Мостовой усилитель Советский патент 1980 года по МПК H03F3/20 

1

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к усилителям мостового типа, и может использоваться в качестве мощного выходного каскада для реверсивного управления двигателем постоянного тока и для усиления напряжения низкой частоты широтноимпульсным методом.

Известен мостовой усилитель, содержащий силовые транзисторы разного типа проводимости, между коллекторами которых включена нагрузка, и входные транзисторы, эмиттеры которых соединены соответственно с базами силовых транзисторов того же типа проводимости 1.

Однако в известном мостовом усилителе появляются токи короткого замыкания при одновременном появлении входных сигналов.

Цель изобретения - исключение токов короткого замыкания при одновременном появлении входных сигналов.

Для достижения указанной цели в мостовой усилитель, содержащий силовые транзисторы разного типа проводимости, между коллекторами которых включена нагрузка, и входные транзисторы, эмиттеры которых соединены соответственно с базами силовых транзисторов того же типа проводимости, введены два дополнительных транзистора того же типа проводимости, что и входные транзисторы, и два диода, причем между коллектором каждого входного транзисJ тора и соответствующей щиной источника питания включен резистор, коллектор каждого дополнительного транзистора соединен соответственно с базой силового транзистора, эмиттер соединен через прямосмещенный диод с коллектором входного транзистора противоположного плеча моста, а база соединена с коллектором входного транзистора смежного плеча.

На чертеже изображена принципиальная схема предложенного мостового усилителя.

Мостовой усилитель содержит силовые

15 транзисторы 1 - 4 разного типа проводимости, нагрузку 5, входные транзисторы 6, 7, дополнительные транзисторы 8, 9, диоды 10, 11, резисторы 12, 13, источник 14 питания.

20 Мостовой усилитель работает следующим образом.

В исходном положении при отсутствии входного сигнала силовые транзисторы 3, 4 и входные транзисторы 6, 7 закрыты, а

дополнительные транзисторы 8, 9 открыты за счет подачи на их базы напряжения источника 14 питания через резисторы 12, 13, но при этом токи в них отсутствуют, так как входные транзисторы 6, 7, включенные в их эмиттерные цепи, закрыты.

При подаче сигнала на базу входного транзистора 6 он открывается, открывается также силовой транзистор 3 и в дополнительном транзисторе 9 появляется ток, который протекает через базо-эмиттерный переход силового транзистора 2, диод 11, коллекторно-эмиттерный переход входного транзистора 6 и базо-эмиттерный переход силового транзистора 3. При этом открывается силовой транзистор 2 в ключевом режиме и появляется ток одного направления, протекающий через нагрузку 5.

При подаче сигнала на базу входного транзистора 7 аналогично появляется ток другого направления, протекающий через нагрузку 5.

При случайном одновременном появлении сигналов на обоих входах входных транзисторов 6, 7 они открываются и появляются токи, протекающие через резисторы 12, 13. При этом на коллекторах этих транзисторов, а также на базах дополнительных транзисторов 8, 9 примерно одинаковые потенциалы, поэтому за счет диодов 10 и 11 дополнительные транзисторы 8 и 9 закрываются, и, соответственно, закрываются силовые транзисторы 1, 2.

В предложенном мостовом усилителе обеспечивается защита от появления сквозных токов короткого замыкания при одновременной подаче входного сигнала.

Формула изобретения

Мостовой усилитель, содержащий силовые транзисторы разного типа проводимости, между коллекторами которых включена нагрузка, и входные транзисторы, эмиттеры которых соединены соответственно с базами силовых транзисторов того же типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью исключения токов короткого замыкания при одновременном появлении входных сигналов, введены два дополнительных транзистора того же типа проводимости, что и входные транзисторы, и два диода, причем между коллектором каждого входного транзистора и соответствующей щиной источника питания включен резистор, коллектор каждого дополнительного транзистора соединен соответственно с базой силового транзистора, эмиттер соединен через прямосмещенный диод с коллектором входного транзистора противоположного плеча моста, а база соединена с коллектором входного транзистора смежного плеча.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 417890, кл. Н 03 F 3/20, 13.02.72 (прототип) .