Симметричный мультивибратор Советский патент 1981 года по МПК H03K3/281 

транзисторов подключены к положнтельному полюсу источника питания, а дополнительных - к отрицательному. Между базой транзистора 1 и его коллектором включеп резистор 7, задающий время фазы закрытых транзисторов 1 и 5, время другой фазы задает резистор 8, включенный между базой и коллектором транзистора 4. Конденсатор 9, задающий время первой фазы, включен между базой транзистора 1 и коллекторами транзистора 4. Конденсатор.10, задающий время другой фазы, включен между базой транзистора 4 и коллектором транзистора 1.

Согласующий резистор 11, поддерживающий открытое состояние транзистора 1, включен между его базой и коллектором транзистора 5. Согласующий резистор 12, поддерживающий открытое состояние транзистора 4, включен между его базой и коллектором транзистора 2. Между базой транзистора 2 и коллектором транзистора 4 включена согласующая цепь из параллельно соединенных, резистора 13 и конденсатора 14. Между базой транзистора 5 и коллектором транзнстора 1 включена согласующая цепь из параллельно соединенных резистора 15 и коиденсатора 16.

После включения источника питания мультивибратор самовозбуждается. При этом его основные и накрест расположенные дополнительные транзисторы полярио открываются и закрываются. В фазе открытых транзисторов 1 и 5 на базе закрытого транзистора 4 формируется экспоненциально уменьшающееся напряжение, определяемое перезарядом конденсатора 10 через резистор 8. Резистор 12 обесточен, так как подключен к коллектору закрытого транзистора 2 и аноду обратно смещенного диода 3, и поэтому не влияет на процесс формирования длительности этой фазы. Открытое состояние транзистора 1 поддерживается током согласующего транзистора 11, а транзистора 5 - током резистора 15 и конденсатора 16. Закрытое состояние транзистора 2 обеспечивается подключением резистора 1.3 и конденсатора 14 к коллектору закрытого транзистора 4. Кроме того, как только запирающее напряжение на базе транзистора 4 изменится на отпирающее, мультивибратор перейдет в следующую фазу открытых транзисторов 2 и 4.

Использование в известном симметричном мультивибраторе на транзисторах одного типа проводимости с коллекторно-базовыми емкостными связями и дополнительными транзисторами другого типа проводимости в качестве коллекторных нагрузок включения между коллекторами основного и дополнительного транзисторов диодов, между базами и коллекторами основных транзисторов - времязадающих резиторов, между базами основных и накрест расположенных дополнительных транзисторов - согласующих резисторов, а между базами дополнительных и коллекторов накрест расположенных основных транзисторов - согласующих цепей из соединенных параллельно резистора и конденсатора - позволит расширить диапазон регулирования параметров имнульсов и повысить

нагрузочную способность, так как времязадающие и согласующие функции выполняют различные цепи, отключаемые и подключаемые в соответствующие фазы с помощью диодов и транзисторов.

Формула изобретения

Симметричный мультивибратор, содержащий два транзистора типа р-п-р и два

транзистора типа п-р-п, эмиттеры транзисторов типа р-п-р подключены к общей шине, коллектор каждого из них соединен с базой другого через конденсатор, эмиттеры транзисторов типа п-р-п подключены к шине питания, база первого транзистора типа п-р-п соединена с коллектором второго транзистора типа р-п-р через параллельно включенные резистор и конденсатор, база второго транзистора типа п-р-п соединена с

коллектором первого транзистора типа р-п-р через параллельно включенные резистор .и конденсатор, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования параметров импульсов и увеличения

нагрузочной способности мультивибратора, коллекторы первых транзисторов типов р-п-р и п-р-п и коллекторы вторых транзисторов типов р-п-р и п-р-п соединены соответственно через диоды, коллектор первого

транзистора типа п-р-п с базой второго транзистора типа р-п-р, а коллектор второго транзистора типа п-р-п с базой первого транзистора типа р-п-р соединены соответственно через резисторы, коллектор и база

каждого транзистора типа р-п-р соединены через резистор.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 399050, кл. Н ОЗК 3/281, 1971 (прототип).

-о

+ 0