Канал продвижения цилиндрическихМАгНиТНыХ дОМЕНОВ Советский патент 1981 года по МПК G11C11/14 

1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминакмцих устройств на цилиндрических-магнитных доменах (ЦМД)..

Известен канал продвижения ЦМД, содержащий Т-1-образные или шевронные аппликации, расположенные на поверхности магнитоодноосной пленки flj

Элементы канала продвижения не позволяют поворачивать канал продвижения под углом более 90°, кроме того, занимают большую площадь и не . могут быть использованы для сопряжения канала продвижения при изменении его направления.

Нгшболее близким по технической сущности к предлагаемому является канал продвижения ЦМД, содержащий на поверхности магнитоодноосной пленки 1-образные аппликации, развернутые веером в направлении поворота 23.

Такие аппликации занимгиот большую площадь и имеют сложную конструкцию, так как состоят из большого количества (не менее 3) элементов,

Цель изобретения - упрощение канала продвижения ЦМД.

Указанная цель достигается тем, что канал продвижения ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на которОй последовательно расположены основные пермсшлоевые аппликации, содержит дополнительные пермаллоевые аппликации в форме замкнутого выпуклого многоугольника, расположенные в местах изменения направления канала продвижения ЦМД и магнитосвязанные со смежными основными пермаллоевыми

0 аппликациями. Высота дополнительных пермаллоевых аппликаций ргшна высоте основных пермаллоевых аппликгщий.

На фиг. 1 показано расположение дополнительной пермаллоевой апплика5ции в канале продвижения ЦМД; на : фиг. 2 - принцип действия аппликации; на фиг. 3 - Всфианты расположения дополнительной пермаллоевой аппликации.

Канал продвижения ЦМД содержит .маг0нитоодноосную пленку 1, на которой последовательно расположены основные 2 и дополнительные 3 пермаллоевые аппликации, причем дополнительные пермаллоевые аппаликации 3 расположены

5 в местах изменения направления 4 канала продвижения ЦМД.

Предложенный канал продвижения ЦМД функционирует следующим образом.

Продвижение ЦМД вызывается перемаг0ничиванием аппликаций вращающимся в

плоскости аппликаций против часовой трелки магнитным полем возбуждения Н. При положении вектора . 2а) ЦМД 5 занимает позицию, соответствую1цую положению притягавакхцего полюса, помеченного знаком + (отталкиваю1ций полюс помечен знаком - на аппликации 2). При повороте вектора Н (фиг.26) притягивгиовдий полюс образуется на узком конце аппликации 2 , а также на вершине аппликации 3, и ЦМД .5 растягивается, захватывая аппликации 2 и 3. Когда вектор Н, займёт положение, показанное на фиг. 2в, на аппликации 2 образуется отталкивакэдий ЦМД полюс, а на аппликации 3 притягиваюцнй полюс сместится на левую среднюю часть и ЦМД 5 переместится вслед за притягявакюаам полюсом. положении вектора IT,, показанном на фиг 2г, притягивакюий полюс образуется на нижней части аппликации 3 и ЦМД 5 переместится вслед за переместивишмся полюсом. При положении вектрра 17 показанном на фиг. 2Д притягиваюощй полюс образуется на правой средней части аппликации 3, куда соответственно пере {естится ЦМД. При положении вектора Н, показанном на фиг. 2е, образуется зона притягивающих полюсов аппликация 3 и 2, и ЦМД 5 растягивается на ове аппликации При дёшьнейшем вращении вектора Н (фиг. 2ж) на аппликацин 2 образуется более сильный {фитягиваюций полюс, и поэтому ЦМД 5 переходит на аппликацию 2 Дальнейшее движение ЦМД 5 по аппликации 2/ щ оисхсздит аналогично движению за притягивашщш полюсом.

взаимное расположение аппликации 2, с которой сходит ЦЦД, и 2, на котсфую приходит ШД, и атшикации 3 может быть различным. Аппликация 2 может быть смещена под углом со сдвигом по отношению к аппликацин 2 (фиг. За,в), смещена параллельно (фиг. Зб,д), угол поворота мсикет превышать . Зг). Во всех этих слу чаях движение ЦМД и работа кангша продвижения ЦМД аналогична описанной выше, только переход с аппликации 3 : на аппликацию 2 будет происходить при различной фазе вектора ТГо

Предлагаемое изобретение позволяет простым способом изменять направление KaHcUta продвижения ЦМД без изменения конфигурации основных аппликаций, согласовать его длину без изменения периода расположения аппликаций, а также уменьшить количество разнотипных аппликаций в интегралных схемах за счет унификации правых и левых поворотов и сопряжения каналов различной длины. Упрощается также проектирование топологии схем на ЦМД и изготовление таких схем, так как предлагаемый канал позволяет располагать аппликации по двум ортогональным осям, в то время как направление каналов может изменяться под углом, отличным от 90 (фиг. Зд).

Формула изобретения

1.Канал продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащий Иагнитоодноосную пленку, на которой последовательно расположены основные пермсшлоевые аппликации, отличающийся тем, что, с целью упрощения канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, ой содержит дополнительные пермаллоёвые аппликации в форме замкнутого выпуклого многоугольника, расположенные в местах изменения направления канала продвижения цилиндхжческих магнитных доменов и магнитосвязанные со смежными основным пе1Я4аллоевыми аппликациями.

2.Канал по п. 1, отличающийся тем, что высота дополнительных пермгшлоевых аппликаций равна высоте основных пермаллоевых аппликаций .

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

. 1. Боярченков М.А. и др. Магнитные доменные логические и запомингиощиё устройства. Энерщя, 1974.

2. Патент США 3689901, кл. 340174, опублик. 1972 (прототип).

f jf

, У

t

-vG) -y lv/-f

//

Me

I / / r

«

г J

.- /

J

о:. г о

.

0

(5:

9

Р

0