Резистор Советский патент 1981 года по МПК H01C3/02 

Описание патента на изобретение SU796924A1

(54) РЕЗИСТОТ

Похожие патенты SU796924A1

название год авторы номер документа
Шунтирующий резистор большой мощности 1977
  • Герчиков Вильвеж Рувимович
SU951413A1
Проволочный резистор 1973
  • Леоненков Дмитрий Степанович
SU517055A1
Резистор 1984
  • Серяков Константин Иванович
SU1746408A1
Трансформатор отношений 1975
  • Гурьянов Владимир Сергеевич
SU556508A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СЛАБОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ МАГНИТОАКТИВНОЙ ПЛАЗМЕ 2018
  • Воеводин Сергей Владимирович
  • Тренькин Алексей Александрович
  • Буянов Александр Борисович
  • Лимонов Андрей Викторович
RU2700287C1
Антенно-фидерное устройство 1989
  • Демирчян Камо Серопович
  • Алиев Израил Кубатбекович
  • Гусев Геннадий Григорьевич
  • Дмитренко Борис Иванович
  • Клестов Сергей Александрович
  • Леонтьев Виктор Александрович
  • Медников Борис Анатольевич
SU1730700A1
СПОСОБ БЫСТРОГО ТРЕХФАЗНОГО ПОВТОРНОГО ВКЛЮЧЕНИЯ ЛИНИЙ ПЕРЕДАЧ С КОМПЕНСАЦИЕЙ ПОСРЕДСТВОМ ШУНТИРУЮЩЕГО РЕАКТОРА 2009
  • Таварес Мария Кристина Диас
  • Валеро Патрисия Местас
RU2518480C2
Вакуумный выключатель 1981
  • Рыбкин Владимир Александрович
  • Климчук Анатолий Егорович
  • Стюхин Сергей Алексеевич
SU964767A1
КОМПАКТНЫЙ ЧАСТОТНЫЙ ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСНОГО НАПРЯЖЕНИЯ 2010
  • Большаков Евгений Павлович
  • Василевский Марк Алексеев
  • Водовозов Владлен Михайлович
  • Энгелько Владимир Иванович
  • Гетман Дмитрий Владимирович
  • Ерёмкин Виктор Васильевич
RU2421898C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ 2005
  • Ефимов Борис Васильевич
  • Данилин Аркадий Николаевич
  • Колобов Виталий Валентинович
RU2284622C1

Иллюстрации к изобретению SU 796 924 A1

Реферат патента 1981 года Резистор

Формула изобретения SU 796 924 A1

Изобретение относится к радиотехник и может быть использовано в шунтирую- .щих резисторах выключателей высокого напряжения. Известен резистор, содержащий изол ционный каркас, в котором активная часть выполнена из двух отрезков Cll. Однако, этот резистор сложен в изготовлении. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является резистор, содержащий изоляционный каркас, на котором намотано четное число слоев провода, соединенных параллельно 2. Недостаток этого резистора заключае с:я в том, что он имеет высокий коэффициент использования объема, изготовить его можно только из проволоки малого диаметра. Цель изобретения - упрощение технологии изготовления. Цель достигается тем, что в резисторе, преимущественно для коммутацион ного блока, содержащем изоляционный каркас, на котором намотано четное число слоеб провода, соединенных параллельно, слои выполнены с чередующейся по направлению намоткой. На чертеже изображен резистор, общий вид. Резистор содержит изоляционный каркас 1, правый 2 и левый 3 дисковые контакты, общие для всех параллельных проводников, слои 4 намотки, межслойная изоляция 5. Устройство работает следующим образом. При подачена резистор напряжения ток протекает от одного контакта к другому, например, от контакта 2 к контакту 3, при этом по первому (внутреннему) слою он течет по часовой стрелке, по второму слою против часовой стрелки, по третьему слою опять по часовой стрелке и т. д. Магнитные поля, создаваемые :внутри катушки токами, протекающими по слоям намотки, при четном числе ело- ев взаимно уничтожаются, что приводит к к малой индуктивности резистора. При нечетном числе слоев при изменении частоты происходит перераспределение тока от равномерного по слоям при постоянном токе до такого распределения, когда при большой частоте суммарный ток по нечетным слоягм равен суммарному току по четным слоям. Это перераспределение приводит к неравномерному тепловыделению по слоям и зависи,мости его индуктивности и суммарного сопротивления от частоты. Однако в тех случаях, когда эти нежелательные эффекты не имеют решающего значения, в част ностч, при большом числе слоев, количество слоев может быть и нечетным. Так как все слои соединены параллел но, то напряжение между соседними слоями не превышает падения напряжения на одном витке слоя, т. е. имеет крайне незначительную величину. Это позволяет сделать минимальной межслойную изапя. цию 5, что приводит к дополнительному снижению индуктивности резистора и его габаритов. Возможность размещения неорганического количества параллельных слоев позволяет делать резисторы со сколь угодно малым сопротивлением и сколь угодно большой энергоемкостью. Процедура изготовления резистора практи чески ничем не отличается от процедуры обычных катушек индуктивности и вполне подается механизации и автоматизации. Предлагаемый резистор может быть изготовлен следующим образом. Изолированный провод из сплава вы- ссжого сопротивления закрепляется на од ном из дисковых контактов, например, на певам контакте 3, и наматывается на его в один слой без зазоров между витками. После окончания намотки первого слоя провод закрепляется на правом контакте 2, и начинается намотка второго слоя, причем направление вращения каркаса остается неизменным, а намотка теперь ведется от правого конца каркаса к левому, В такой же последовательности проводится намотка всех остальных слоев. Затем все концы проводов каждого слоя зачищаются и электрически соединяются с дисковыми контактами при помощи пайки, сварки или механических контактов. Резисторы предлагаемой конструкции могут быть применены в качестве шунти:рующих и предвключаемых в выключате- 1лях высокого напряжения. Применение шунтирующего резистора позволяет повысить отключающую способность выключателя, причем в тем большей степени, чем меньше сопротивление резистора и, соответственно, выше его энергоемкость. Предвключаемый резистор ограничивает перенапряжения, возникающие в сети при включении выключателя, поэтот у такой резисто°р позволяет уменьшить требования к изоляции и тем самым существенно снизить стоимость линий и оборудования подстанций. Формула изобретения Резистор, преимущественно для коммутационного блока, содержащий изоляционный каркас, на котором намотано четное число слоев провода, соединенных параллельно, отличающи йся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, слои выполнены с чередующейся по направлению намоткой. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1,Заявка Японии М 5О-14738, кл. 59Д 111, 30,05.75. 2,Патент ГДР № 82493, кл, 21с 54/01 (прототип).

SU 796 924 A1

Авторы

Пузырийский Гаврил Самойлович

Савинков Юрий Трофимович

Серяков Константин Иванович

Филистович Виктор Максович

Чебышев Петр Владимирович

Даты

1981-01-15Публикация

1977-04-18Подача