Сверхвысокочастотная печь Советский патент 1980 года по МПК H05B9/06 

(54 СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ПЕЧЬ

Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться для термо обработки диэлектрических материалов например пищевых продуктов. Известна сверхвысокочастотная печ содержаш.ая камеру нагрева с круговой линией передачи поверхностной волны и установленной на ней диэлектрической подставкой для размещения нагреваемых изделий, элемент ввода энергии в камеру и нагрузку . Однако это устройство не обеспечивает равномерности нагрева, что не позволяет получать продукцию высокого качества. Цель изобретения - повышение равномерности нагрева изделий. Для этого в сверхвысокочастотной печи, содержащей камеру нагрева с круговой линией передачи поверхностной волны и установленной на ней диэлектрической подставкой для размещения нагревае№ис изделий, элемент ввода энерг1 и в камеру и нагрузку, элемент ввода энергии в камеру выполнен в виде последовательно соединенных первой коаксиальной линии, со осной с круговой линией передачи поверхностной волны,первой радиальной линии, второй коаксиальной линии, во внутреннем проводнике которой размещена вторая радиальная линия, и возбудителя поверхностной волны, внутренний диаметр которого равен диаметру диэлектрической подставки, причем диаметр внутреннего проводника второй коаксиальной линии равен диаметру круговой линии передачи поверхност ной волны, нагрузка размещена во второй радиальной линии, а на оси. сверхвысокочастотной печи расположен элемент связи, круговая линия передачи поверхностной волны выполнена в виде металлического диска с расположенными на нем концентрическими ребрами толщиной (0,02-0,03) ХоИ расстояниями между ними (О,04-0,05)АО где Д. - рабочая длина волны; высота ребер на периферийной части в сторону Оси плавно увеличивается до (0,210,23) Я с углом наклона, равным углу наклона возбудителя поверхностной волны к радиальным линиям и составляющим 10-20. На чертеже представлена сверхчастотная печь, продольный разрез. Сверхчастотная печь содержит камеру 1 нагрева с круговой линией 2 передачи поверхностной волны и уста новленной на ней диэлектрической .под