1
Изобретение относится к вычисли- тельной технике.
Известны устройства, в которых наблюдалось появление постоянной ЭДС на боковых гранях при. ферромагнитном резонансе l.
Наиболее близкой по технической сущности к предлагаемому является комбинирова-нная конструкция, состоящая из слоистой структуры феррит-полупроводник, помещенная в волновод.
При возникновении в феррите ферромагнитного резонанса на боковых гранях полупроводника появляется постоянная ЭДС 2.
Однако данное устройство не предназначено для выполнения логических операций и не может быть использовано в качестве логического элемента.,
Цель изобретения - повышение выстродействия логического элемента И-ИЛИ
Поставленная цель достигается тем, что на ферритовую пластину нанесен полупроБодникобый слой в виде параллельно расположенных друг относительно друга полос, на которых размерены микрополосковые линии, являющиеся входами логического элемента, а полупроводниковые полосы подключены к выходным контактам..
На чертеже схематически приведена конструкция устройства.
Между постоянными магнитами 1 размещена ферритов ая пластина 2, на которую нанесен полупроводниковый слой в виде отдельных полос 3. На полосах 3 размещены микрополосковые линии 4, которые являются входами логического элемента. Обратная сторона ферр..товой пластины покрыта слоем металлизации 5. К боковым граням полупроводниковых полос 3 припаяны выходные омические контакты 6.
Логический элемент работает следующим образом.
При подключении к любому из его входов СВЧ - сигнала с частотой, соответствующей частоте ферромагнитного резонанса, на соответствующих выходных контактах 6 появится постоянная ЭДС, что соответствует выполнени операции логическое ИЛИ.
Для выполнения операции .логическое И выходные контакты 6 всех полупроводниковых полос соединяются последовательно. Результирующий сигнал на выходе появляется только при наличии сигналов на всех входах, когда i выходное напряжение больше некоторой пороговой величины.
Формула изобретения
Логический элемент И-ИЛЙ, содержащий постоянные магниты, между которыми расположена ферритовая пластина и выходные контакты, отличающ и ,й с я тем, что, с целью повш1ения быстродействия логического элемента, на ферритовую пластину нанесен полупроводниковый слой в виде параллельно расположенных друг относительно друга полос, на которых размещены микрополосковые линии, являющиеся входами логического элемента, а полупроводниковые полосы подключены к выходным контактам.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе.
1.Appt. Phys. Lect. v. 17, 1, 1970.
2,Phys. Stat. Sot, A 23, 1974, p..187 (прототип).
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СЕЛЕКТИВНЫЙ ДЕТЕКТОР СВЧ-МОЩНОСТИ | 2011 |
|
RU2451942C1 |
ГИРАТОР СВЧ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ | 2008 |
|
RU2357356C1 |
РЕЗОНАТОР НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ | 1993 |
|
RU2057384C1 |
УПРАВЛЯЕМЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МАГНОНИКИ | 2020 |
|
RU2745541C1 |
МАЖОРИТАРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ НА СПИНОВЫХ ВОЛНАХ | 2021 |
|
RU2758000C1 |
МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНОЕ ИНТЕГРАЛЬНОЕ МАГНИТОПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО | 2005 |
|
RU2280917C1 |
Способ возбуждения стоячих спиновых волн в наноструктурированных эпитаксиальных плёнках феррит-граната с помощью фемтосекундных лазерных импульсов | 2021 |
|
RU2777497C1 |
Устройство для измерения мощности сверхвысоких частот | 1980 |
|
SU995005A1 |
УСИЛИТЕЛЬ СВЧ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ | 2010 |
|
RU2439751C1 |
Однонаправленный сверхвысокочастотный аттенюатор | 1990 |
|
SU1741195A1 |
Авторы
Даты
1981-04-15—Публикация
1979-03-19—Подача