Цилиндрический бетатрон Советский патент 1982 года по МПК H05H11/00 

(54) ЦИЛИНДРИЧЕСКИЙ БЕТАТРОН

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано при разработке индукционных ускорителей. Известны цилиндрические бетатроны, содержащие электромагнит, цилиндрическую ускорительную камеру, инжектор, в котором аксиальная фокусировка электронов осуществляется магнитными заркалами. Известен также цилиндрический бетатрон, содержащий ускорительную камеру, внутри которой на границах области устойчивого движения электронов в аксиальном направлении установлены пластины из проводящего материала, инжекторное устройство, расположенное вблизи одной из плаатин. Недостатком прототипа является то, что величина потенциального барьера в аксиальном направлении не меняется в течение всего времени захвата электронов в ускорение. Электрическое взаимодействие между электронами инжектируемого пучка приводит к перераспределению электронов по скоростям (а следовательно, и энергии) аксиального движения. Значительная часть электронов пучка вследствие этого высыпается на торцовые стенки ускорительной камеры и число электронов, ускоряемых в одном цикле, оказывается малым по сравнению с тем количеством электронов, которое способно удержать управляющее магнитное поле. Цель изобретения - увеличить число электронов, ускоряемых в одном цикле ускорения. Указанная цель достигается тем, что в известном цилиндрическом бетатроне, содержащем ускорительную камеру, внутри которой на границах области устойчивого движения электронов IB аксиальном направлении установлены пластины из проводящего материала, ижекторное устройство, расположенное вблизи одной из пластин, пластины соединены с проводящим покрытием камеры через коммутирующие устройства. На чертеже показан предлагаемый бетатрон. Бетатрон содержит электромагнит, состоящий из магнитопр0вода 1 и намагничивающей обмотки 2, ускорительную камеру 3, внутри которой на границах устойчивого движения электронов в аксиальном направлении расположены пластины из проводящего материала 4. Вблизи одной из пластин размещен инжектор электронов 5. Проводящие пластины подсоединены к проводящему покрытию камеры 6 через коммутирующие устройства 7 и 8. Управляющее магнитное поле имеет области магнитных пробок вблизи проводящих пластин.