Датчик для дискретного измеренияи иНдиКАции КРиОгЕННыХ ТЕМпЕРАТуР Советский патент 1981 года по МПК G01K7/16 

Описание патента на изобретение SU830149A2

(54) ДАТЧИК ДЛЯ ДИСКРЕТНОГО ИЗМЕРЕНИЯ И ИНДИКАЦИИ КРИОГЕННЫХ ТЕМПЕРАТУР

Похожие патенты SU830149A2

название год авторы номер документа
ДАТЧИК ДЛЯ ДИСКРЕТНОГО ИЗМЕРЕНИЯ И ИНДИКАЦИИ КРИОГЕННЫХ ТЕМПЕРАТУР 1972
SU342082A1
УСТРОЙСТВО ИЗМЕРЕНИЯ УРОВНЯ КРИОГЕННОЙ ЖИДКОСТИ НА БАЗЕ ДИСКРЕТНЫХ МОНОЛИТНЫХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ 2000
  • Архаров И.А.
  • Емельянов В.Ю.
  • Полущенко О.Л.
RU2187078C2
КОНТРОЛЬНО-ИЗМЕРИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ КРИОГЕННОЙ СИСТЕМЫ 2019
  • Бриттлс, Грег
  • Слэйд, Роберт
  • Круип, Марсель
  • Ван Нюгтерен, Бас
RU2745295C1
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДИСКРЕТНЫХ УРОВНЕЙ ЖИДКОСТИ И СИСТЕМА (УСТРОЙСТВО), ОБЕСПЕЧИВАЮЩАЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИЮ 2013
  • Гончар Игорь Иванович
  • Кузнецов Сергей Викторович
  • Партола Игорь Станиславович
  • Тихомиров Павел Юрьевич
  • Шубарев Валерий Антонович
RU2564862C2
Устройство для бесконтактного определения электрических и магнитных параметров сверхпроводящих образцов при фазовом переходе 1988
  • Венгалис Бонифацас Юозович
  • Лауринавичюс Лаймис Вацловович
  • Янкаускас Зигмас Казимирович
SU1675809A1
Электромагнитный способизМЕРЕНия диАМЕТРОВ фЕРРОМАгНиТ-НыХ издЕлий 1979
  • Зацепин Николай Николаевич
  • Чернышев Алексей Всеволодович
  • Гусак Николай Онуфриевич
  • Куликовский Анатолий Эдмундович
SU794360A1
Способ уменьшения критического тока перехода наноразмерного сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное 2018
  • Гурович Борис Аронович
  • Приходько Кирилл Евгеньевич
  • Домантовский Александр Григорьевич
  • Кулешова Евгения Анатольевна
  • Кутузов Леонид Вячеславович
RU2694799C1
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ МАГНИТНЫЙ ПОДВЕС 1991
  • Буравлев А.П.
  • Левин Л.А.
  • Мумин О.Л.
  • Рябова Л.П.
RU2018784C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА ВТСП МАТЕРИАЛА Y-BA-CU-O 1994
  • Югай К.Н.
  • Тихомиров В.В.
  • Скутин А.А.
  • Кузин В.В.
  • Сычев С.А.
  • Карелин В.И.
  • Серопян Г.М.
RU2087994C1
ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ КРИОГЕННОГО МАГНИТА 2018
  • Слэйд, Роберт
RU2752263C2

Иллюстрации к изобретению SU 830 149 A2

Реферат патента 1981 года Датчик для дискретного измеренияи иНдиКАции КРиОгЕННыХ ТЕМпЕРАТуР

Формула изобретения SU 830 149 A2

I

Изобретение относится к термометрии и может быть использовано в датчиках температуры при измерении криогенных температур.

По основному авт. св. № 342082 известен датчик для дискретного измерения и индикации криогенных температур, содержащий чувствительный элемент с выводами, который выполнен в виде набора териометров сопротивления из различных сверхпроводников первого рода. При измерении температуры сверхпроводники поочередно переходят либо в сверхпроводящее, либо в резистивное состояние, что регистрируется измерительной схемой 1.

Недостатком известного датчика является то, что измерение температуры производится только в дискретных точках, интервал между которыми определяется материалом набора сверхпроводников, в связи с чем снижается точность измерения температуры в промежуточных точках, так как ее определение проводится с использованием экстраполяции.

Цель изобретения - повыщение точности измерения за счет возможности измерения температуры в любой точке температурного интервала, определяемого материалом набора сверхпроводников.

Поставленная цель достигается тем, что в датчик введены катущка индуктивности и дополнительный регулируемый источник питания, подключенный к ней, причем чувствительный элемент размещен в катушке индуктивности.

На чертеже приведена блок-схема датчика для дискретного измерения и индикации криогенных температур.

Чувствительный элемент 1 подключен к измерительной схеме 2. Катущка 3 индуктивности, в зазоре которой размещен чувствительный элемент 1, соединена с дополнительным регулируемым источником 4 питания.

Датчик для дискретного измерения и индикации криогенных температур работает следующим образом.

При изменении внешней температуры один из сверхпроводников чувствительного элемента 1 переходит в резистивное состояние, что регистрируется измерительной схемой 2. По катушке 3 индуктивности пропускается постоянный ток различной величины от регулируемого дополнительного источника 4 питания. В зависимости от величины поля, создаваемого катушкой 3 индуктивности, другой из сверхпроводников также переходит в резистивное состояние. По величине тока, протекающего по катушке 3 индуктивности, можно судить о температуре не только в дискретных точках, но и в любой промежуточной точке изменения температуры. Принцип работы устройства основан на зависимости температуры перехода сверхпроводника от напряженности внешнего поля, которая описывается формулой Нкр 1,74.Нкр(0) (1-), Где Нцр-напряженность поля, которое переводит сверхпроводник в резистивное состояние при температуре Т; Нкр(О) - напряженность поля, которое переводит сверхпроводник в резистивное состояние при ОК; Ткр- критическая температура перехода сверхпроводника при нулевом внешнем поле. Предлагаемый датчик для дискретного измерения и индикации криогенных температур дает возможность измерять температуру не только в дискретных точках, интервал между которыми определяется материалом набора сверхпроводников, но FJ в любой промежуточной точке каждого температурного интервала, за счет чего повышается точность измерений. Формула изобретения Датчик для дискретного измерения и индикации криогенных температур по авт. св. № 342082, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, в него введены катушка индуктивности и дополнительный регулируемый источник питания, подключенный к ней, причем чувствительный элемент размешен в катушке индуктивности. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 342082, кл. G 01 К 7/16, 1970 (прототип).

SU 830 149 A2

Авторы

Бобров Станислав Аронович

Павлюк Вадим Антонович

Заборовский Виталий Ипполитович

Котрубенко Борис Павлович

Иойшер Анатолий Матусович

Даты

1981-05-15Публикация

1979-07-09Подача