4 го о
-WO
и. Способ по п. 1,отличающ и и с .я тем, что пороговую плотность тока для каждого полупроводникового соединения определяют по появлению релаксации барьерной емкости после пропускания прямоугольного импульса тока в прямом направлении, через диод с барьером Шоттки.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля параметров ловушек в полупроводниковых материалах. Известен способ контроля ловушек неосновных носителей заряда в полупроводниках С13 основанный на созда нии диода с полупрозрачным барьером Шоттки, приложении к нему напряжения обратного смещения, измерении пр различных температурах релаксации ба рьерной емкости диода после освещени импульсом поглощаемого света с интен сивностью и длительностью, обеспечиваюи1ими заполнение ловушек неосновны ми носителями заряда. Недостатком этого способа является его сложность, обусловленная необходимостью использования сложной аппаратуры, в частности оптического криостата и импульсного источника мо нохроматического света. Другим недостатком этого способа является низка tOMHOCTb при контроле ловушек, находящихся в объеме полупроводника. Известен также способ контроля ло вушек неосновных носителей заряда в полупроводниках ., основанный на создании диода Шоттки, приложении к нему напряжения обратного смещения и измерении при различных температур релаксации барьерной емкости диода. Недостатком этого способа являетс его сложность, обусловленная необходимостью использования сложной аппаратуры, в частности лазера и оптичес кого криостата для низких и в том числе гелиевых температур. Другим недостатком является низ-кая точность при контроле ловушек, у которых скорость оптического возбуждения мала. Целью изобретения является упрощение способа и повышение его точНОСТИсЦель достигается тем,.что при реализации известного способа контроля ловушек неосновных носителей заряда в полупроводниках, основанном на создании диода Шоттки, приложении к нему напряжения обратного смещения и измерении при различных температурах релаксации барьерной емкости диода, перед измерением релаксации барьерной емкости пропускают через диод в прямом направлении прямоугольный импульс тока с плотностью большей, чем пороговая плотность начала заполнения ловушек неосновными носителями заряда, но меньшей, чем плотность тока, приводящая к необратимым изменениям в диоде, и длительностью, обеспечивающей насыщение амплитуды релаксации, а также тем, что пороговую плотность тока для каждого полупроводникового соединения определяют по появлению релаксации барьерной емкости после пропускания прямоугольного импульса тока в прямом направлении через диод с барьером Ыоттки. Сущность способа заключается в следующем. При пропускании через диод с барьером Шоттки на -полупроводнике импульса тока с плотностью выше пороговой происходит заполнение дырочных ловушек в области полупроводника под барьером Шоттки„ (Пороговая плотность тока для диодов с барьером Шоттки на арсениде галлия 100 . Для заполнения ловушек достаточно длительности мкс ). Заполнение ловушек дырками происходит благодаря инжекции дырок из металла в полупроводнике при пропускании импульса тока большой величины. На чертеже представлены графики ЧЧ)-ЧЦ) зависимости величины от температуры, полученные для n-GaAs, п .Ч() t 10-20, t2
