туннельных диодов. В результате суммарная вольтамперная характеристика пары туннельный диод - полевой транзистор изменяется (фиг. 2, 3): здесь 8 - характеристика туннельного диода, 9 - характеристика кайала полевого транзистора, 10 - результирующая характеристика.

На фиг. 3 сопротивление канала полевого транзистора меньше, чем на фиг. 2, соответственно изменяется и результирующая вольтамперная характеристика. В результате при- з 1 енении йодулйруЬУщеТо ианряженйя изменяться разностная характеристика пары, туннельных диодов. На фиг. 4, 5 изображены результирующие разностные xapaкfepиcтики для разных значений напряжения Раствор разностййх характеристик по оси нанряжений (см. фиг. 4, 5)йзменяетсй значительно меньше по СрввйеййЮ с аналогичными кривыми ДЙЯ йодуляции смещением. Это бпределяет зн& и ёйъМО меЙШуЮ паразитную амплитудную модуляци1б выходного напряжения заябляемого генератора.

В предлагаемом генераторе также можно получить значительно большую перестройку частоты, что объясняется тем, что ййклой разностных характеристик, определяющих время формирования импульса (на фиг. 4, 5 обведены утолщенной линией) изменяется в больших пределах, нежели при нерестройке частоты нанрял ением в устройстве-прототипе.

Формула изобретения

Частотно-модулированный генератор на

туннельных диодах, содержаний два туниельных диода, катоды которых подключены к соответствующим крайним выводам катушки индуктивности со средиим выводом, аноды туннельных диодов соединены

с общей шиной, которая подключена к положительной клемме источника питания, а средний вывод катушки индуктивности соединен с отрицательной клеммой источника питания, отличающийся тем, что,

с целью расширения диапазона изменения частоты и уменьшения паразитной амплитудной модуляции, в него введены два полевых транзистора, каналы которых подключены параллельно соответствующим

туннельным диодам, затворы полевых транзисторов подключены к одной клемме источника модулирующего напрял ения, другая клемма которого соединена с общей шиной.

Источники информации,

Принятые ВО внимание при экспертизе

1.Моругин Л. А. Импульсные схемы на туннельных диодах. Изд. «Сов. радио, М.,

1966, с. 212.

2.Патент ГДР № 122607, кл. Н ОЗК 3/315, 1976 (прототип).

IIноу I

Ф1/г.