Датчик для измерения электрофизических параметров цилиндрических образцов Советский патент 1980 года по МПК G01R27/26 

ческогр образца 4, расположенной в зазоре 3 внутреннего проводника 2/ Высокая диэлектрическая проницаемость полупроводников (710) привод к втягиванию электрического поля в область цилиндрического образца 4 |И, следовательно, к высокому коэффициенту включения. Перемещая исследуемый цилиндричес кий образец 4 вдоль оси коаксиального- резонатора 1, аналогичным образо измеряют параметры в его локальных участках, определяемых зазором 3 и, таким образом, получают распределение электрофизических параметров по оси цилиндрического образца 4. .Датчиком достигается пространственное разрешение (порядка 1 мм). За счет исключения потерь -на излучение расширяется диапазон измерени удельного сопротивления от Ю -Ом-см до 10® Ом-см. Формула изобретения Датчик для измерения электрофизических параметров цилиндрических образцов, содержащий коаксиальный резонатор, внутренний проводник которого выполнен пустотелым и снабжен, зазором, о т ли ч а ющ и и с я тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых электрофизических параметров материалов, зазор расположен в средней части внутреннего проводника. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1, Авторское свидетельство СССР № 398896, кл. G 01 R 27/2..

Лт etHtpamof a

ff femfmopy