Устройство свертки электрическихСигНАлОВ HA пОВЕРХНОСТНыХ АКуСТичЕСКиХВОлНАХ Советский патент 1981 года по МПК H03H9/00 

ней поверхности пьезоподложки 1, например, методом фотолитографии нанесены дв§ входных встречно-штыревых преобразователя 2. Расстояние между входными встречно-штыревыми преобразователями определяет время задержки обрабатываемых сигналов и соответ ствует их длительности. Между входными преобразователями 2 с естествен ным воздушным зазором ра сположен выходной параметрический электрод 3, выполненный в форме металлической решетки с линейными размерами ячеек в несколько длин ПАВ, соответствующей несущей частоте электрических сигналов. Сплошной электрод 4 путрм напыления металла, например алюминия в виде метсшлической пленки нанесен на нижнюю поверхность подложки 1 в области под параметрическим электродом 3, ограниченной его внешними границами. Источник 5 первичного эле тронного пучка, состоящий, например, из подогревного вольфрамового катода б и источника 7 н;апряжения, расположен над параметрическим электродом 3 выходного преобразователя таким об разом, чтобы создаваемый пучок обеспечивал эмиссию вторичных электронов из всей поверхности пьезоподложки 1 под параметрическим электродом 3. Устройство свертки электрических сигналов на поверхностных акустических волнах работает следующим образом. Сигналы, один из которых является входным, а второй - опорным, подаются на соответствующие входные встреч но-штыревые преобразователи 2, которые преобра:зуют электрические сигналы в ПАВ, распространяющиеся навстре чу друг другу и создающие на поверхности пьезоподложки 1 электростати-, ческие пол я. Формируемый источником 5 первичный электронный пучок,проходя сквозь отверстия металлической решет ки 3, бомбардирует поверхность пьезоподложки 1, вызывает эмиссию из нее вторичных электронов, число которых определяется коэффициентом вто ричной эмиссии, а их наиболее вероятная энергия имеет некоторое значение Е. в отсутствие электростатических полей ПАВ вторичные электроны совершают движение по некоторым тра екториям, возвращаются на поверхност пьезоподложки- 1 и вновь эмиттируют из нее, создавая у ее поверхности об ласть движущихся вторичных электроно равномерной концентрации. По мере распространения ПАВ, обусловленных входными сигналами, навстречу друг другу происходит их нелинейное взаимодействие, следствием чего является образование неравномерного изменяющегося потенциального рельефа результирующего электростатического поля . ПАВ. Воздействуя на вторичные электроны, электростатическое поле изменяет траектории их движения, что приводит к существенной нелинейности совокупности вторичных электронов, эквивалентной усилению ПАВ. Сигнал свертки снимается с Параметрического электрода 3. Его .частота, как и в известных устройствах, равна суммарной частоте входных.сигналов. Так как значение Е наиболее вероятной энергии вторичных электронов весьма мало, а коэффициент вторичной эмиссии электронов может быть получен значительным за счет увеличения плотности тока в первичном электронном пучке, в предложенном устройстве достигается высокая эффективность свертки сигналов, что исключает необходимость применения предусилителя с большим коэффициентом усиления. Вследствие этого обеспечивается расширение динамического диапазо на устройства как снизу, так и сверху, и повьБиение его чувствительности. Формула изобретения Устройство свертки электрических сигналов на поверхностных акустических волнах, содержащее пьезопсдлржку, на одной из сторон которой расположены два входных встречно-штыревых преобразователя и размещенный между ними с зазором над пьезоподложкой выходной параметрический электрод,а на противоположной стороне - сплошной пленочный электрод, размещенный под параметрическим электродом, соединенный с общей шиной, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения динамического диапазона, оно снабжено источником первичного электронного пучка, расположенным чад параметрическим электродом, который выполнен в форме решетки. Источники информации, ринятые во внимание при экспертизе 1. Кайно. Акустоэлектронноё взаиодействие в устройствах на поверхостных акустических волнах. ТИИЭР, 976, 5, с.194-196.