Полосковая сверхвысокочастотная нагрузка Советский патент 1983 года по МПК H01P1/24 

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот. . : По основному авт.св. 433898 известна полосковая сверхвысокочастотная нагрузка, содержащая рденочный резистор, включенный между полоском и заземленной пластиной, пр этом резистор выполнен разветвленH iIM l . Однако известная полосковая сверх высокочастотная нагрузка имеет большие габариты и не обеспечивает хорошее согласование. Цель изобретения - уменьшение габаритов и улучшение согласования. Для этого в полосковой с ерхвысокочастотной нагрузке, содержащей пленочный резистор, включенный между полоском и заземленной пластиной, при этом резистор выполнен разветвле ным, диэлектрическая подложка выполнена с переменной толщиной, умен.ьшаю щейся в направлений к заземленным ко цам разветвленного .резистора. На черте-же приведена конструкция полосковой сверхвысокочастотной нагрузки. Полосковая сверхвысокочастотная нагрузка содержит пленочный резистор 1, включенный между полоском 2 и заземленной пластиной 3, диэлектрическую подложку 4. За счет выполнения диэлектрической подложки 4 с переменной толщиной волновое сопротивление меняется вдоль сверхвысокочастотной нагрузки по линейному закону:w()-rW,«-P), (1) - волновое - сопротивление в каждом сечении неоднородной линии, VVo - волновое сопротивление .входного СВЧ тракта, - относительная координата,О - 1. Улучшение качества согласования достигается тем, что на конце нагрузки может быть получено меньшее волновое сопротивление,, то есть закон изменения волнового сопротивления вдоль сверхвысокочастотной нагрузки может быть приближен к указанному линейному. При этом одновременно может быть уменьшено количест-. во ветвей в сверхвысокочастотной нагрузке. С другой стороны, наличие вятвящегося резистора 1 позволяет изготавливать диэлектрическую подложку 4 с менее сложным профилем, чем указанный на чертеже, например, с линейным, а необходимую закономерность изменения волновЬго сопротивления по длине получить за.счет соответствующего изменения расстояния между полосками. Указанное технологически облегчает достижение необходимого качества согласования. Кроме того, поскольку необходимое расстояние между ветвями резистора 1 пропорционально толщине подложки, поскольку ширина нагрузки в данном устройстве оказывается меньше, чем в прототипе.

ПОЛОСКОВАЯ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ НАГРУ31СА по авт.св. № 433898, о т- личающ. аяся тем,' что, с целью уменьшения габаритов и улучшения согласования, диэлектрическая подложка имеет переменную толщину, уменьшающуюся в направлении к заземленным концам разветвленного резистора.(Л00•к!N4;:^ 4^