Сверхвысокочастотный селективныйдАТчиК Советский патент 1981 года по МПК G01R21/09 

Описание патента на изобретение SU813284A1

(54) СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ СЕЛЕКТИВНЫЙ ДАТЧИК

Похожие патенты SU813284A1

название год авторы номер документа
СЕЛЕКТИВНЫЙ ДЕТЕКТОР СВЧ-МОЩНОСТИ 2011
  • Бичурин Мирза Имамович
  • Иванов Сергей Николаевич
RU2451942C1
Сверхвысокочастотный фильтр 1985
  • Игнатьев Александр Анатольевич
  • Мостовой Александр Анатольевич
SU1356053A1
ЧАСТОТНО-СЕЛЕКТИВНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МОЩНОСТИ СВЧ 1991
  • Китайцев А.А.
  • Колединцева М.Ю.
RU2007791C1
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ВЕНТИЛЬ 1992
  • Кирсанов Ю.А.
  • Лесин В.С.
  • Соколов А.Н.
  • Савальский А.Н.
RU2057382C1
Вентиль свч 1984
  • Манойлов Вячеслав Филиппович
  • Орехов Иван Васильевич
  • Кудрячев Леонид Константинович
SU1226560A1
СВЧ-фильтр 1989
  • Стахурский Леонид Леонидович
SU1732403A1
Магнитоакустическая линия задержки 1978
  • Обрубов Олег Петрович
SU1241319A1
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ 2002
  • Старшинова Е.И.
RU2207666C1
Сверхвысокочастотный фильтр 1988
  • Зубков Виктор Иванович
  • Локк Эдвин Гарривич
  • Щеглов Владимир Игнатьевич
SU1596409A1
СВЧ АКТИВНЫЙ МОДУЛЬ 2007
  • Козырев Андрей Борисович
  • Буслов Олег Юрьевич
  • Головков Александр Алексеевич
  • Кейс Владимир Николаевич
  • Шимко Алексей Юрьевич
  • Красильников Сергей Владимирович
  • Гинли Дэвид
  • Кайданова Татьяна
RU2355080C2

Иллюстрации к изобретению SU 813 284 A1

Реферат патента 1981 года Сверхвысокочастотный селективныйдАТчиК

Формула изобретения SU 813 284 A1

Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться при измерении и контроле параметров генерато ных приборов и трактов для селективного детектирования, панорамной индикации мощности и измерения частоты, лИзвестен сверхвысокочастотный селективный датчик,, содержащий отрезок линии передачи, короткозамкнутый на одном конце, внутри которого установ лен ферритовый элемент, размещенный в поле постоянного магнита, и полупроводниковый элемент 1. Однако этот сверхвысокочастотный селективный датчик имеет ограниченный динамический диапазон и несовместим с планарными устройствами СВЧ Цель изобретения - расширение динамического диапазона. Для достижения этой цели в сверхвысокочастотном селективном датчике, содержащем отрезок линии передачи. короткозамкнутый на одном конце, вну ри которого установлен ферритовый элемент, размещенный в поле постоянного магнита, и полупроводниковый эл мент, ферритовый элемент выполнен в виде диска, а полупроводниковый элемент - в виде последовательно нанесе ных на ферритовый диск металлической пленки, полупроводниковой пленки с р (или п) проводимостью, полупроводниковой пленки с п (или р) типом проводимости и металлической пленки, при этом ферритовый диск установлен на расстоянии, кратном половине длины рабочей волны от короткозамкнутого конца отрезка линии передачи. На чертеже приведена конструкция сверхвысокочастотного селективного датчика. Сверхвысокочастотньй селективный датчик содержит отрезок 1 линии передачи, короткоэамкнутыйна одном конце, внутри которого установлен ферритовый диск 2, размещенный в поле постоянного магнита 3, и полупроводниковый элемент, выполненный в виде последовательно нанесенных на ферритовый диск 2 металлической пленки 4, полупроводниковой пленки 5 с р (клип) проводимостью, полупроводниковой пленки 6 с п (или р) проводимостью и металлической пленки 7,- при этом ферритовый диск 2 установлен на расстоянии, кратном половине, длины рабочей волны от короткозамкнутого конца отрезка 1 линии передачу.

Сверхвысокочастотный селективный датчик работает следующим образом.

В ферритовом диске 2, намагниченном перпендикулярно к поверхности и расположенном в пучности СВЧ магнитнго поля отрезка 1 линии передачи на Заданной частоте сигнала 45 и при величине .магнитного поля. (где f - гиромагнитное отношение для электрона, 41ГМо намагниченность насыщения), возбуждается однородная процессия намагниченности, компонента электрического поля которой детектируется распределенным р-п переходом, образованным полупроводниковыми пленками 5 и 6.

сигнал с этого р-п перехода выводится на индикатор с помощью омических контактов, образованных металлическими пленками 4 и 7, и подводящих

проводов 8.

Сверхвысокочастотный селективный датчик:вь ёрон.вает, не сгорая, мощ-ность Б большую, чем известное ycTpoJV T.BO и вследствие то.го, что.он срйтоит из протяженных слоев ф, полупроводника легко совмещается с - планарными устройствами СВЧ.

Формула изобретения

Сверхвысокочастотный селективный датчик, содержащий отрезок линии передачи, короткозамкнутый на одном конце, внутри которого установлен ферритовый элемент, размещенный в поле постоянного магнита, и полупроводниковый элемент, отличаю-щ и и с я тем, что, с целью расширения динамическо.го диапазона, ферритовый элемент выполнен в виде диска, а полупроводниковый элемент - в виде последовательно нанесенных на ферритовый диск металлической пленки, полупроводниковой пленки с р (или п)

5 проводимостью, полупроводниковой пленки с п (или р) типом проводимости и металлической пленки, при этом ферритовый диск установлен на расстоянии, кратном половине длины рабочей

0 волны от короткозамкнутого конца отрезка линии передачи.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Богданов Г.Б. Основы теории- и применения ферритов в технике измерений и контроля. М., Сов. радио, 1967, § IX.3, с. 340-343 (прототип).

SU 813 284 A1

Авторы

Вашковский Анатолий Васильевич

Зубков Виктор Иванович

Кильдишев Виктор Николаевич

Кузнецов Петр Иванович

Даты

1981-03-15Публикация

1979-04-13Подача