Активный элемент на эффекте ганна,упРАВляЕМый НАпРяжЕНиЕМ Советский патент 1981 года по МПК H01L47/02 

Описание патента на изобретение SU817819A1

1

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для создания генератора с электрической перестройкой частоты.

Известен активный элемент на эффекте Ганна, управляемый напряжением, содержащий активный слой полупроводника, обладающего эффектом Ганна и управляющий участок в виде выступа активного слоя, имеющие свои анодные омические контакты, общий катодный омический контакт и общую монолитную по кристаллической структуре прикатодную область 1.

Недостатком этого элемента является Низкий КПД, обусловленный тем, что управление частотой осуществляется от внешнего генератора с перестраиваемой частотой.

Известен также активный элемент на эффекте Ганна, управляемый напряжением, содержащий активную область и управляк)щий участок в виде выступающей части активной области, имеющие омические анодные контакты, общий омический контакт катода и общую прикатодную область 2.

Недостатком этого элемента является узкий диапазон управления частотой, а при

управлении от внешнего генератора низкий КПД всего устройства.

Пель изобретения - расширение диапа. зона управления частотой и повышение КПД.

Поставленная цель достигается тем, что управляющий участок выполнен с сечением, увеличивающемся от. общего катодного контакта к анодному контакту участка.

Управляющий участок выполнен в виде сектора кольца.

Кроме того, активная часть управляющего участка выполнена в виде сектора цилиндрического слоя, а омический контакт анода нанесен на ее цилиндрическую поверхность.

На фиг. 1 показан планерный активный элемент с управляющим участком, выполненным в виде сектора круга; на фиг. 2 -то же, вид сверху; на фиг. 3 - сечение А-А на фиг. 2.

Активный элемент на эффекте Ганна содержит активную область 1, активную часть 2 управляющего участка, анодный контакт 3 активной области, анодный контакт 4 управляющего участка, общий катодный контакт 5, щель 6, разделяющую активную область и управляющий участок, прикатодную .область 7,управляющий участок 8, подложку 9, слои 10 металла омических контактов, высоколегированные слои 11 -13, металлические слои 14-16, слой 17 диэлектрика. Активный элемент на эффекте Ганна работает следующим образом. К анодному контакту 3 активной зоны 1 и к, анодному, контакту 4 управляющего участка 8 прикладываются от отдельных источников питания такие напряжения относительно катодного контакта 5, при которых напряженность электрического поля по всей активной области 1 и около катодного контакта 5 превыщает пороговую величину. При этом в прикатодной области 7 активного элемента образуется домен сильного поля, который затем перемещается в активной области 1 и в активной части 2 от катодного контакта 5 к анодным контактам 3 и 4и, достигнув щели 6, разделяется на две части. Так как в активной части 2 управляющего участка 8 площадь поперечного сечения и следовательно напряженность электрического поля уменьшается при удалении от катодного контакта 5, то на определенном расстоянии от него напряженность электри: ческого поля в активной части 2 становится недостаточной для поддержания домена сильного поля. Вследствие этого домен, пройдя это расстояние, исчезает не доходя до анодного контакта 4. В это время домен сильного поля и активной области 1 продолжает свое движение к анодному контакту 3. После исчезновения домена сильного поля в активной части 2 в ней зарождается около хкатодного контакта 5 новый домен, который распространяется в поперечном направлении в активную область 1 со скоростью, намного превышающей скорость его дрейфа вдоль электрического поля. Вследствие этого в активной области 1 образуется еще один домен, который перемещается к анодному контакту 3, наряду с ранее образовавшимся доменом. Рассмотренный выще процесс образования, движения и исчезновения доменов сильного поля, будет повторяться в активном элементе и активная область 1 заполняется движущимися доменами сильного поля. Больщая длина активной области 1, по сравнению с длиной активной части 2, способствует поддержанию в активной области 1 многодоменного режима, так как образование каждого следующего домена не приводит к сильному перераспределению напряжения в активной области 1 и падению электрического поля в ней вне ранее сформированных доменов ниже поддерживающей величины. Движущиеся в активной области 1 домены сильного поля удалены друг от друга на расстояние, равное расстоянию проходимому доменами в активной части 2. Поэтому частота следования доменов в активной области 1 определяется частотой их следования в управляющем участке 8 и равна ей. При увеличении напряжения на анодном контакте 4 эта частота уменьщается, так как длина пробега домена в активной части 2 увеличивается и соответственно уменьщается частота генерации доменов в активной области 1, с которой снимается сигнал переменного тока. При этом наличие между .активной частью 2 и акт-ивной областью 1 щели 6, не доходящей до катодного контакта 5, обеспечивает не только разделение домена.сильного поля на две части и независимое движение этих частей домена, но и возможность Независимого управления распределением, электрического поля в активной части 2 и следовательно частотой образования доменов в ней. Таким образом, при работе предлагаемого активного элемента на эффекте.Танна отпадает необходимость использования для управления частотой генерации внешнего импульсного генератора. Формула изобретения 1. Активный элемент н-а эффекте Ганна, управляемый напряжением, содержащий активную область и управляющий участок в виде выступающей части активной области, имеющие омические анодные контакты, общий омический контакт катода и общую прикатодную область, отличающийся тем, что, с целью расщирения диапазона управления частотой и повышения КПД, управляющий участок выполнен с сечением, увеличивающемся от общего катодного контакта к анодному контакту участка. о I 2.Элемент по п. 1, отличающийся тем, что управляющий участок выполнен в виде сектора кольца. 3.Элемент по п. 1, отличающийся тем, что активная часть управляющего участка выполнена в виде сектора цилиндрического слоя, а омический контакт анода нанесен на ее цилиндрическую поверхность. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Заявка Японии № 51-39515, . , кл. Н 01 L 47/02 (99(5)GO), 1977. 2. Заявка Японии № 51-39517, кл. Н 01 L 47/02 (99(5) GO), 1976.

