Устройство для регулирования процесса размерной электрохимической обработки Советский патент 1980 года по МПК B23P1/14 

Описание патента на изобретение SU778986A1

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГУЛИРОВАНИЯ ШЮЦЕССА РАЗМЕРНОЙ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ

Похожие патенты SU778986A1

название год авторы номер документа
Электрогидравлический регулятор подачи электроэрозионного станка 1977
  • Свешников Владимир Константинович
  • Рябинин Николай Вячеславович
  • Петровский Валерий Петрович
SU742094A1
Избирательный усилитель 1980
  • Маслаков Генрих Николаевич
SU944072A1
Устройство для защиты электродов электрохимической ячейки от разрушения при коротких замыканиях 1983
  • Баенко Иван Иванович
  • Кулябин Виктор Григорьевич
  • Ражев Вадим Валентинович
SU1221693A1
Двухпозиционное вероятностное реле(ЕгО ВАРиАНТы) 1979
  • Коршунов Юрий Михайлович
  • Симкин Анатолий Васильевич
SU830649A1
АКТИВНЫЙ ПОЛОСОВОЙ или ЗАГРАЖДАЮЩИЙ RC-ФИЛЬТР 1971
SU296228A1
УСТРОЙСТВО для ТРЕВОЖНОЙ СИГНАЛИЗАЦИИ 1971
SU291222A1
ВСЕСОЮЗНАЯП ^ УТ jS^j^Sr^ •r'*^iп 4 г.зг 1 iSt; 1973
SU389917A1
Коммутатор аналоговых сигналов 1981
  • Золотарев Александр Иванович
SU978345A1
СИНХРОННЫЙ ГЕНЕРАТОР С ПРЕЦИЗИОННОЙ СИСТЕМОЙ УПРАВЛЕНИЯ 2005
  • Дьяконов Анатолий Анатольевич
  • Левинзон Сулейман Владимирович
  • Огарь Юрий Сергеевич
  • Пиковский Игорь Михайлович
  • Самойлов Виктор Иванович
RU2295192C1
УСТРОЙСТВО ЗАЩИТНОГО ОТКЛЮЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИХ ПРИБОРОВ И АППАРАТОВ 2007
  • Дьяконов Анатолий Анатольевич
  • Левинзон Сулейман Владимирович
  • Огарь Юрий Сергеевич
  • Пиковский Игорь Михайлович
  • Самойлов Виктор Иванович
RU2321125C1

Иллюстрации к изобретению SU 778 986 A1

Реферат патента 1980 года Устройство для регулирования процесса размерной электрохимической обработки

Формула изобретения SU 778 986 A1

...

Изобретение относится к электрофизическим и электрохимическим мето;в1ам обработки и касается, в частности, устройства. для регулирования процесса размерной электрохимической обработки.

Известно устройство для регулирования процесса размерной электрохимической обработки с соединенными последовательно эмиттерным повторителем, фильтром в виде двойного RC Т-моста, частота среза которого выше частоты помех, создаваемь1Х источником технологического тока, питающим межэлектродный промежуток, усилителем и блоком управления режимов обработки, а так же с селективным эле- ментом -.-Недостатком известного устройства является то, что оно одинаково хорошо пропускает и полезный сигнал и высокочастотные помехи, которые могут вызвать ложное срабатьюание устройства регулирования.

Цель изобретения - повышение надежности работы устройства.

Поставленная цель достигается тем, что селективньгй элемент выполнен в виде двух транзисторов, база первого из которых подключена через конденсатор к выходу усилителя, база второго через резистор - к межэлектродному промежутку.

На фиг. 1 представлена электрическая схема устройства; на фиг. 2 - диаграмма напряжения на выходе источника технологического тока, где и - напряжение, f - частота источиика питания.

Предлагаемое устройство состоит из эмиттер10ного повторителя 1, вход которого подключен к межэлектродному промежутку 2 через резистор 3, двойного RC Т-моста. 4, подключенного к выходу эмиттернога повторителя через конденсатор 5, усилители 6, подключенного к

is выходу двойного R6; Т-моста через конденсатор 7, транзистора 8 подключенирго базой через конденсатор 9 к выходу усилителя 6, транзистора 10, подключенного базой через резнстор 11 к злектродам межэлёктррдного промежут20ка 2, временной задержки, состоящей из конденсатора 12 и резистора 3, подключенной к базе транзистора 8, блока 14 управления, подключенного к выходу селективного элемента 15.

3. 77

Устройстао работает следующим, образом. Модулированное микропробоями рабочее на- пряжение через резистор 3 поступает на вход эмиттерного повторителя 1, согласующего из;меняюидёёся во время эпектрохнкгаческой обработки сопротивление межэлектрбДйогб промежутка 2 с фильтром. Сопротивление межэлектродного промежутка изменяется в зависимости от площади обрабатьшаемой поверхности, величины зазор межэлектродного промежутка, злектропроводности злектролита и т.д. С выхода змиттерного повторителя I., сигнал через конденсатор 5 поступает на двойной RC Т-мост 4, на выходе которого появляются онгналы о частичном пробое. Отделенные от помех, создаваёмых источником технологического тока. С вькдда двойного RC Т-моста 4 сигнал постуг пает через конденсатор 7 на вход усилителя 6, который компенсирует затухание полезного сигнала в фильтре. Усиленный оягная Яоступает через конденсатор 9 на базу транзистора 8, а на базу транзистора 10 через резистор 11 поступает напряжение с межэлектродного промежутка 2.

При включенном ис1очнйке nnfaitow межэлект рОднОго промежутка напряжение йоступает резистор И на вазу транзистора 10, закрывая его. Транзистор 8 открывается. Частичное паде}й е наиря {ё1й1я на мемсэлектродиом промежутке Uj, B03HHkaKJiijee при-предпробойном состоянии (фиг. 2), открьгаает транзистор 10 и частично закрывает транзистор 8. Одноврбменно на базу транзистора 8 приходит полезный сигнал 6 предп1 о1бой1юм состоянии межэлектродного промемдтгка, оторьй, усиливаясь тракг V

зистором 8, поступает на блок 14 управления параметрами технологического процесса, в результате происходит изменение напряжения межэлектродного промежутка, скорости подачи электрода-инструмента, отключение источника технологического тока и т.д. Временная з(адержка конденсатора 12 и резистора 13 определяет время частичного закрытия транзистора 8.

Испытания предлагаемого устройства в ка-честве защиты электродов от короткого замыкания показывают полное отсзоствие ложного срабатьтаниЯ.

Формула изобретения

Устройство для регулирования процесса разме|1н6й злёктрозшмической обработки с соединенными последовательно эмиттерным повторителем, фильтром в виде двойного RC Т-моста, частота среза которого выше частоты помех создаваемых источником технологического тока, питающим межэлектродный промежуток, уошителем и блоком управления режимов обработки, а ,так с селектавнБШ элементом 6 т Л и ч а oi е ё с я тем, что, с целью .повышения надежности работы устройства, сефлективный элемент выполнен в виде двух транзисторов, база первого из которых подключена через, конденсатор к выходу усилителя, база второго через резистор - к межэлектродному промежутку.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР N 349877, кл. G 01 В 7/14, 1970. / t/cffOflHVffe bHifi y :, Фие. 6 opscff/y

и

jxrxJMbTNlX.

0i Фие.г

SU 778 986 A1

Авторы

Благодарский Виктор Исаевич

Гомонов Вячеслав Николаевич

Иванов Владимир Ильич

Мороз Иона Иосифович

Даты

1980-11-15Публикация

1978-07-31Подача