Генератор импульсов Советский патент 1980 года по МПК H03K3/12 

I

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в системах автоматики и вычислительной техники.

Известно устройство, содержащее транзистор и туннельный диод, включенный между базой и эмиттером транзистора 1 .

Недостатком известного устройства является нестабильность напряжения питания, большая длительность импульсов и связанная с этим низкая частота генерации.

Известен генератор импульсов, содержащий транзистор, в базово-эмиттерный переход которого включен туннельный диод .

В этом генераторе импульсов также низкие частота и стабильность генерируемых импульсов.

Целью изобретения является повышение частоты и стабильности генерируемых импульсов.

Поставленная цель достигается тем, что в генератор импульсов, содержащий транзистор, в базово-эмиттерный переход которого включен туннельный диод, между коллектором и базой транзистора дополнительно установлен в .обратном направлении стабилитрон.

I На чертеже показана принципиальная схема описываемого генератора импульсов. Туннельный диод 1 включен в базо5 во-эмиттерный переход транзистора 2, а между его коллектором и базой дополнительно установлен в обратном направлении стабилитрон 3,

Резистор 4 включен в цепь питания

0 транзистора 2.

Генератор импульсов работает следующим образом.

При включении схемы ток протекает через резистор 4, стабилитрон 3 и

15 туннельный диод 1 и нарастает от нуля до значения, превышающего ток максимума туннельного диода 1, который переключается в состояние высокого напряжения, транзистор 2 открывается:

20 и шунтирует последовательно соединенные стабилитрон 3 и туннельный диод 1..

Как только напряжение на коллекторе транзистора 2 становится меньше

25 напряжения стабилизации стабилитрона 3, ток, протекающий через туннельный диод, падает практически до нуля туннельный диод 1 начинает переключаться в состояние низкого напряже30 .ния. Таким образом, в связи с включе,нием стабилитрона 3 процесс начала ™Т1ёрекл чения туннельного диода 1 из ---&ск:; 6яййй высокого в состояние кого наггрйжёнйя йачинается внач1але отрицательного фронта напряжения на коллекторе транзистора 2, при этом умёйьшаётся длительность генерируе ШоХ ймЬУльсов и, следовательно, првышается частота генерации. Установленный в коллекторно-базо вой цепи стабилитрон 3 позволяет та е повысить некритичность к изменен йапряжения питания. Данная схема может работать в ре жиме одновибратора и триггера. Эти режиАШ задаются резистором 4. Формула изобретения Генератор импульсов, содержащий транзистор, в базово-эмиттерный переход которого включен туннельный диод, отличающийся тем, что, с целью повышения частоты и стабильности генерйруекйлх импульсов, между коллектором и базой транзистора дополнительно установлен в обратном направлении стабилитрон. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Известия АН Латвийской ССР, 1962, 11, с. 21-28. 2. Туннельные диоды и их применение в схемах переключения и в устройствах СВЧ диапазона. Пер. с англ, под.ред. А.А. Визеля М. , Сов. радио, 1965 (прототип).

-О