10

Риг. 1

Похожие патенты SU817819A1

название год авторы номер документа
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПРИБОР НА ЭФФЕКТЕ ГАННА 1992
  • Каневский Василий Иванович
  • Сухина Юрий Ефимович
  • Ильин Игорь Юрьевич
RU2014673C1
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПРИБОР НА ЭФФЕКТЕ ГАННА 1992
  • Каневский Василий Иванович[Ua]
  • Сухина Юрий Ефимович[Ua]
RU2062533C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С МЕЖДОЛИННЫМ ПЕРЕНОСОМ ЭЛЕКТРОНОВ 2008
  • Хан Александр Владимирович
  • Воторопин Сергей Дмитриевич
  • Хан Владимир Александрович
  • Пороховниченко Лидия Петровна
RU2361324C1
ОБЪЁМНОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО С УПРАВЛЯЕМЫМ ПАДАЮЩИМ УЧАСТКОМ ИНДУЦИРОВАННОЙ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ 2022
  • Малышев Игорь Владимирович
  • Паршина Наталья Валерьевна
RU2792816C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР НА ЭФФЕКТЕ ГАННА 1993
  • Каневский Василий Иванович[Ua]
  • Кошевая Светлана Владимировна[Ua]
  • Сухина Юрий Ефимович[Ua]
  • Козырев Юрий Николаевич[Ua]
RU2054213C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 1972
SU344504A1
ДИОД ГАННА 2011
  • Божков Владимир Григорьевич
  • Торхов Николай Анатольевич
  • Самойлов Владимир Ильич
RU2456715C1
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПРИБОР НА ЭФФЕКТЕ ГАННА 1995
  • Каневский Василий Иванович[Ua]
  • Сухина Юрий Ефимович[Ua]
  • Пономаренко Анатолий Александрович[Ua]
RU2091911C1
ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ НА ДИОДАХ ГАННА 1972
SU324651A1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНТАКТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ДИОДА ГАННА (ВАРИАНТЫ) 1999
  • Градобоев А.В.
RU2152045C1

Иллюстрации к изобретению SU 817 819 A1

Реферат патента 1981 года Активный элемент на эффекте ганна,упРАВляЕМый НАпРяжЕНиЕМ

Формула изобретения SU 817 819 A1

SU 817 819 A1

Авторы

Люзе Леонгард Леонгардович

Бурлаков Рудиарий Борисович

Копылов Вячеслав Васильевич

Блесман Ирина Леонгардовна

Даты

1981-03-30Публикация

1979-03-23Подача